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UL認定. EMIシールドテープ - WE-CFシリーズ. WE-CFシリーズの粘着式EMIシールドテープは、非常に高い遮蔽効果のアルミ又は銅でコーティングされています。これは、金属粉末が含まれた高導電性接着剤によって実現されています。WE-CFシリーズのEMIシールドテープの用途として、ドア及びハウジングのEMI保護が含まれます。WE-CFシリーズEMIシールドテープは、WE-STシリーズの導電性Ni / Cuガラス繊維織物スリーブとともに使用することもできます。. 使用温度範囲: -25 ℃ → +85 ℃

UL認定. EMIシールドテープ - WE-CFシリーズ. WE-CFシリーズの粘着式EMIシールドテープは、非常に高い遮蔽効果のアルミ又は銅でコーティングされています。これは、金属粉末が含まれた高導電性接着剤によって実現されています。WE-CFシリーズのEMIシールドテープの用途として、ドア及びハウジングのEMI保護が含まれます。WE-CFシリーズEMIシールドテープは、WE-STシリーズの導電性Ni / Cuガラス繊維織物スリーブとともに使用することもできます。. 使用温度範囲: -25 ℃ → +85 ℃

ケーブルエントリポイントは絶対に水に浸さないでください。 水平スイッチは、タンクの壁を貫通させて取り付け、ケーブルを外側に出す必要があります。 垂直タイプの場合は、取り付けねじとケーブルエントリを液面の最高位よりも上になるように取り付ける必要があります。. UL認定. Cynergy3 RSF66シングルフロートスイッチ. Cynergy3 RSF66シングルスイッチポイント シリーズは、高レベルと低レベルのスイッチングに対応するフロートスイッチです。 RSF66フロートスイッチは、さまざまな液体に最適な、グレーのポリフェニレンサルファイド(PPS)を使用して製造されています。これにより、RSF66シリーズはさまざまな用途に対応します。 シングルフロートスイッチは、一般にPLCプロセス制御機能を備えたシステムで使用されます。 付属のケーブルの長さ RSF66シリーズには、フライングリード付きの長さ1 mの標準ケーブルが付属しています。4芯PVCケーブルです。 耐熱温度 -10 → +85 ℃ / +14 → +185 °F 電力容量 RSF66フロートスイッチの電力容量は25 VAです。 承認: WRAS、UL及びNSF認定. 種類(上部 / 下部スイッチレベルを含む): ( ； 348-7983 348-7983 ) RSF66A25B75 - シングル30 / 75 mm ( ； 348-7999 348-7999 ) RSF66A25B100 - シングル30 / 100 mm ( ； 348-8009 348-8009 ) RSF66A25B125 - シングル30 / 125 mm ( ； 348-8015 348-8015 ) RSF66A25B150 - シングル30 / 150 mm ( ； 348-8021 348-8021 ) RSF66A25B175 - シングル30 / 175 mm ( ； 446-2597 446-2597 ) RSF66B50B150 - ダブル50 / 150 mm充填制御 ( ； 446-2581 446-2581 ) RSF66B50B100 - ダブル50 / 100 mm充填制御 ( ； 446-2575 446-2575 ) RSF66A50A150 - ダブル50 / 150 mm排出制御 ( ； 446-2569 446-2569 ) RSF66A50A100 - ダブル50 / 100 mm排出制御

Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化

Microchip シンプルプログラマブルロジックデバイス. Atmelのこの高性能プログラマブルロジックデバイスは、低消費電力、高信頼性、業界標準アーキテクチャ(ISA：Industry Standard Architecture)を特長としています。

ATATMEL-ICEデバッグ / プログラマ

TC1046/47温度-電圧コンバータ. TC1046/47シリーズの温度-電圧コンバータは温度(-40 ° → +125 ℃)を測定し、測定温度に正比例する出力電圧を発生させます。 用途には、携帯電話、温度レギュレータ、温度制御式ファン、温度測定などがあります。. 特長: 供給電圧範囲: 2.7 V → 4.4 V

Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護： 2 、 000 V ラッチアップ耐性： 200 mA Rapid Programming アルゴリズム： 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲： -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ

Transil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics

SMT単方向600 W TVSダイオード、SMBJシリーズ、Littelfuse

GS1005 - GS1007シリーズホール効果センサ. GS1005 - GS1007シリーズのギア歯速度センサは、ホール効果センサで、鉄エッジの検出やゼロ付近速度の検出が必要な用途向けに設計されています。. アルミハウジング 高速機能 回転式アライメントに対する耐性 非整流電源互換 動作温度: -40 → 105 ℃

PTIシリーズ磁気センサ. リードスイッチが含まれたM8熱可塑性樹脂ハウジングの磁気近接センサです。 2メートルの出力ケーブルを備えています。 検出距離: 最大19 mmです。 LEDで動作状態を表示します。

ENEC、UL. IP67 V4マイクロスイッチ(DC2 10 A). IP67 V4 マイクロスイッチ( 10 A dc ) IP67 等級の密閉型アクチュエータ コンタクト定格： 10 A 基板実装、はんだ付け、クイックコネクト( 2.8 x 0.5 mm )など、さまざまな終端で利用可能 ハウジング材質： PET / PBT ( UL94V-0 ) POM (T85)、PBT (T120)製アクチュエータ 銀ニッケルコンタクト 動作温度範囲： -40 → 105 ° C 配線済みタイプの最大動作温度は 105 ° C です SPDTコンタクト構成 機械的寿命 >： 2 x 106 高さ11.65 mm、幅20 mm、奥行き6.5 mm 寸法 : H 11.65 x W 20 x D 6.5mm. 認定項目 ENEC、UL

MCP2551 CANトランシーバ. Microchip MCP2551は、最大1 Mbpsの速度で動作できる高速CANトランシーバです。CANコントローラと物理バスの間のインターフェイスとして機能するMCP2551は、差動伝送 / 受信機能を提供し、ISO 11898に完全に対応しています。MCP2551は、12 Vと24 Vシステムの両方に適しています。. 特長. 1 Mbps動作に対応 スロープ制御入力 ISO 11898の物理層要件を実装 12 Vと24 Vシステムに最適 RFIエミッション低減のための外部制御スロープ 常時ドミナント検出 低電流スタンバイ動作 差動バス実装による高いノイズ耐性

MCP453x/455x/463x/465xデジタルポテンショメータ

MCP41xxx/42xxxデジタルポテンショメータ

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

補助コンタクト及び接触器アクセサリ Siemensの補助コンタクト及びアクセサリです。Siemensの接触器製品に対応しています。

Broadcom シリーズ HCPL-7800A 絶縁アンプファミリは、電子モータドライブの電流検出と電圧検出用に設計されています。一般的な実装では、モータ電流は外部抵抗を通して流れ、発生するアナログ電圧降下がHCPL-7800Aによって検出されます。HCPL-7800A 光学絶縁バリアの反対側には、差動出力電圧が生成されます。この差動出力電圧はモータ電流に比例し、オペアンプを使用することでシングルエンド信号に変換できます。同相信号除去：15 kV/us@VCM = 1000 V コンパクトで自動挿入可能な標準8ピンDIPパッケージ ゲイン温度ドリフト：0.00025 V/V/℃ 入力オフセット電圧：0.3 mV 帯域幅：100 kHz 非直線性：0.004 % 世界各国の安全規格： UL1577(3，750Vrms/1分間)、CSA、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 先進的なシグマ・デルタ( S-D )A/Dコンバータ技術 完全差動回路トポロジ オプション： 300 = 表面実装オプション 500 = テープとリールのパッケージオプション

24AA08/24LC08B I2C-シリアルEEPROM。Microchipの24AA08/24LC08Bファミリのデバイスは、8 KビットI2C-シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。単独の電源で1.7 V (24AA08デバイス)、2.5 V (24LC08Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 1 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 16バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 > 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: >200年間

24AA64/24FC64/24LC64 I2C シリアルEEPROM. Microchipの24AA64/24FC64/24LC64ファミリのデバイスは、64 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA64/24FC64デバイス)、2.5 V (24LC64デバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 3 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C 互換 3本のアドレスピンのパッケージは最大8台のデバイスにカスケード可能 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 24FC64モデル用の1 MHzクロック ページの書き込み時間: 5 ms (最大) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持200年間