電子部品(オンボード) ：「SC-6N」の検索結果

関連キーワード

NTJD4401NT1G onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 910 mA 表面実装パッケージSC-88 6 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 910 mA 表面実装パッケージSC-88 6 ピン

エコ商品

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 910 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●パッケージタイプ： SC-88●実装タイプ：表面実装●ピン数： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗： 440 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.5V●最低ゲートしきい値電圧： 0.6V●最大パワー消費： 550 mW●最大ゲート-ソース間電圧： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 1mm RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(3000個)

￥41,980 税込￥46,178

7日以内出荷

FDY3000NZ onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 600 mA 表面実装パッケージSC-89-6 6 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 600 mA 表面実装パッケージSC-89-6 6 ピン

エコ商品

仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電シリーズPowerTrench ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)625 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)600 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)700 最小ゲートしきい値電圧(V)0.6 最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12 トランジスタ構成絶縁型標準ゲートチャージ0.8 nC @ 4.5 V

1箱(20個)

￥1,398 税込￥1,538

5日以内出荷

NTE4153NT1G onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピン

エコ商品

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 915 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●パッケージタイプ： SOT-523 (SC-89)●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 950 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.1V●最低ゲートしきい値電圧： 0.45V●最大パワー消費： 300 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±6 V●幅： 0.95mm●高さ： 0.8mm●20 V 915mA 小信号 MOSFET 230 m Ω ●シングル N チャンネル SC-89 ● ESD 保護機能付き低 RDS ( on )により●システム効率が向上します低しきい値電圧● 1.5 V 定格 ESD保護ゲート用途: 負荷 / 電源スイッチ電源変換回路バッテリマネージメント携帯電話● PDA ●デジタルカメラ●ポケットベルなどの携帯機器 RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(3000個)

￥35,980 税込￥39,578

7日以内出荷