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SMT単方向600 W TVSダイオード、SMBJシリーズ、Littelfuse

PTIシリーズ磁気センサ. リードスイッチが含まれたM8熱可塑性樹脂ハウジングの磁気近接センサです。 2メートルの出力ケーブルを備えています。 検出距離: 最大19 mmです。 LEDで動作状態を表示します。

ENEC、UL. IP67 V4マイクロスイッチ(DC2 10 A). IP67 V4 マイクロスイッチ( 10 A dc ) IP67 等級の密閉型アクチュエータ コンタクト定格： 10 A 基板実装、はんだ付け、クイックコネクト( 2.8 x 0.5 mm )など、さまざまな終端で利用可能 ハウジング材質： PET / PBT ( UL94V-0 ) POM (T85)、PBT (T120)製アクチュエータ 銀ニッケルコンタクト 動作温度範囲： -40 → 105 ° C 配線済みタイプの最大動作温度は 105 ° C です SPDTコンタクト構成 機械的寿命 >： 2 x 106 高さ11.65 mm、幅20 mm、奥行き6.5 mm 寸法 : H 11.65 x W 20 x D 6.5mm. 認定項目 ENEC、UL

MCP2551 CANトランシーバ. Microchip MCP2551は、最大1 Mbpsの速度で動作できる高速CANトランシーバです。CANコントローラと物理バスの間のインターフェイスとして機能するMCP2551は、差動伝送 / 受信機能を提供し、ISO 11898に完全に対応しています。MCP2551は、12 Vと24 Vシステムの両方に適しています。. 特長. 1 Mbps動作に対応 スロープ制御入力 ISO 11898の物理層要件を実装 12 Vと24 Vシステムに最適 RFIエミッション低減のための外部制御スロープ 常時ドミナント検出 低電流スタンバイ動作 差動バス実装による高いノイズ耐性

MCP453x/455x/463x/465xデジタルポテンショメータ

MCP41xxx/42xxxデジタルポテンショメータ

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

高性能PyroCoupleシリーズ. 高品質、低コスト、非接触型赤外温度センサです。 直接アクセスできない、移動中の物体や物質の温度測定に最適です。. 優れた安定性で高速応答を実現. 水冷 / 空冷式ハウジングを用意. すばやく簡単に取り付け可能. 2線式又は4線式を用意. 90 %応答時間: 240 ms. ステンレススチール製ハウジング. 取り付けねじ: M16 x 1 mm. 配線済み1 mケーブル接続. 最小センサ電圧: 6 V dc. 放射率: 0.95. 温度変化はモデルによって異なる. 2線式センサ ターゲットの温度を4 → 20 mAの出力として伝送するため、ほとんどの非接触型温度測定用途に適したソリューションとなります。. 4線式センサ ターゲットの温度を0 → 50 mVもしくは熱電対の出力として伝送し、内部温度を4 → 20 mVの出力として伝送します。この 2 番目の出力を使用して、センサが適切な周囲温度範囲内で動作していることを確認し、過熱や過冷却による損傷を防止することができます。また、センサ周囲の気温をおおよそ表示するためにも使用できます。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

補助コンタクト及び接触器アクセサリ Siemensの補助コンタクト及びアクセサリです。Siemensの接触器製品に対応しています。

Broadcom シリーズ HCPL-7800A 絶縁アンプファミリは、電子モータドライブの電流検出と電圧検出用に設計されています。一般的な実装では、モータ電流は外部抵抗を通して流れ、発生するアナログ電圧降下がHCPL-7800Aによって検出されます。HCPL-7800A 光学絶縁バリアの反対側には、差動出力電圧が生成されます。この差動出力電圧はモータ電流に比例し、オペアンプを使用することでシングルエンド信号に変換できます。同相信号除去：15 kV/us@VCM = 1000 V コンパクトで自動挿入可能な標準8ピンDIPパッケージ ゲイン温度ドリフト：0.00025 V/V/℃ 入力オフセット電圧：0.3 mV 帯域幅：100 kHz 非直線性：0.004 % 世界各国の安全規格： UL1577(3，750Vrms/1分間)、CSA、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 先進的なシグマ・デルタ( S-D )A/Dコンバータ技術 完全差動回路トポロジ オプション： 300 = 表面実装オプション 500 = テープとリールのパッケージオプション

24AA08/24LC08B I2C-シリアルEEPROM。Microchipの24AA08/24LC08Bファミリのデバイスは、8 KビットI2C-シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。単独の電源で1.7 V (24AA08デバイス)、2.5 V (24LC08Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 1 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 16バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 > 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: >200年間

24AA64/24FC64/24LC64 I2C シリアルEEPROM. Microchipの24AA64/24FC64/24LC64ファミリのデバイスは、64 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA64/24FC64デバイス)、2.5 V (24LC64デバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 3 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C 互換 3本のアドレスピンのパッケージは最大8台のデバイスにカスケード可能 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 24FC64モデル用の1 MHzクロック ページの書き込み時間: 5 ms (最大) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持200年間

逆反射 / 反射テープ. Turck Bannerの反射、逆反射テープシリーズです。 逆反射素材には感圧接着剤がついています。 使用まで表面を清潔にして、湿らせないようにしてください。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 265 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 9.19mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 35mA。最大ツェナーインピーダンス = 4Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.033%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ソフトリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.07V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 15ns。直径 = 3.6mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 300mA。実装タイプ = スルーホール。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンダイオード。ピン数 = 2

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 129A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 9.1 x 9.1 x 9.1mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.45V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 57.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.6 x 3.6 x 3.6mm。幅 = 3.6mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向600 W、Vishay Semiconductor

タイプ = ストレート。内径(プライマリ) = 24mm。内径(セカンダリ) = 24mm。接着面 = あり。材質 = 流体抵抗性エラストマー。ブレークアウト数 = 1。色 = 黒。シュリンク径(プライマリ) = 10.4mm。シュリンク径(二次) = 5.6mm。シリーズ = 202K1

最大スイッチング周波数 = 32 kHz。出力電圧 = 28 V。出力電流 = 500 mA。出力数 = 1。実装タイプ = 表面実装ns。上昇時間 = 70ns。トポロジー = フライバック。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。PWM コントローラタイプ = 電流モードmm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作供給電圧 Max = 28 V。AC-DCオフラインコントローラ、NCP / NCVシリーズ、ON Semiconductor. 2 次側電源、同期整流コントローラ固定周波数フライバック / フォワードPWMコントローラです。

定格平均オン電流 = 32A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TOP3。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 610A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 80mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。最大保持電流 = 150mA。ピン数 = 3。寸法 = 15.5 x 4.6 x 12.85mm。動作温度 Max = +125 ℃V。サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201AD。最大連続 順方向電流 3A。ピーク逆繰返し電圧 100V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 200A。Vishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長：. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性： IEC92.1 UL94VO > 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 1500V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 シングル。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 1.1V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 8.51mm。高さ = 2.6mm。ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流

材質 = アルミダイキャスト合金。奥行き = 119 mm。高さ = 94 mm。幅 = 42 mm。外形寸法 = 119 x 94 x 42mm。範囲 = 1590。色 = クリア。フランジ = なし。シールド = あり。シリーズ = 1590。重量 = 250g。ガスケット材質 = シリコン樹脂。Hammond ダイキャストアルミエンクロージャは、頑丈でありながら機械加工が簡単な電子機器に適しています。ラップジョイント構造により、塵埃、水滴飛沫の進入を防止します。タップ済みのねじ穴にねじ込まれています。ナチュラルカラーで、寸法は 119 x 94 x 42 mm です。RoHS 及び REACH に準拠しています。IP54 保護等級です EMI / RFI シールドが強化されています