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仕様電源タイプ = シングル標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 6寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm長さ = 2.9mm動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.6mmビデオオペアンプ、NJR
1袋(5個)
949 税込1,044
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仕様出力電圧 = 3 V出力電流 Max = 100mAパッケージタイプ = SOT-89出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 30 Vピン数 = 3パワーレーティング = 0.3W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 2mANJM78Lxx、100 mA電圧レギュレータ、新日本無線. 正電圧レギュレータ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
719 税込791
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仕様出力電圧 = 10 V出力電流 Max = 1.5Aパッケージタイプ = TO-252出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3パワーレーティング = 1W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 6mANJM78xx、1.5 A電圧レギュレータ、新日本無線. 新日本無線 の NJM78xx シリーズの正リニア電圧レギュレータは固定電圧レギュレータです。 この3端子NJM78シリーズの電圧レギュレータは、電圧及び電流出力の調整を求めない限り、外部コンポーネントは必要ありません。 内部熱的過負荷保護、電流制限及び安全領域動作補償機能を統合しています。 NJRレギュレータICは、1.5 Aの出力電流を生成し、シングルポイントレギュレーションで発生する問題を解消するオンカードレギュレーションなど、幅広い用途で用いられています。. 出力電流: 1.5 A 固定電圧範囲: 5 → 20 V 内部短絡保護制限 / 内部熱的過負荷保護 良好なリップル除去率 TO252パッケージ バイポーラテクノロジー RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
689 税込758
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仕様出力電圧 = 9 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = TO-220F出力電流 Max = 1.5A実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 4出力数 = 1静止電流 = 5mA精度 = 4%動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 18Wロードレギュレーション = 1.4 %/ALDO (低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、8.5 → 10 V出力、新日本無線 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
249 税込274
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仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DMP電源タイプ = デュアル, シングル出力タイプ = オープンコレクタ1チップ当たりのチャンネル数 = 2標準応答時間 = 1.5μsピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 3 → 28 V寸法 = 5 x 5 x 1.6mm長さ = 5mm幅 = 5mm高さ = 1.6mm標準デュアル供給電圧 = ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 Vコンパレータ、NJR RoHS指令(10物質対応)対応
1個
149 税込164
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仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DMP電源タイプ = デュアル, シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 2ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 5 → 28 V標準ゲインバンド幅積 = 1.2MHz標準デュアル供給電圧 = ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V標準スルーレート = 1.2V/μs動作温度 Max = +85 ℃幅 = 5mm汎用オペアンプ、NJR
1袋(5個)
1,198 税込1,318
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仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 5 → 15 V標準ゲインバンド幅積 = 1.5MHz標準スルーレート = 3.5V/μs動作温度 Max = +75 ℃幅 = 6.4mmLow Operating Voltage Operational Amplifiers, NJR RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,898 税込3,188
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仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOP電源タイプ = デュアル, シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 2ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V標準デュアル供給電圧 = ±3V標準スルーレート = 5V/μs動作温度 Min = -20 ℃幅 = 4.4mm低ノイズオペアンプ、ローム RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
619 税込681
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323HEダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2長さ = 2.1mm幅 = 1.5mm高さ = 0.8mmピーク逆電流 = 0.5μA RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
3,198 税込3,518
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仕様標準ツェナー電圧 = 5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 3.9mm直径 = 1.7mm寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm動作温度 Max = +175 ℃ツェナーダイオード500 mW、TZXシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 4%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 3.9mm直径 = 1.7mm寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm動作温度 Max = +175 ℃ツェナーダイオード500 mW、TZXシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
1,398 税込1,538
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仕様ダイオード構成 = スタッドアノード1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スタッドパッケージタイプ = DO-2013ABダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.4V長さ = 36.4mm幅 = 18.9mm高さ = 17.25mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.6kA標準回復整流器、40 A超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
949 税込1,044
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 400Vパッケージタイプ = DO-204ALピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 12pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +125 ℃長さ = 5.2mm寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm直径 = 2.7mm高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 650mV長さ = 9.5mm直径 = 5.3mmピーク逆電流 = 25mA高性能ショットキー整流器、4 → 9 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,898 税込2,088
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204ACダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 680mV長さ = 7.6mm直径 = 3.6mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,098 税込1,208
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 7.6mm直径 = 3.6mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,198 税込1,318
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 100μA長さ = 3.9mm直径 = 1.7mm寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm動作温度 Max = +175 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52xxシリーズ、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
429 税込472
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 278 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 3094 pF @ 10 VNチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
699 税込769
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 1650V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-64ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.5V長さ = 4mm幅 = 4.3mm高さ = 4.3mmピーク逆回復時間 = 20μs動作温度 Max = +140 ℃標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,098 税込1,208
当日出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 46ピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 55A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 16.7mm高さ = 6.35mm基板実装用ブリッジ整流器、VS-KBPC1シリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 コンパクトな構造 ワイヤリード構造 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
539 税込593
3日以内出荷

仕様ダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247ADダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 16.4mm幅 = 5.16mm高さ = 21.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A高性能ショットキー整流器、30 → 40 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,198 税込2,418
5日以内出荷

仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 26.5V最小ブレークダウン電圧 = 16.2V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = 1.5KE最大逆スタンドオフ電圧 = 14.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 56.6AESD保護 = Y1チップ当たりのエレメント数 = 1最小動作温度 = -55 ℃最大動作温度 = +175 ℃直径 = 5.3mmTRANSZORB(R)過渡電圧サプレッサ、アキシャル双方向1500 W、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
499 税込549
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204ALダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V長さ = 5.2mm幅 = 2.7mm高さ = 2.7mmピーク逆回復時間 = 150nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
569 税込626
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.75V長さ = 20.02mm幅 = 17.35mm高さ = 22.9mmピーク逆回復時間 = 200ns動作温度 Min = -40 ℃高速回復整流器(20 A超)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,298 税込2,528
5日以内出荷

仕様定格平均オン電流 = 20Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-247繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 300A実装タイプ = スルーホール最大ゲートトリガー電流 = 60mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 100mAピン数 = 3長さ = 15.87mm幅 = 5.31mm高さ = 20.7mm寸法 = 15.87 x 5.31 x 20.7mmピークオンステージ電圧 = 1.3V位相制御サイリスタ、Vishay Semiconductor
1個
759 税込835
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仕様ダイオード構成 = スタッドアノード整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 20.02mm幅 = 17.35mm高さ = 22.9mm寸法 = 22.9 x 20.02 x 17.35mm標準回復整流器、40 A超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,598 税込3,958
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V長さ = 20.02mm幅 = 17.35mm高さ = 22.9mm動作温度 Min = -65 ℃標準回復整流器、11 → 40 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,398 税込1,538
5日以内出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 72ピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 137A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.2Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 15.75mm幅 = 15.75mm基板実装用ブリッジ整流器、VS-KBPC6シリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 コンパクトな構造 幅広い温度範囲 ワイヤリード構造 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
699 税込769
当日出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 60A整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 15.9mm幅 = 5.3mm高さ = 20.7mmピーク逆回復時間 = 60ns動作温度 Min = -55 ℃FRED Pt(R)超高速回復整流器、10 A超 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
529 税込582
6日以内出荷

仕様定格平均オン電流 = 35Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-247AC繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 600A実装タイプ = スルーホール最大ゲートトリガー電流 = 150mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 150mAピン数 = 3長さ = 15.87mm幅 = 5.31mm高さ = 20.7mm寸法 = 15.87 x 5.31 x 20.7mm動作温度 Min = -40 ℃位相制御サイリスタ、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,198 税込1,318
6日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
669 税込736
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
919 税込1,011
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
当日出荷

仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 230 Wパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 0.4μsトランジスタ構成 = シングル長さ = 15.5mm幅 = 4.5mm高さ = 20mm寸法 = 15.5 x 4.5 x 20mmゲート静電容量 = 1500pFIGBTディスクリート、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
829 税込912
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
909 税込1,000
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,498 税込1,648
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1個
4,398 税込4,838
翌々日出荷

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