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STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 8 A， MJD44H11T4STMicro￥129,800税込￥142,780
1セット(2500個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， スルーホール， 20 A， D44H11STMicro￥4,798税込￥5,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 80 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 50 W●最小DC電流ゲイン ： 40●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 9.15×10.4×4.6mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics バッテリ逆接続及びTVS， 双方向、単方向， 表面実装， 40V， RBO40-40G-TRSTMicro￥2,898税込￥3,188
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 双方向、単方向●最大クランピング電圧 ： 40V●最小ブレークダウン電圧 ： 22V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK (TO-263)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 20V●ピン数 ： 3●ピークパルスパワー消費 ： 1500W●最大ピークパルス電流 ： 37.5A●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 ： 100μA●ISO / DTR 7637-2. 逆バッテリ保護及び過電圧保護、STMicroelectronics. RBOxx ASDデバイスは、車載用途におけるバッテリの逆接続やロードダンプ過電圧から保護するように設計されています。. 「ロードダンプ」パルスからのTransil保護 8 A又は40 Aシリーズのダイオードで、バッテリ逆接続による損傷を防止 クランプ電圧: ±40 V(最大) RS製品コード ； 686-7486 686-7486 RBO08-40G 8 A D2PAK ； 249-252 249-252 RBO40-40G 40 A D2PAK ； 877-2813 877-2813 RBO40-40G-TR 40 A D2PAK ； 919-6352 919-6352 RBO40-40G 40 A D2PAK (50個入りパック)RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 12V， ITA6V1U1RLSTMicro￥159,800税込￥175,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
方向性タイプ 双方向最大クランピング電圧 12V最小ブレークダウン電圧 6.51V実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SOIC最大逆スタンドオフ電圧 5Vピン数 8ピークパルスパワー消費 300W最大ピークパルス電流 25AESD保護 あり1チップ当たりのエレメント数 6動作温度 Max +125 ℃mm高さ 1.5mmTransil双方向アレイ、データ回線保護300 W用、ITAシリーズ、STMicroelectronics. High Surge capability Transil Array Ipp 40A (8/20μs) Peak Pulse Power 300W (8/20μs) Multiple Bidirectional Transil protection functions
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 8 A， MJD44H11T4STMicro￥129,800税込￥142,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 80 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 20 W●最小DC電流ゲイン ： 40●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
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