制御機器 ：「3m br-12」の検索結果

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 9.02mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

インダクタンス = 1 μH最大直流電流 = 12Aパッケージ/ケース = 2525長さ = 6.7mm奥行き = 3mmシールド = あり許容差 = ± 20%シリーズ = IHLPインダクタ構造 = シールド付き

静電容量 = 220nF電圧 = 310V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±10%シリーズ = F1772リード間隔 = 22.5mm抑制クラス = X2長さ = 26.3mm奥行き = 8.3mm高さ = 16.3mm寸法 = 26.3 x 8.3 x 16.3mm温度特性 = ポリエステル末端仕様 = スルーホール実装パッケージ/ケース = 12mm(EN132400) CEI384-14 iss. 2継続認定、VDE0565-1クラスX2、SEV1055 1978、DEMKO CEI384-14 1981、SEMKO CEI384-14 1981、NEMKO CEI384-14 1981、FIMKO CEI384-14 1981、UL1283 / UL1414 (最大1 μF)、CSA222 No.8-M 1986、IMQ CEI40-7/V1-1981、OVE CEI384-14 1981. X2クラス干渉防止コンデンサ、F1772-2000シリーズ310 V ac. 相間又は相とニュートラル間に取り付ける干渉抑制用メタライズドフィルムコンデンサ エポキシ樹脂封止型の難燃性ケース

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 44 nC @ 10 Vmm高さ = 20.7mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-323実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 1.35mm高さ = 1mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor