制御機器 ：「ファイル A4」の検索結果

ピーク平均順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 8.51mm。高さ = 2.6mm。ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流

ピーク平均順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 8.51mm。高さ = 2.6mm。ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流

ピーク平均順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm。幅 = 6.5mm。ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流

ピーク平均順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 8.51mm。高さ = 2.6mm。ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 4.55mm。幅 = 5.15mm。UL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 5.15 x 4.55 x 1.45mm。高さ = 1.45mm。UL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 4.55mm。高さ = 1.45mm。UL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.0 A RDS ( ON ) = 50 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 4.5 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ： MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル>： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2 x 2 x 0.72mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 30 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.7 A RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 5.0 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。