制御機器 ：「16 1.50」の検索結果

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 40， 63， 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = SMA ( CASE 403D )。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 600 Ω @ 0.25 mA， 9 Ω @ 25 mA。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2mm。動作温度 Min = -65 ℃mA。この 1.5 W ツェナーダイオードは、汎用電圧調整用途向けに設計されています。標準ツェナー降伏電圧範囲： 3.3 → 68 V >人体モデルごとにクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格を備えています 平らな取り扱い面で正確に配置できます TOP サイド / ボトム回路基板実装用のパッケージ設計 低プロファイルパッケージ テープ及びリールで提供されます MELF パッケージの理想的な代替品です 機械的特性： ケース：無骨、転写成型プラスチック 仕上げ：外側のすべての表面には耐腐食性があり、簡単にはんだ付けできるリードを備えています はんだ付けの最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 極性：カソードは極性を成形済みのノッチ又はカソードバンドで表示 鉛フリーパッケージを用意 PPAP対応

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 25 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 4 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.9 x 4.5 x 9.2mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 120， 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 120， 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃。小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-126。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 12.5 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 8 x 3.25 x 11mm。小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -160 V。パッケージタイプ = TP-FA。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。最小DC電流ゲイン = 140。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V。最大動作周波数 = 120 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 18 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 3 V。4000シリーズエンコーダ / デコーダ、マルチプレクサ / デマルチプレクサ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃。MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃。74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 40Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.5mm。標準電圧温度係数 = 14mV/K。ツェナーダイオード500 mW、MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

論理回路 = AC。ラッチモード = アドレス可能。ラッチエレメント = デコーダ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 差動。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。セット/リセット = マスターリセット。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = 4000。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = SRタイプ。ビット数 = 4bit。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。セット/リセット = Yes。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。動作供給電圧 Max = 18 Vmm。4000シリーズフリップフロップ及びラッチ、ON Semiconductor

メモリサイズ = 16kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 2 k x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。自動車規格 = AEC-Q100年。CAT25160 は、 2048 x 8 ビットとして内部で構成された EEPROM シリアル 16 Kb SPI デバイスです。32 バイトのページ書き込みバッファを備え、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )プロトコルをサポートしています。このデバイスは、チップ選択( CS )入力によって有効になります。さらに、必要なバス信号は、クロック入力( SCK )、データ入力( SI )、データ出力( SO )の各ラインです。HOLD 入力は、 CAT25160 デバイスとのあらゆるシリアル通信を一時停止するために使用できます。これらのデバイスは、部分的なアレイ保護と完全なアレイ保護を含む、ソフトウェアとハードウェアの書き込み保護を備えています。10 MHz SPI 互換 供給電圧範囲： 1.8 → 5.5 V SPI モード( 0 、 0 、 1 ) 32 バイトのページ書き込みバッファ 自己タイミング書き込みサイクル ハードウェアとソフトウェアの保護 ブロック書き込み保護 - 保護 1/4 、 1/2 、又はすべての EEPROM アレイ 低電力CMOS技術 プログラム / 消去回数： 1 、 000 、 000 回 データ保持期間： 100 年間 工業用及び拡張温度範囲 8 リード PDIP 、 SOIC 、 TSSOP 、及び 8 パッド TDFN 、 UDFN パッケージです 用途 自動車システム 通信システム コンピュータシステム コンシューマシステム 産業システム

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = TO-223。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -350 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V dc。最大動作周波数 = 30 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

論理回路 = 4000。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = RSラッチ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。回路数 = 4。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。セット/リセット = Yes。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。幅 = 4mm。MC14043B / MC14044B クワッド R-S ラッチは、 1 つのモノリシック構造に MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスが組み込まれています。各ラッチには、独立した Q 出力、セット入力、リセット入力があります。Q 出力は、共通のイネーブル入力を備えた 3 ステートバッファによってゲートされます。出力はイネーブル入力で論理「 1 」又は「高」でイネーブルにし、論理「 0 」又は「低」によってラッチを Q 出力から切り離して、 Q 出力で開回路にします。ダブルダイオード入力保護 3 ステート出力と共通イネーブル 定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動できる出力 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 鉛フリーパッケージを用意

パッケージタイプ = SOIC。ロジックタイプ = カウンター。ステージ数 = 4。論理回路 = CMOS。実装タイプ = 表面実装。カウンタタイプ = バイナリー。動作/操作モード = ダウン カウンター， Up カウンター。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = -0.5 V。動作供給電圧 Max = 18 V。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。リセットタイプ = シンクロナス。4000シリーズカウンタ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

パッケージタイプ = SOIC。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = CMOS。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = パラレル to シリアル。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = -0.5 V。動作供給電圧 Max = 18 V。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。リセットタイプ = 非シンクロナス。4000シリーズカウンタ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

メモリサイズ = 128kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 16 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 16Kμs。EEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 250 MHz。ピン数 = 16。1チップ当たりのエレメント数 = 4。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8.1V。最小ブレークダウン電圧 = 5.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UDFN。ピン数 = 14。最大ピークパルス電流 = 16A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 8。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.5 x 1.5 x 0.5mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。ESD8008 は、 4 つの高速差動ペアを保護できるようになっています。超低静電容量及び低 ESD クランプ電圧により、電圧の影響を受けやすい高速データラインの保護に最適なソリューションになります。フロースルースタイルパッケージにより、基板レイアウトが簡単で、トレース長を揃えて高速ラインのインピーダンスを一定にすることができます。最大静電容量： 0.35 pF 深型スナップバック SCR 技術 最大6 Gbpsのデータ転送速度に対応 ESD イベント用の超低クランプ電圧 コンピューティング LCD TV 用途 V-by-One HS LVDS DisplayPort

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = シュミットトリガー。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = SMT。標準上昇時間 = 0.1μs。最大入力電流 = 10 mA。絶縁電圧 = 4.17 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 0.1μs。シリーズ = H11L。H11LXM シリーズは、ガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されている高速集積回路検出器を備えています。出力には、ノイズ耐性及びパルス整形用のヒステリシスを提供するシュミットトリガが組み込まれています。この検出器回路は、操作の簡素化に最適化されており、用途の柔軟性を最大限に高めるためにオープンコレクタ出力を採用しています。高データ転送速度、標準1 MHz (NRZ) ラッチアップや電圧範囲及び温度範囲全体にわたるオシロスコープを離してください。 マイクロプロセッサ対応ドライブ ロジック互換出力シンク： 16 mA @ 0.4 V (最大) オン / オフしきい値ヒステリシスを保証 幅広い電圧を供給でき、一般的なあらゆるロジックシステムに対応します 用途 家庭用電化製品 産業用モータ

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.37 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 329 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 2.2mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor

ピン数 = 14。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -55 ℃。MC14016B クワッド双方向スイッチは、単一のモノリシック構造の MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスで構成されています。各 MC14016B は、デジタルまたはアナログ信号を制御できる 4 つの独立したスイッチで構成されています。このクワッド双方向スイッチは、信号ゲート、チョッパ、変調器、復調器、 CMOS ロジックの実装に使用されます。すべての入力でダイオードを保護します 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/qルート(サイクル)、 f> = 1.0 kHz (標準) CD4016B 、 CD4066B のピン交換(注意：転送特性設計の改善により CD4016 よりも寄生カップリング静電容量が増大) 低 RON の場合は、 HC4016 高速 CMOS デバイスまたは MC14066B を使用します このデバイスには、 ESD 保護機能のない入力と出力があります。静電気防止対策を講じる必要があります。