ホルダー類：「抵抗 10オーム」の検索結果

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10×10mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン10×10mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

1箱(20枚)ほか

￥17,900～税込￥19,690～

当日出荷から32日以内出荷

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10×20mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン10×20mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

1箱(20枚)ほか

￥19,600～税込￥21,560～

当日出荷から22日以内出荷

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8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン

アズワン8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

1箱(25枚)

￥705,000～税込￥775,500～

42日以内出荷

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アズワン研究用[P 100 ，1-100Ω]25枚入

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

1箱(25枚)

￥136,000～税込￥149,600～

30日以内出荷

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20×30mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン20×30mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様●サイズ(mm)：20×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

1箱(20枚)ほか

￥24,100～税込￥26,510～

当日出荷から22日以内出荷

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8×8mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン8×8mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

1箱(20枚)ほか

￥16,200～税込￥17,820～

22日以内出荷から42日以内出荷

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40×40mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン40×40mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様●サイズ(mm)：40×40●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

1箱(20枚)ほか

￥33,200～税込￥36,520～

22日以内出荷

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20×20mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン20×20mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

1箱(20枚)ほか

￥21,800～税込￥23,980～

当日出荷から23日以内出荷

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50×50mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン50×50mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様●サイズ(mm)：50×50●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

1箱(20枚)ほか

￥36,100～税込￥39,710～

22日以内出荷から23日以内出荷

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15×15mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン15×15mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

1箱(20枚)ほか

￥19,600～税込￥21,560～

22日以内出荷から32日以内出荷

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5×5mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン5×5mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

1箱(20枚)ほか

￥15,300～税込￥16,830～

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30×30mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン30×30mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様●サイズ(mm)：30×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

1箱(20枚)ほか

￥30,400～税込￥33,440～

22日以内出荷から32日以内出荷

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25×35mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板アズワン

アズワン25×35mm Si シリコン研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシングチップ角基板

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様●サイズ(mm)：25×35●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

1箱(20枚)ほか

￥24,100～税込￥26,510～

22日以内出荷

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