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仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = デュアルフルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 1A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 36 V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 16動作供給電圧 Min = 4.5 V動作温度 Max = +150 ℃負荷ドライバIC、TMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,100 税込1,210
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仕様ドライバ数:1動作供給電圧 Min:3.3 V動作供給電圧 Max:5 Vトポロジー:ハーフブリッジ実装タイプ:基板実装出力数:1パッケージタイプ:SOピン数:14ブリッジタイプ:ハーフブリッジ入力ロジック互換性:CMOS, TTL RoHS指令(10物質対応)対応
1個
8,003 税込8,803
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仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = フルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 3A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = HSIPピン数 = 7動作供給電圧 Min = 10 V標準スイッチング周波数 = 100kHz幅 = 3mmモータコントローラ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
499 税込549
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1袋(10個)ほか
2,290 税込2,519
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仕様ロジックタイプ = CMOS, TTL出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = DIPns出力数 = 2上昇時間 = 40nsトポロジー = ローサイド高/低サイド依存性 = 独立時間遅延 = 60ns実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,798 税込3,078
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仕様ドライバ数:1動作供給電圧 Min:5 V動作供給電圧 Max:30 Vトポロジー:絶縁ゲートドライバ実装タイプ:表面実装ピーク出力電流:4A出力数:1極性:非反転パッケージタイプ:SDIPピン数:6寸法:4.58 x 11.5 x 2.05mmSi826xシリーズの絶縁ゲートドライバ、Silicon Laboratories. Silicon Labs Si826xシリーズのISOdriverを使用すれば、一般的なゲート駆動オプトカプラ向けにピン互換のあるドロップインアップグレードが可能です。 これらのデバイスは、幅広いインバータ制御やモータ制御の用途に使用される電源MOSFET及びIGBTの駆動に最適です。 Si826x絶縁ゲートドライバには、Silicon Labs独自のシリコン絶縁テクノロジーが使用されており、最大5.0 kV RMSをサポートしています。 このテクノロジーによって高性能が実現し、温度や使用年数による変動が削減され、部品間の結合がタイトになり、オプトドライバに比べてコモンモード除去比が向上します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)ほか
2,540 税込2,794
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仕様動作供給電圧 Min:14.6 V動作供給電圧 Max:16.6 V実装タイプ:表面実装パッケージタイプ:SOICピン数:8動作温度 Min:-45 ℃MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
489,800 税込538,780
5日以内出荷


MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハイサイド及びローサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド及びローサイドの構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 2.5 A供給電圧 = 20Vピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC W出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(45個)
22,980 税込25,278
5日以内出荷

MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハイサイド及びローサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド及びローサイドの構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 2.5 A供給電圧 = 20Vピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷


1袋(25個)ほか
1,798 税込1,978
翌々日出荷から5日以内出荷
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2Cでモーターコントロール!KP-DRV8830はI2Cでモータ回転をコントロールする高性能デバイス、TI社「DRV8830」を2個搭載した基板です。 取り扱いが難しい小さいサイズのDRV8830を、あらかじめ基板に実装しており、ブレッドボードによる実験などを容易に行えるようにしました。 また、ICの特徴を生かして小型基板に仕上げておりますので、装置への組み込みにもご利用いただけます。
種類工作キット インターフェースシリアルI2C互換 仕様Hブリッジ電圧制御モータードライバ 電流(mA)最大0.9 動作範囲2.75V~6.8V 付属品ヘッダーピン4ピン×2個 寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)20.5×15.2×2.5
1袋
1,598 税込1,758
当日出荷

Infineon MOSFET / IGBT ドライバ ハイサイド. Infineon のゲートドライバ IC は、ハイサイド構成で MOSFET 又は IGBT パワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 500 mA供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 1トポロジー = ハイサイドドライバ数 = 1極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(95個)
27,980 税込30,778
5日以内出荷

PWM(PulseWidthModulation)制御+フィードバックによる、模型用モーターに最適な簡易型DCモータコントローラーキットです。DCモータの回転数を一定に保つ様に制御することができます。回転方向は正転・停止・逆転を基板上のスイッチで切り替え可能です。
種類工作キット モーター使用可能/マブチ RE260、FA130などの模型向けモータ 出力電流(A)平均0.9、ピーク時12 電源電圧(V)DC2~3 回転制御スイッチによる正転←停止→逆転の切替 基板寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)51×73×16
1個
2,198 税込2,418
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豊富な保護機能(過負荷、過電流、センサ異常、モータ軸拘束、ヒューズ保護) 閉ループPWM電圧制御による定速回転制御機能を内蔵。 外部機器からの電圧による回転数制御が可能(0~5V)。 内部に2系統の速度設定VRを有し速度切換が容易。 ソフトスタート機能(内部VR設定)を内蔵。
質量(g)約30(本体のみ) 周波数(kHz)約20(PWM) 電源電圧(V)DC24 ±10%以内 使用環境0~40℃、85%RH以下(結晶無きこと)熱対流のある雰囲気で使用。 保存環境-10~60℃、85%RH以下(結晶無きこと) RoHS指令(10物質対応)対応 電流制限(A)3.3
1台
17,980 税込19,778
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INFINEONMOSFET Driver
エコ商品
仕様MOSFET / IGBTドライバ、ハイサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
3,340 税込3,674
5日以内出荷