「サファイア基板」の検索結果
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汎用的な成膜用基板として使用されています。
耐食性、耐熱性にすぐれ、電子部品、各種セラミックス、新素材などの生産・研究開発用に幅広く使用されています。
厚さ(mm)2.5
化学組成Al2O3 99.6%
耐熱温度(℃)約1800
材質アルミナ99.6%
色白
各種成膜用基板として使用されています。
寸法(mm)10×10×0.5
研磨内容片面鏡面
材質(基板)CaF2
汎用的な成膜用基板として使用されています。
サイズΦ2インチ×0.43mm
精度方位：(0001)±0.5°
材質(基板)サファイア基板
アズワン品番3-4953-17
方位C(0001)、面内：[11-20] オリフラ付
研磨片面鏡面
1枚
￥12,900
税込￥14,190
6日以内出荷
超電導用基板などとして使用されています。
寸法(mm)10×10×0.5
材質(基板)MgO
方位(100)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
天然白雲母です。成膜用基板やAFM観察用などに使用されています。
材質(基板)天然マイカ
研磨内容劈開
超電導用や燃料電池用基板などとして使用されています。
寸法(mm)10×10×0.5
材質(基板)YSZ
こんなお得な商品も！
天井点検口
モノタロウ
￥1,198
税込￥1,318
ほぼ二酸化ケイ素(sio2)で構成され、金属不純物や気泡が少ないのが特徴です。フロートガラス(青板ガラス)と比較して、光透過率が全波長にわたり非常に良好です。短波長の紫外～赤外領域での広い波長域において優れた光透過性を優しています。耐熱温度は連続使用温度900℃と耐熱性にも優れています。理化学用機器類や、半導体製造用治具の材料として最適な素材です。
タイプ角
連続使用温度(℃)900
最高使用温度(℃)1100
長さ公差(mm)±0.3
厚さ公差(mm)±0.3
幅公差(mm)±0.3
曲げ応力値(MPa)50
熱膨張係数(×10-7/℃)5.5
サービス分類オーダー・加工
溶融石英は研磨板は、主に天然水晶を原料として製造しており、含有する不純物は、ppmレベルです。合成石英研磨板は、四塩化ケイ素を原料として製造しており、含有する不純物はppbレベルです。上下面を光学研磨加工しています。
材質合成石英ガラス
形状角
端面加工砂目、糸面取り仕上
FT-IR・Raman・UV/Visible用窓板(光学結晶)です。
厚さ(mm)3
直径(Φmm)32
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
不純物を含まないサファイアは可視域から赤外(5μm)まで吸収がない透明な結晶です。このサファイア結晶で作った窓板です。サファイア結晶は非常に硬度が高く、傷が付きにくいことから、保護ガラスとして使用できます。
耐熱性・耐熱衝撃性・耐食性に優れています。
曲げ強さ(MPa)250
化学組成Al2O3/99.5%
密度(g/cm3)3.9
金属の酸化物を含み様々な色を放つ自然界の水晶とは異なり、限りなく純粋に近い人工の水晶(SiO2)です。
人工水晶は水晶発振器として、時計や携帯電話、パソコンなどの幅広い機器に用いられています。
寸法(mm)約50×20×15
1個
￥1,198
税込￥1,318
当日出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
ウェハーの出荷・保管用の容器です。ウェハーの表を下にして収納します。
ポケットの底は円錘状でウェハーエッジのみ接触します。スプリングでウェハーを固定します。
トレー同士またはトレーとカバーの積み重ねが可能で、トレーは互いに固定して積み重ねることもできます。
オールポリプロピレン製。
材質ナチュラルPP(ポリプロピレン)
高品質の単結晶GaN基板
仕様●直径：50.8 ±0.2 mm●厚さ：4.5 ± 0.5μm●GaN面方位：A軸に対して、C面(0001) 0.2±0.1°オフ●GaN面オリフラ： (1-100) 0±0.2°。長さ 16 ± 1mm●タイプ：N型(ノンドープ品)"●抵抗率(300K)：＜ 0.5Ω・cm●キャリア濃度：≦2×10^17 cm‐3●移動度：＞300cm2/V-s●基板構造：サファイア上にGaN( ～4.5μm uGaN/ ～25 nm uGaN buffer / 430 ±25μm sapphire)●転移密度：5×10～8cm-2以下●研磨：SSP(前面エピ研磨)●使用可能面積：＞90% (エッジ及びマクロ欠陥を除く)●梱包形態：クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-79
1枚
￥61,980
税込￥68,178
6日以内出荷
高品質の単結晶GaN基板
仕様●直径：100 ± 0.2mm●厚さ：4.5 ± 0.5μm●GaN面方位：A軸に対して、C面(0001) 0.2±0.1°オフ●GaN面オリフラ：(1-100) 0±0.2°。長さ 30± 1mm●タイプ：N型(ノンドープ)"●抵抗率(300K)：＜ 0.5Ω・cm●キャリア濃度：≦2×10～17 cm‐3●移動度：＞300cm2/V-s●基板構造：サファイア上にGaN( ～4.5μm uGaN/ ～25 nm uGaN buffer / 650 ±25μm sapphire)●転移密度：5×10～8cm-2以下●研磨： SSP(前面エピ研磨)●使用可能面積： ＞90% (エッジ及びマクロ欠陥を除く)●梱包形態：クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-80
1枚
￥129,800
税込￥142,780
8日以内出荷
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