「チップトランジスタ」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 10000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 100nA。幅 = 1.4mm。ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

Wurth Elektronik WL-SICW SMT 赤外線 LED は、無色透明レンズ付きの AlGaAs チップこのフォトダイオードは、1206 コンパクトなパッケージ外形の 2 mm 長のフォトダイオードです。Peak Wavelength：940 低消費電力 高い信頼性 低電流要件 高速スイッチング

Toshiba TLP2703 フォトカプラは、高出力赤外線 LED と高速フォトダイオードトランジスタチップで構成されています。主に通信ネットワークや産業用インバータで使用されます。動作温度： -40 → 125 ℃ 絶縁電圧： 5000 Vrms

Wurth Elektronik WL-SICW SMT 赤外線 LED は、無色透明レンズ付きの AlGaAs チップこのフォトダイオードは、1206 コンパクトなパッケージ外形の 2 mm 長のフォトダイオードです。Peak Wavelength：850 低消費電力 高い信頼性 低電流要件 高速スイッチング

Wurth Elektronik WL-STSB SMT サイドビューフォトトランジスタは、シリコンチップ技術と黒色レンズを備えています。このフォトダイオードは、1002 標準パッケージサイズの 2.4 mm 長です。Peak Wavelength：940 IR及び可視エミッタに最適 高い信頼性 高感度

コンパクトで組み込みに便利!。13種類の色またはミックス色から1つを選んで点灯・点滅させることができます。点滅間隔は0.5 ～ 2秒の範囲で調節可能です。チップ形の抵抗、トランジスタに加えて8ピンの表面実装ICやチップ半固定抵抗、4ピンのフルカラーチップLEDのはんだ付けに挑戦できます。

チャンネル数 = 1。最大光電流 = 1100μA。最大暗電流 = 100nA。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。寸法 = 1.7 x 0.8 x 0.6mm。感度スペクトルレンジ = 最大630 nmnm。高さ = 0.6mm。チップLEDフォトトランジスタ光検出器、KDT00030. 人間の目に近いスペクトル応答 幅広い照明範囲、優れた出力線形性 小型筐体: 1.7 x 0.8 mm 低プロファイル: 0.6 mm フィルタ技術を用いたフォトトランジスタ

Wurth Elektronik WL-STSW SMT フォトトランジスタは、無色透明レンズ付きの Si チップ技術を備えています。1206 標準パッケージサイズの 3.2 mm 長のフォトダイオードです。Peak Wavelength：940 IR及び可視エミッタに最適 高い信頼性 高感度

コンパクトで組み込みに便利!。チップ形の抵抗、LED、コンデンサ、トランジスタでつくる定番のLED点滅回路です。基板上に用意してあるジャンパーを使って点滅スピードを少しだけ速くすることもできます。LED拡張端子付きで4個のLEDを追加できます。また別売のLK-ST5やLK-ST6の制御信号としても利用できます。

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = 絶縁型。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。標準抵抗比 = 1mm。デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 256 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。標準抵抗比 = 0.047mm。デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = 絶縁型。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm。デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A dc。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V dc。幅 = 4.9mm

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 750。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 200。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.05mA。幅 = 4.6mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 500。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics