「パワーゲート」の検索結果

さまざまな用途に利用できるフレキシブルなスイッチです。トラックのパワーリフト・電動リフト・介護用リフト・扉の開閉など最適な小型ペンダントスイッチです。コンパクトで片手でも握りやすい大きさです。 スイッチには信頼性の高いツイン接点を採用しています。DC24Vでも確実な操作が行えます。

狭い通路でも簡単操作、場所をとらない足踏油圧式のリフターです。 低全高タイプは入り口、天井が低くても楽々作業。独創的な形状のめっきハンドルで自在なハンドリング。ウレタン固定車輪・自在には両輪にブレーキ付ゴム車輪を採用。マスト、フォークに高張力鋼板を使った強靱軽量設計です。過負荷防止バルブ付き。フォーク巾を簡単に調整。フォークのガタつきを防止する新構造マスト。

伸縮自在であり、通信機、電動工具、事務機器等の移動物体への電源供給、または信号伝送等に用いられます。 乱雑になりがちな配線が、スプリング効果により整理され、作業性が向上します。 導体の極細線構成とスプリング形状により、振動、屈曲、伸縮等の耐久性に優れています。 コイル部分の伸縮は、コイル長さ(カール長)の2.5倍を標準とします。

ペダルを踏む事により、任意の位置まで上昇出来ます。 下降レバーの加減で下降スピードの調整が可能です。

安全性重視の自動積荷チェックバルブ装置内蔵。ポリカボネード板の採用による広い視界。小型軽量だから小回り抜群。スプロケットカバーに軽くてクリーンな樹脂製カバーを新採用。早揚がり装置内蔵。

ボタンパッキンがケース外に装着されたボタンパッキン露出型で低容量専用の小型、経済品のホイスト、クレーン操作用押ボタン式開閉器です。 ケーブル保護部(ケーブルブッシング)と防水部(ケーブルパッキン)が分割されていますので、ケーブルの挿入が容易で、耐水性能がより発揮できます。 ケースは高衝撃性ABSですので、軽く、感電の危険がなく安全にご使用いただけます。 機械的インターロック付です。上/下、東/西など同時に投入ができませんので、安全にご使用いただけます。

防雨形で、ケースは機械的強度・電気的特性に優れるABS樹脂を使用しているため、軽く、感電の危険がなく、屋外でも安心してご使用いただけます。 電磁開閉器を介して操作するタイプで、小型、軽量、経済的です。 機械的インターロック付きですから、上・下、東・西など同時に投入できず、安全です。

パワーゲートの手前に置くことで、後方から接近する人や自転車等に注意を促し、接触事故や追突事故防止に役立ちます。 付属のLEDライトを使えば、夜間でも効果を発揮します。

パワーゲートやあおりの両端など、3方向から放つパワフルなLEDで誘導の役目も果たす安全対策商品。全17種類の点滅パターンと、左右に取り付けた場合LEDの点滅を同期させることが可能。堅牢なつくりは耐荷重5tまで対応し、万が一踏みつけたとしても耐える設計。12V車24V車の共用。事故を防ぐ安全をサポート!!

ハンドル折りたたみ式で、ライトバンにも簡単に収納できます。 急降下防止バルブ付です。 ゴム車輪の採用で滑らかで安定した走行を実現。自在車輪には安全ブレーキを装備しています。 高耐久性の油圧ポンプに強靭なシリンダを装備し、安全で快適な昇降を実現します。 高剛性のフレームに油圧ポンプ、シリンダをコンパクトにまとめた親切な設計です。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 870 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-723。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 550 mW。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。長さ = 1.25mm。高さ = 0.55mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 150 V。パッケージタイプ SOIC。実装タイプ 表面実装。ピン数 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 95 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 3 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。幅 4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。ハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 540 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-563。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.45V。最大パワー消費 = 250 mW。最大ゲート-ソース間電圧 = ±7 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。20 V N チャンネルパワー MOSFET です。低 RDS ( on )により、システム効率が向上します 低しきい値電圧 省スペース： 1.6 x 1.6 mm ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント