「パワーデバイス」の検索結果

放熱器一体で超小型スリムタイプ。 ねじ取り付けはもちろん、DINレール取り付けも可能。 連結端子で密着取り付けが簡単に行え、三相負荷にも適用可能。 万一、パワー素子が破壊してもカートリッジ方式でパワー素子の交換可能。 EN、IEC、VDE、UL、CSA規格取得。

機器内蔵タイプの小型形状であり、取りつけピッチを統一。 バリスタを内蔵(形G3NA-D210B-UTUは除く)し、外来サージの吸収効果に優れています。 動作表示灯により動作の確認が可能。 安全のための保護カバー付。 標準でUL/CSA規格、EN規格(TUV認定)を取得。

機器内蔵タイプの小型形状であり、取りつけピッチを統一。バリスタを内蔵し、外来サージの吸収効果に優れています。動作表示灯により動作の確認が可能。安全のための保護カバー付。海外規格UL、CSA規格は標準タイプで取得。

鉛の使用をなくし、環境保全に対応。 VDE規格(ドイツ)、IMQ規格(イタリア)を追加取得。 AC/DCのコイルテープの色を変えることにより、AC/DC仕様の識別性を向上。

小型サイズW40×L58×25.5mm。 安全面に配慮した端子カバー付(出力側のみ:入力側カバーもオプション対応です。) 取付けピッチ47.5mm。 外来サージ吸収に優れるバリスタ内臓。 動作確認が可能なLED表示付。

放熱器一体の小型、スリムタイプ。サージパス機能により出力回路のサージ電圧耐性を向上。UL、CSA、EN規格(TüV認定)を取得。

機器内蔵タイプの小型形状であり、取りつけピッチを統一。 バリスタを内蔵(形G3NA-D210B(-UTU)は除く)し、外来サージの吸収効果に優れています。 動作表示灯により動作の確認が可能。 安全のための保護カバー付。 -UTUタイプは標準でUL/CSA規格、EN規格(TUV認定)を取得。

プラグイン端子のSSR形G2R-1-Sパワーリレーと同一形状。オムロン形G70A I/Oターミナルに搭載できるI/Oソリッドステート・リレー。入力モジュール・出力モジュールを品揃え。TüV認定品も品揃え(-UTUタイプ)。

パワートランジスタ用ソケット ICテスト用ソケット TO-247 4Lなどのパッケージに対応 基板実装用

パワートランジスタ用ソケット ICテスト用ソケット TO-220/TO-3P/TO-66/TO-247/TO-254/TO-257/TO-262/TO-264等のパッケージに対応 ケルビン測定も可能です。 基板実装用

半導体の基礎は、パワーデバイスを理解する上での最小限にとどめ、パワーデバイスの構造、特性と製造プロセスを詳しく解説。半導体の基礎を学んだ上で、パワーデバイスについて学びたい人のための入門書として最適。

パワートランジスタ、サイリスタ等の個別半導体デバイスのテストにご使用頂けます。 ハンドルを手前に倒す事により導通させるZIF構造です。

パワートランジスタ用ソケット ICテスト用ソケット TO-3P/TO-247/TO-264のパッケージに対応 低インダクタンス

パワートランジスタ用ソケット ICテスト用ソケット TO-3P/TO-247/TO-264/TO-66/TO254/TO-257/TO-262のパッケージに対応

ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優れた性能と課題を詳細に説明。特に結晶製造の難しさは丁寧に解説し、結晶構造の違いや結晶欠陥の形成原理とその評価法に関しても述べた。

三相2線切りを可能にするユニット。 三相ヒータの2線切りに便利。 施工性を向上させます。

ローコストなプリント基板実装タイプ。 高信頼性が要求されるFA機器用SSR。 入力DC3～28V、出力AC75～264V。 入力DC3～28V、出力DC3～52.8Vと広範囲。 出力の適用負荷は2Aと3Aを用意。 形状はフラットタイプとバーチカルタイプが選べます。 RoHS適合。

放熱器一体の小型、スリムタイプ三相ヒータ用ソリッドステート・コンタクタ

小型SSR(形G3S、4個搭載)とソケット、放熱器を一体化した使いやすい構造の集合SSR 端子はIN/OUT分離構造のため配線が容易 動作表示LEDつき 専用ソケットのため、リレーの取り替えが簡単 DINレール取りつけ、ねじ取りつけ共用

鉛の使用をなくし、環境保全に対応。VDE規格(ドイツ)、IMQ規格(イタリア)を追加取得。AC/DCのコイルテープの色を変えることにより、AC/DC仕様の識別性を向上。

形MYと同一サイズのソケットタイプ。動作表示灯により入力の確認が可能。(Nタイプ)

サイクル制御方式により発生ノイズの少ない電力制御が可能。G3PAと組み合わせれば単相はもちろん三相負荷にも使用可能。内部設定ボリウム、外部設定ボリウム、電流信号DC4～20mAの3つの入力が選択可能。ねじ取り付けはもちろんDINレール取り付けも可能。絶縁トランスを内蔵。100～240Vフリー電源。

Infineon MOSFET / IGBT ドライバ ハイサイド. Infineon のゲートドライバ IC は、ハイサイド構成で MOSFET 又は IGBT パワーデバイスを制御します。

MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハイサイド及びローサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド及びローサイドの構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。

MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハイサイド及びローサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド及びローサイドの構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。

電子機器のとどまることのない発展により、電力使用量は拡大の一途です。あらゆる電子機器において、省エネルギーが切望されています。本シリーズでは、エレクトロニクス技術について、エネルギーを扱うという観点からアプローチします。具体的には、電源回路、発電、電力変換、モータ駆動、照明などについて扱います。地球環境にやさしいエレクトロニクスの技術情報を紹介していきます。Siの限界を打破するSiC/GaN半導体パワー・デバイスの普及が目前に!特集ワイドギャップ半導体の研究(新しいワイドギャップ半導体が世界を変える パワー・エレクトロニクス用半導体デバイスの重要性：スイッチング素子としての応用面から見た パワー・エレクトロニクス用半導体の性能指標：パワー・デバイスの動作原理を理解するために 半導体デバイスの基礎知識：パワー・デバイスで最も重要な性能指標 耐圧とオン抵抗のトレードオフ ほか)GE Articles(シリコン・カーバイド半導体によるアプリケーション SiC JFETで作るオーディオ・アンプ：高効率で低ノイズな電源回路を実現できる PFC機能を備えたLLCコントローラIC PLC810PG：切り忘れ防止、タコ足による過電流検出、待機電力チェック 無駄減らし効果が目に見える三つの消費電力メータ)

LILCO(PMK社)広帯域電流トランス(広帯域CT)は、被試験回路への電気的接触なしに電流波形を正確に測定できます。 革新的な広帯域CTは、高磁気飽和特性を有しており、オシロスコープなどで電流波形を確実に読み取ることができます。

PMK社(LILCO)広帯域電流トランス(広帯域CT)は、被試験回路への電気的接触なしに電流波形を正確に測定できます。革新的な広帯域CTは、高磁気飽和特性を有しており、オシロスコープなどで電流波形を確実に読み取ることができます。

TE Connectivity では、人気の高い 3522 シリーズの姉妹品である厚膜ハイパワーデバイスを発売しました。大量自動位置決めやほとんどの用途に適しています。標準で 7 インチリール単位で提供され、リールあたり 2000 個のリールが付いています。2010 サイズパッケージの 2 W @ 70 ℃ 自動配置に最適です ディストリビューションから入手可能 Terminal fin

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