「導電フォーム」の検索結果

ウエハー・電子基板等のクッション材に適しています。低VOC(揮発性有機化合物)です。

CMOS IC等を保護・輸送・携行時の静電気障害から保護します。 カーボンブラック及び脂肪酸エステルを混入したポリエチレン製。

ディスクリート部品の保管や、静電気にデリケートな基板等の緩衝材に最適。 適度な硬さを保つ導電性発泡材を使用。

静電気の発生を最小限に抑えます。接地する場合、素材は静電気を管理します。

緩衝性、止水性に優れている。導電性の為、輸送・携行時に起こる静電気障害から電子回路部品などの静電気に弱い製品を保護します。

導電性のウレタンスポンジです。CPUやICをスポンジに差して固定しておくことで静電気による破損を防止します。お好きな大きさにカットしてお使いになることも可能。

導電性、黒色スポンジソフトタイプ

「欧州RoHS指令」、「グリーン調達ガイドライン」等の対象化学物質を含まない新しい発泡素材。 吸音性・緩衝性に優れています。

積み重ねて使用可能です。お好みのサイズにカットして使用できます。帯電防止性ウレタンフォームで、精密機器や電子部品の保管に最適です。クッション性に優れ軽量です。

「欧州RoHS指令」、「グリーン調達ガイドライン」等の対象科学物質を含まない新しい新しい発泡素材。 他の発泡素材とは異なり、衝撃を弾くのではなく、包み込むように吸収します。

表面抵抗値が0.06Ω/□と低く、金属並みの優れたシールド性能を発揮します。 筺体等への取り付けは、接着テープにより容易にできます。 表面が滑らかで柔軟性に富んだ導電性繊維のため、接面する相手形状によくフィットします。 OA機器、パソコン、コンピュータ及び周辺機器、無線機器、医療機器、その他電子応用機器等のEMI/ESD対策に適しています。

緩衝性、止水性に優れている。導電性の為、輸送・携行時に起こる静電気障害から電子回路部品などの静電気に弱い製品を保護します。

静電気の発生を最小限に抑えます。接地する場合、素材は静電気を管理します。

静電気にデリケートな基板等の緩衝材に ディスクリート部品の保管や、静電気にデリケートな基板等の緩衝材に最適。 適度な硬さを保つ導電性発泡材を使用。

大切な工具やパーツを、ガタツキや衝撃から守る。

ハードケースやアルミケースの保護性、機密性を高めるウレタンフォーム。フリーカットが可能で、保護性が高く、底敷きにも最適なハードウレタン。ウレタン全体の寸法を決めるときは、バッグ内寸より一回り大きく、機材の収納スペースを決めるときは、収納物よりやや小さめに作っておくのが、ガタつきを防ぎ、保護性を高めるコツです。

緩衝性、止水性に優れている。導電性の為、輸送・携行時に起こる静電気障害から電子回路部品などの静電気に弱い製品を保護します。

緩衝性、止水性に優れている。導電性の為、輸送・携行時に起こる静電気障害から電子回路部品などの静電気に弱い製品を保護します。

導電性、静電防止。

帯電防止プラスチックケースに高密度10mm厚の導電ウレタンフォームを敷いたコンパクトなICケース

発塵の少ないモールドウレタンフォームをクッション材に採用、表面は導電性ビニールレザー張りで、静電気の発生も抑えます。ホコリの付きにくい背付き導電チェアー

発塵の少ないモールドウレタンホームをクッション材に採用、表面は導電性ビニールレザー張りで、静電気の発生も抑えます。 導電性双輪キャスターを採用しています。

導電性。TPE-ESDタイヤ(熱可塑性エラストマー)を使用した導電性(帯電防止)ホイール。欧州規格 EN 1757-3 (プラットフォーム トロリーの安全性) に準拠したホイール ロック付き回転キャスター。

Corstatシリーズのコンポーネントボックスにより、静電気に弱い機器を簡単かつ安全に保管して輸送することができます。Corstat導電性コーティングによりファラデーケージ保護と、静電防止フォームによるESD安全クッション性を実現 幅広いサイズのパックを用意

Corstatシリーズのコンポーネントボックスにより、静電気に弱い機器を簡単かつ安全に保管して輸送することができます。Corstat導電性コーティングによりファラデーケージ保護と、静電防止フォームによるESD安全クッション性を実現 幅広いサイズのパックを用意

プラコンは、プラスチックコンベヤの略称です。クリフォームプラコンは分解・組立が容易で部品交換や掃除も簡単で、変化するモノづくりに柔軟に対応できる時代にマッチしたプラコンです。金属同士が接触しない為、金属粉の発生もなく静音性にも効果があるクリーンなプラコンです。また、環境に配慮したクロムフリー製品で、リユース・リサイクル性にも優れています。シューターを作製することにより、先入れ先出し、部品供給の仕組み作りが簡単にできる搬送ツールです。ものづくりの簡易改善(カイゼン)ツールとして生産現場(製造現場、食品工場)で広く使われています。導電対応製品です。クリフォームプラコンワイドは、従来のクリフォームプラコンと比べ、ホイルの幅が約3倍ありますので今まで流し難い・流れない、ダンプラやダンボールケースなどが流れやすくなります。

プラコンは、プラスチックコンベヤの略称です。クリフォームプラコンは分解・組立が容易で部品交換や掃除も簡単で、変化するモノづくりに柔軟に対応できる時代にマッチしたプラコンです。金属同士が接触しない為、金属粉の発生もなく静音性にも効果があるクリーンなプラコンです。また、環境に配慮したクロムフリー製品で、リユース・リサイクル性にも優れています。シューターを作製することにより、先入れ先出し、部品供給の仕組み作りが簡単にできる搬送ツールです。ものづくりの簡易改善(カイゼン)ツールとして生産現場(製造現場、食品工場)で広く使われています。導電対応製品です。クリフォームプラコンワイドは、従来のクリフォームプラコンと比べ、ホイルの幅が約3倍ありますので今まで流し難い・流れない、ダンプラやダンボールケースなどが流れやすくなります。低床タイプなので、高さ方向の有効寸法を多く取ることができます。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。