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仕様●極性:NPN●Vce[V]:50V●Ic[A]:150mA●Pc[W]:Ta=25℃:400mW●hFE:120~240●パッケージ:TO-92●用途:汎用●極性:NPN アズワン品番68-2108-55
1個
33 税込36
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
259 税込285
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
289 税込318
当日出荷


仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
2,298 税込2,528
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
329 税込362
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
459 税込505
当日出荷

仕様●極性:NPN●Vce[V]:50V●Ic[A]:150mA●Pc[W]:Ta=25℃:400mW●hFE:200~400●パッケージ:TO-92●用途:汎用●極性:NPN アズワン品番68-2108-54
1個
33 税込36
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仕様●トランジスタタイプ: PNP●最大DCコレクタ電流: -800 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: -32 V●パッケージタイプ: SOT-346●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 120●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ROHM 低周波数トランジスタは、定格電圧が -32 V です。主に低周波数パワーアンプで使用されます。2SD1781K を補完します RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,998 税込2,198
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 5.33mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
999 税込1,099
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JIS準拠品です。
スイッチなし 寸法(Φmm)30 シャフト形状溝形 抵抗体炭素皮膜 直径(Φmm)31±1 シャフト長さL(mm)20 抵抗変化特性直線形 種別1軸単連形 耐電圧AC1000V 1分間 最大使用電圧(V)DC500または定格電力のいずれか小さい方 抵抗値(残留)3Ω以下 回転トルク(mN・m[gfcm])5~30[51~306] 回転角度(°)(電気的)280±10(機械的)300±5 抵抗値許容差(%)±10 ストップ強度(mN・min[kgf・cm min])1000[10.2] 絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC1000V) 付属品取付ナット、平ワッシャー、スプリングワッシャー 締付け能力(ナット)1470mN・m max[15kgf・cm max] 接触抵抗(Ω)(変化)3%又は3Ωの大なる方以下 特性(抵抗変化)直線形 半田付け性235℃、5sec 仕様炭素系 形状パネル取り付け形 使用温度範囲(℃)-10~+85 シャフト長さ(mm)20
1個
759 税込835
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
249 税込274
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
959 税込1,055
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
759 税込835
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1個ほか
529 税込582
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