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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,298 税込1,428
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
919 税込1,011
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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2,398 税込2,638
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
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699 税込769
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
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仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 1.5Aパッケージタイプ = TO-220F出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3パワーレーティング = 1W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 50 mVNJM78xx、1.5 A電圧レギュレータ、新日本無線. 新日本無線 の NJM78xx シリーズの正リニア電圧レギュレータは固定電圧レギュレータです。 この3端子NJM78シリーズの電圧レギュレータは、電圧及び電流出力の調整を求めない限り、外部コンポーネントは必要ありません。 内部熱的過負荷保護、電流制限及び安全領域動作補償機能を統合しています。 NJRレギュレータICは、1.5 Aの出力電流を生成し、シングルポイントレギュレーションで発生する問題を解消するオンカードレギュレーションなど、幅広い用途で用いられています。. 出力電流: 1.5 A 固定電圧範囲: 5 → 20 V 内部短絡保護制限 / 内部熱的過負荷保護 良好なリップル除去率 TO252パッケージ バイポーラテクノロジー
1袋(5個)
1,098 税込1,208
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W1チップ当たりのエレメント数 = 1UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
499 税込549
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 800 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧トランジスタ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,798 税込1,978
欠品中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,798 税込3,078
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仕様●LED色 : 赤●パッケージタイプ : 5 mm (T-1 3/4)●実装タイプ : スルーホール実装●LED数 : 1●順方向電圧 : 1.9 V●光度 : 3 cd●ピン数 : 2●ビュー角 : 25°●レンズ形状 : 砲弾型●主波長 : 630 nm●寸法 : 5mm RoHS指令(10物質対応)対応
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619 税込681
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仕様●LED色 : 赤●パッケージタイプ : 3 mm (T-1)●実装タイプ : スルーホール実装●LED数 : 1●順方向電圧 : 2 V●光度 : 16 mcd●ピン数 : 2●ビュー角 : 35°●レンズ形状 : 長方形●主波長 : 630 nm●寸法 : 3.1mm●ロームスルーホールSLR-322シリーズLED RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
599 税込659
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仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SOT-323FL●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●最小DC電流ゲイン: 68●トランジスタ構成: コモンエミッタ●最大エミッタ-ベース間電圧: 50 V●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●標準抵抗比: 4.7kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
1,998 税込2,198
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 280 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
429 税込472
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1個ほか
589 税込648
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仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 34.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 30 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃mm
1セット(50個)
21,980 税込24,178
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