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パワーエースは従来のVベルトの断面形状を変えることにより、伝動力、寿命などを大幅に向上した高動力伝動用Vベルトです。 各種伝動装置のコンパクト化、あらゆる分野の省力化、コスト低減に有効です。 1本当たりの伝道力が高いため、ベルト本数が著しく減少できますので、装置のスペースが従来のVベルトの約1/3に縮小できます。 特殊配合ゴムの使用により、耐油性、耐熱性、難燃性、耐老化性、耐候性など数々の優れた性能を持っています。また、静電防止性能はRMA規格に合格しています。 研究を重ねた材料と製造方法により、寸法安定性に優れています。完全なマッチドセットと相まって、均一な動力伝道を行うことができます。また、保管中の寸法変化もほとんど起こりません。
材質ゴム RoHS指令(10物質対応)対応
1本
999 税込1,099
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コンパクト・高速運転・高動力伝道・長寿命が特長のパワーエースを進化させた省エネVベルトです。 損失トルクを削減して、伝動効率を向上させました。伝動能力を損なうことなく省エネ&CO2削減ができます。 プーリの変更が不要です。ベルトを掛け換えるだけでご使用いただけます。 ベルト曲げ剛性低減と自己発熱の抑制が実現しました。安定した寿命特性はパワーエース以上です。 長寿命です。
仕様ノッチ加工 材質ゴム 電気抵抗(Ω)6M以下 使用限界温度(℃)-30~90
1本
1,998 税込2,198
当日出荷から6日以内出荷
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1本
3,398 税込3,738
当日出荷から6日以内出荷
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定格電圧の50%まで瞬時電圧ドロップが起こっても接点チャタリングレスを実現。 AC100V系のAC100~120V 50/60Hzを1つのコイルで、また、AC200V系のAC200~240V 50/60Hzを1つのコイルでカバーできるワイドレンジコイルを実現。 高容量で特に誘導負荷に強い威力を発揮。 絶縁材料にすべて、UL94V-0に合格した難燃材料を採用。 タブ端子をはじめ、ねじ端子、プリント基板用端子など豊富なバリエーション。 標準品にてUL、CSA、TÜVを取得、IEC950規格認定済み。 接点間隔3mmの安全設計。
1個
1,198 税込1,318
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実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。ショットキーバリア整流ダイオード - MBRシリーズ. HY Electronic (Cayman) LimitedのシリコンMBRシリーズのショットキーダイオードの逆電圧範囲は、100~200 Vです。 このショットキーバリア整流器は、順方向の電流降下が低く、TO220AB、TO220AC、ITO220AB、及びITO220ACパッケージに収められています。 高速スイッチングショットキー整流器は、還流、高周波インバータ、極性保護に使用されます。. トランジェント保護用ガードリング 高電流、高サージ電流耐量 低電力損失 プラスチック材質はUL94V-0認定 極性: デバイスにマーキング 取り付け: 任意の位置 成形プラスチックケース: TO220AB : ; 923-5482 923-5482 、 ; 923-5488 923-5488 、 ; 923-5491 923-5491 、 ; 923-5494 923-5494 ITO220AB : ; 923-5501 923-5501 、 ; 923-5505 923-5505 、 ; 923-5508 923-5508 TO220AC : ; 923-5498 923-5498 ITO220AC : ; 923-5514 923-5514
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
4,150 税込4,565
5日以内出荷

仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-201AD●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 40V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 950mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●直径 : 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 80A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
699 税込769
翌々日出荷

仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-201AD●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 200V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 950mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 35ns●直径 : 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 130A●整流ダイオード、1 A → 3 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(600個)ほか
18,980 税込20,878
7日以内出荷
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実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
729 税込802
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式スイッチング RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)950 ピーク逆繰返し電圧(V)200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(ns)20
1箱(10個)
729 税込802
5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式ファストリカバリー RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)950 ピーク逆繰返し電圧(V)50 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(ns)30
1セット(25個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

1個
2,498 税込2,748
当日出荷
バリエーション一覧へ (3種類の商品があります)




仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
14,980 税込16,478
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 915 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 20 V●パッケージタイプ : SOT-523 (SC-89)●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 1.1V●最低ゲートしきい値電圧 : 0.45V●最大パワー消費 : 300 mW●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : ±6 V●幅 : 0.95mm●高さ : 0.8mm●20 V 915mA 小信号 MOSFET 230 m Ω ●シングル N チャンネル SC-89 ● ESD 保護機能付き低 RDS ( on )により●システム効率が向上します 低しきい値電圧● 1.5 V 定格 ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント 携帯電話● PDA ●デジタルカメラ●ポケットベルなどの携帯機器 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
35,980 税込39,578
7日以内出荷

位相制御サイリスタ、Littelfuse. 熱制御やモータ制御などの位相制御用途向けの優れた単方向スイッチです。 高感度ゲートSCRは、マイクロアンペアの電流で簡単にトリガできます。 標準の位相制御SCRは、数マイクロアンペアの電流でトリガできます(1.5 V未満の電位で)。
仕様定格平均オン電流 = 65Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-218X繰返しピーク逆方向電圧 = 400Vサージ電流レーティング = 950A実装タイプ = スルーホール最大ゲートトリガー電流 = 50mA最大ゲートトリガー電圧 = 2V最大保持電流 = 80mAピン数 = 3寸法 = 16 x 4.78 x 21.21mm繰返しピークオフステート電流 = 0.02mA RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(250個)
239,800 税込263,780
7日以内出荷



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