「400v 200v トランス」の検索結果

作業時間を大幅に短縮。アップねじ式端子台の採用で、ねじやカバーを取り外すことなく丸形・Y形端子の接続ができます。又、ねじの脱落、紛失等の恐れがなく、作業時間を大幅に短縮できます。

絶縁性・電気特性に優れ、小型・軽量化された製品です。

全世界の標準供給電圧に1台で対応可能。入力側に±10V、±20V端子を設けることにより、1台のトランスで6種類の入力電圧に対応でき、又、Mシリーズ3機種で従来の15機種余りをカバーすることができるため、流通在庫を5分の1に圧縮できます。作業時間を大幅に短縮。アップねじ式端子台の採用で、ねじやカバーを取り外すことなく丸形・Y形端子の接続ができます。又、ねじの脱落、紛失等の恐れがなく、作業時間を大幅に短縮できます。

絶縁性・電気特性に優れ、小型・軽量化された製品です。

3YSB・N3YSBシリーズの後継機種として誕生。旧品より12Kg軽くなります。

作業時間を大幅に短縮。アップねじ式端子台の採用で、ねじやカバーを取り外すことなく丸形・Y形端子の接続ができます。又、ねじの脱落、紛失等の恐れがなく、作業時間を大幅に短縮できます。

電源電圧 220V、230V～240V にて100Vの機器を使用される場合に便利です。

協約型2Pサイズ、負荷のコントロールもきめ細かく行えます。

青色LEDで通電表示

トランスを固定する為の枠部カバーです。

110V130Vまたは220V240Vの電圧を100Vに変圧します。

結線作業をより速く簡単に、差し込むだけで結線ができるプッシュイン式端子台を備えたトランス 単線・棒端子は差し込むだけ、IV線はマイナスドライバーで、バネを押しながら差し込めば結線ができます。 青色LEDで通電表示

220V240Vの電圧を100Vに変圧します。

トランスを固定する際に使用する部品です。

トランスを固定する際に使用するビスです。

絶縁性・電気特性に優れ、小型・軽量化された製品です。

トランスを固定する際に使用するビスです。

通電表示と、入力側に±20V端子を設けることにより、1台のトランスで6種類の入力電圧に対応。 青色LEDで通電表示

処理空気量 MAX40%増(メーカー比) 消費電力 MAX40%減(メーカー比) ステンレス製熱交換器採用により耐食性向上

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 42 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ. Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。. 特長. 高入力インピーダンス 低入力静電容量 高速なスイッチング速度 低オン抵抗 二次降伏なし 低い入力及び出力漏れ. 代表的用途. 常時オンスイッチ ソリッドステートリレー コンバータ リニアアンプ 定電流源 電源回路 電気通信

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 66 nC @ 10 V。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor