「40a 50a」の検索結果

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 400V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 400V。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

RS Pro AC 電流トランスデューサ - 自己給電RS Pro では、 AC 電流トランスデューサのシリーズをご紹介します。AC 正弦波波形を電子的に測定するための自己給電式トランスデューサで、一次回路(高出力)と二次回路(電子回路)間がガルバニック絶縁されています。AC 電流トランスデューサは一般的に、自動制御システムの用途に使用されています。リモート監視用の電流測定値に類似しています。電流トランスデューサとは何ですか.電流トランスデューサは、電流を標準の電気信号に変換する装置です。繊細な部品、変換回路、変換部品、電源回路の 4 つの部品で構成されています。電流トランスと電流トランスデューサの違いは何ですか.電流トランスは電力伝送ユニットで、電流トランスデューサは信号伝送ユニットです。特長と利点. AC 正弦波波形の電子計測用トランスデューサ.データロガー：セルフパワー型トランスデューサでは、データロガーバッテリは消費されません.パネルメーター：シンプルな接続で消費電力が表示されます.平均応答.電圧出力.ジャンパで選択可能な範囲. コンパクトサイズ.出力信号： 10@IPN VDC.供給電圧：セルフパワー.周波数帯域幅： 5 ～ 60 Hz. UL94-V0 に適合した絶縁プラスチックケース仕様.動作温度 :-20 ° C ～ +65 ° C.保管温度 :-20 ° C ～ +65 ° C.動作時湿度 < :85% RH 、結露なし、インハウスおよび設置可能な任意の方向.保管湿度(結露しないこと) <： 85% RH.重量： 45 gRS Pro AC 電流トランスデューサ製品のオプション. 5A 、 AC 電流トランスデューサ、 RS 品番 (： 210-0645) ： 210-0645. 15 A 、 AC 電流トランスデューサ、 RS 品番( ： 210-0640) ： 210-0640. 50A 、 AC 電流トランスデューサ、 RS 品番 (： 210-0643) ： 210-0643用途.パネルメータ. オートメーションシステム.アナログ電流読み取り - リモート監視.消費電力電流トランスデューサに RS Pro を選択する理由は何ですか.RS Pro は、コストパフォーマンスに優れ、高品質の製品を自社ブランドで提供しています。メーカーの幅広い製品は、高い業界標準に適合するように設計されており、信頼性と堅牢性を保証するソリューションです。

BF1 ヒューズホルダについては、品番 548-9183 をご注文ください。 ；. BF1 ヒューズリンク - M5 シリーズ. リテルヒューズ BF1 シリーズは、定格が32V の高電流配線保護用の堅牢なミニチュアボルトオンヒューズです。定格電流 23A - 200A、溶断ヒューズを容易に検知できる透明ハウジング付き。. 高電流のために低抵抗のM5ボルトで固定して接続 色分け ヒューズ素子を確認可能. ヒューズホルダ. インライン又はシャーシ取り付け 透明な保護カバー 単独または複数をインターロック内で使用できます

Eaton IEC 円筒形ヒューズ. Eaton カートリッジヒューズは、回路ブレーカからプラグ、ソケットまで、家庭用電気用途に使用されています。このセラミックヒューズには、オプションで目視インジケータを付けることもできます。 材質は何ですか? すべてのシリーズの円筒形ヒューズリンクには、セラミックボディと銀メッキの銅製エンドキャップが付いています。 セラミックカートリッジヒューズを選ぶ理由は? ガラス管ヒューズとセラミックヒューズは、類似した特性を持っています。セラミックカートリッジのヒューズ容量は他のヒューズよりも大きいため、定格電流の高い回路でセラミックヒューズを使用します。この製品は、過熱を防止するのに最適です。 サイズはどのくらいですか? gL-gG aMクラスには、 x 32 mm 10 38 mm 14 51 mm 22 58 mm のサイズが用意されています。これらの製品は、マイクロスイッチ操作とリモート表示用にストライカーを内蔵しています。gL-gG aM クラスのヒューズリンクは、産業用途向けに使用されています。すべての産業用ヒューズリンクは、目視可能なヒューズインジケータを備えています。 電圧はどのくらいですか? この円筒形カートリッジヒューズは、定格電圧がAC400V、500V、690Vの用途向けに、様々な大きさ電流定格を取り揃えています。 遮断容量とは何ですか。 遮断容量は、ヒューズが爆発や破損せず安全に扱える電流のレベルのことです。ヒューズの遮断容量は、電子回路の故障電流よりも大きくする必要があります。 ヒューズの用途 過電流による大きな損害から回路と機器を保護します。 問題が発生したときはサブシステムをメインシステムから隔離します。 過電流とは何ですか? 回路に通常の動作電流よりも大きな電流が発生する状況です。

Designed for use in large-scale air conditioning units

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 970mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 48.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 970mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

ピーク平均順方向電流 40A。ピーク逆繰返し電圧 800V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ PB。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 400A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 500μA。寸法 30.3 5.1 20.3mm。高さ 20.3mm。SIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+T SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.11V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. Vishay VS-26MB シリーズブリッジ整流器. 超コンパクトな密閉型単相製品です ブリッジ整流器で効率的かつ信頼性の高い動作を実現 これらは、一般的な目的や用途で使用することを目的としています 計装用途. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース センター穴固定 優れたパワー / ボリューム比 UL E300359 認定 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーではんだ付け可能 はんだ、はんだ合金 Sn / Ag / Cu ( SAC305 )、はんだ 温度： 260 → 275 ° C 工業レベルの設計と認定を受けている

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-203AB。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.95V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 200ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。高速回復整流器(20 A超)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。

ディスク直径よりも大幅に小さな基盤を採用することで、研磨布の反り・遊びが自由自在になりました。曲面や異形面に研磨布がピッタリと当ります。丸研磨布間のすき間に空冷放熱作用が働くため、ヤケや目づまりがほとんどありません。金属のサビ取り、不規則面の研削研磨に適しています。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

AC出力デバイスはEN62314標準でTUV適合 低電圧及びEMC指令、RoHS指令及び中国RoHS指令で、CE適合。パネル取り付け式NOVA22で使用するサーマルパッドについては、RS品番9107343を参照。パネル取り付け式NOVA22 PM22シリーズソリッドステートリレー。NOVA22は、最大90 Aの高い電力密度と他社同等品より多くの接続オプションを提供する、パネル取り付け式及びDINレール取り付け式のソリッドステートリレーです。DR22シリーズはDinレール品で、パネル取り付け品はPM22シリーズです。NOVA22リレーは市場で唯一、-40 → +80 ℃の広い温度範囲と1290 A x 20 msecの高いサージ電流保護を実現しています。高I2tモデルでは、ソリッドステートリレーをヒューズではなく回路遮断器と組み合わせて使用して、IEC60947-4-1タイプ2の短絡保護協調を実現できます。NOVA22の接触器構成モデルは、制御入力用のプラグインコネクタを備えており、ねじ又はばね端子品があります。DR22シリーズにはAC出力電圧18 → 600 V ac又はDC出力電圧1 → 200 V dc品があります。NOVA22 DR22ソリッドステートリレーは、市場で唯一の35 A @ 40 ℃の22.5 mm DINレール取り付け式リレー製品です。リレー又は接触器構成 エレベータねじでリング端子と簡単に接続 過電圧保護 ゼロ電圧又は瞬時ターンオン出力 最大I2t値: 8320 A2S 一体型ヒートシンク IP20の堅固な安全ハウジング BDC材が優れた熱的性能を実現 LEDインジケータ PM22シリーズパネル取り付け式

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMP。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerDI 123。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

OM3光ケーブル：最大通信速度40Gbpsに対応するMTP/MPOマルチモード光ファイバーケーブル。通信速度が異なるネットワーク機器に対応。サーバー、スイッチ、ストレージエリアネットワーク(SAN)など高密度接続に最適な12芯オプティカル パッチコード 高品質構造：火災時の煙や有毒ガスの発生が少ないOFNPプレナム定格の被覆材を採用。電磁干渉(EMI)を受けにくい50/125μm(コア/クラッド径)ファイバーを採用。MTPプッシュプルタブ、フレキシブルエクステンションにより、取り付け、取り外しが簡単 定格と信頼性：個別の信号品質評価テスト済。各ケーブルにテストレポート付属。プレナム空間や壁内配線に適した難燃レーティングに対応。PC研磨により挿入損失0.5dB未満の12芯ファイバー MTP/MPOコネクターを使用 互換性：OM3マルチモード、MTPコネクター、40Gbps対応。SAN、データサーバー、QSFP+トランシーバーなどの高密度ネットワーク機器を接続

OM3光ケーブル：最大通信速度40Gbpsに対応するMTP/MPOマルチモード光ファイバーケーブル。通信速度が異なるネットワーク機器に対応。サーバー、スイッチ、ストレージエリアネットワーク(SAN)など高密度接続に最適な12芯オプティカル パッチコード 高品質構造：火災時の煙や有毒ガスの発生が少ないOFNPプレナム定格の被覆材を採用。電磁干渉(EMI)を受けにくい50/125μm(コア/クラッド径)ファイバーを採用。MTPプッシュプルタブ、フレキシブルエクステンションにより、取り付け、取り外しが簡単 定格と信頼性：個別の信号品質評価テスト済。各ケーブルにテストレポート付属。プレナム空間や壁内配線に適した難燃レーティングに対応。PC研磨により挿入損失0.5dB未満の12芯ファイバー MTP/MPOコネクターを使用 互換性：OM3マルチモード、MTPコネクター、40Gbps対応。SAN、データサーバー、QSFP+トランシーバーなどの高密度ネットワーク機器を接続

OM3光ケーブル：最大通信速度40Gbpsに対応するMTP/MPOマルチモード光ファイバーケーブル。通信速度が異なるネットワーク機器に対応。サーバー、スイッチ、ストレージエリアネットワーク(SAN)など高密度接続に最適な12芯オプティカル パッチコード 高品質構造：火災時の煙や有毒ガスの発生が少ないOFNPプレナム定格の被覆材を採用。電磁干渉(EMI)を受けにくい50/125μm(コア/クラッド径)ファイバーを採用。MTPプッシュプルタブ、フレキシブルエクステンションにより、取り付け、取り外しが簡単 定格と信頼性：個別の信号品質評価テスト済。各ケーブルにテストレポート付属。プレナム空間や壁内配線に適した難燃レーティングに対応。PC研磨により挿入損失0.5dB未満の12芯ファイバー MTP/MPOコネクターを使用 互換性：OM3マルチモード、MTPコネクター、40Gbps対応。SAN、データサーバー、QSFP+トランシーバーなどの高密度ネットワーク機器を接続

充電器は、これ1つ：USB Power Delivery (USB PD) 対応の65W出力を備え、スマートフォンからノートPCまで幅広い機器に急速充電ができます。 利用機器毎に異なる充電器を持ち運ぶ必要はありません。 3台同時充電：USB PD対応の2つのUSB-Cポート使用時は最大45W&20Wの出力による急速充電が可能。 2つのUSB-CポートとUSB-Aポート使用時は最大40W&12W&12Wの出力で、幅広い機器を3台同時に充電できます。 超コンパクト設計：一般的な60W出力以上の充電器に比べ、約55%小さなコンパクトサイズを実現。 折りたたみ式プラグを採用し、どこにでも気軽に持ち運ぶことができます。 独自技術「Anker GaN II」採用：約2年の研究開発を経てGaN (窒化ガリウム) 搭載USB充電器が第二世代に進化。 電源ICと回路設計に革新を起こしGaNの持つ素材の力をさらに引き出したAnkerの独自技術です。 スイッチング周波数をメーカー比で約2倍に高めて電子部品を省サイズ化するとともに、高周波化の弊害として発生する熱およびEMI (ノイズ) を、内部基板部品の立体配置と回路構造の最適化 (PCBA 3D スタッキング) で抑えました。 結果として、厳しい安全基準を満たしながらさらなる小型化に成功しました。 幅広い対応機種：Anker独自技術の PowerIQ 3.0 (Gen2) を搭載。USB Power Deliveryとの互換性をさらに高めながら、Qualcomm Quick Chargeなどの充電規格にも対応しています。 iPhoneやiPad、MacBook、Apple WatchなどのApple製品を含む、幅広い機器へフルスピード充電できます。 国際的な安全規格にも準拠：国際的な安全規格であるIEC 62368-1の基準に準拠しています。 過電圧保護や電子回路のショート防止、温度管理など、Anker独自の多重保護システムにより、長く安全にお使いいただけます。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerDI 123。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 650mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ PowerDI 123。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 515mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。DiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = POWERMITE。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。