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断面構造を独特の幅狭形状にすることにより、プーリへのグリップ力が大きくなるように設計されています。 拡張力も高く、柔軟で変形の少ない、高伝動能力をもったV形ベルトです。
用途大型ポンプ・コンプレッサ・鍛圧プレス・鋳造機・製紙機械・クラッシャ・ハンマーミル発電機・帯鋸盤・大型工作機械・振動ローラ・グラインダ・冷凍庫 材質(ベルト)ゴム 種類ウエッジベルト 最大速度(m/sec)40 角度(°)40
1本
特価
1,098 税込1,208
当日出荷から56日以内出荷
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パワーエースは従来のVベルトの断面形状を変えることにより、伝動力、寿命などを大幅に向上した高動力伝動用Vベルトです。 各種伝動装置のコンパクト化、あらゆる分野の省力化、コスト低減に有効です。 1本当たりの伝道力が高いため、ベルト本数が著しく減少できますので、装置のスペースが従来のVベルトの約1/3に縮小できます。 特殊配合ゴムの使用により、耐油性、耐熱性、難燃性、耐老化性、耐候性など数々の優れた性能を持っています。また、静電防止性能はRMA規格に合格しています。 研究を重ねた材料と製造方法により、寸法安定性に優れています。完全なマッチドセットと相まって、均一な動力伝道を行うことができます。また、保管中の寸法変化もほとんど起こりません。
材質ゴム RoHS指令(10物質対応)対応
1本
999 税込1,099
当日出荷から3日以内出荷
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コンパクト・高速運転・高動力伝道・長寿命が特長のパワーエースを進化させた省エネVベルトです。 損失トルクを削減して、伝動効率を向上させました。伝動能力を損なうことなく省エネ&CO2削減ができます。 プーリの変更が不要です。ベルトを掛け換えるだけでご使用いただけます。 ベルト曲げ剛性低減と自己発熱の抑制が実現しました。安定した寿命特性はパワーエース以上です。 長寿命です。
仕様ノッチ加工 材質ゴム 電気抵抗(Ω)6M以下 使用限界温度(℃)-30~90
1本
1,998 税込2,198
当日出荷から6日以内出荷
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一般ベルトに比べて上幅が狭く、高さが高い特殊な断面形をしています。 原材料、製造方法によりベルト走行時に抗張体に均一な応力を与え、伝動効率を高めるベルトです。
種別8V 関連資料(0.77MB)
1本
10,980 税込12,078
3日以内出荷
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・マックスターマルチウェッジベルトは、マックスターウェッジベルトの上部をタイバンドで結合したものです。ベルトの断面形状はマックスターウェッジベルトと同様です。・原動機あるいは被動機側の負荷変動が周期的におきるような場合でも、ベルト長さが均一なので、安定した運転ができます。・ベルトが横転したりプーリーからはずれることがありません。・タイバンドでつながっているので、長い軸間距離が必要な場合でも振動が少なく安定した運転ができます。・垂直運転にも最適。
形状8V RoHS指令(10物質対応)対応
1本
104,804 税込115,284
29日以内出荷
バリエーション一覧へ (6種類の商品があります)

マックスターマルチウエッジベルトは、マックスターウエッジベルトの上部をタイバンドで結合したものです。ベルトの断面形状はマックスターウエッジベルトと同様です。 原動機あるいは被動機側の負荷変動が周期的におきるような場合でも、ベルト長さが均一なので、安定した運転ができます。 ベルトが横転したりプーリーからはずれることがありません。 タイバンドでつながっているので、長い軸間距離が必要な場合でも振動が少なく安定した運転ができます。 垂直運転にも最適。
種類ウエッジベルト 角度(°)40 材質(ベルト)ゴム 最大速度(m/sec)40 ベルト形8V
1本
35,980 税込39,578
6日以内出荷
バリエーション一覧へ (120種類の商品があります)

三ツ星ベルトe-POWER ウェッジベルト 8V形
エコ商品
・消費電力を削減できます。・ノッチ形状になっており、屈曲性にすぐれております。そのため、標準ウェッジベルトと比べて曲げによる 動力損失が少なく省エネ効果があります。・従来のプーリが使用できます。・専用プーリが不要で、ベルトの交換のみで消費電力を低減できます。
形状8V RoHS指令(10物質対応)対応
1個
33,980 税込37,378
6日以内出荷から30日以内出荷
バリエーション一覧へ (5種類の商品があります)

三ツ星ベルトe-POWER ウェッジベルト 8V形
エコ商品
・消費電力を削減できます。・ノッチ形状になっており、屈曲性にすぐれております。そのため、標準ウェッジベルトと比べて曲げによる 動力損失が少なく省エネ効果があります。・従来のプーリが使用できます。・専用プーリが不要で、ベルトの交換のみで消費電力を低減できます。
RoHS指令(10物質対応)対応 ベルト形8V
1本
30,324 税込33,356
5日以内出荷から29日以内出荷
バリエーション一覧へ (5種類の商品があります)

・マックスターマルチウェッジベルトは、マックスターウェッジベルトの上部をタイバンドで結合したものです。ベルトの断面形状はマックスターウェッジベルトと同様です。・原動機あるいは被動機側の負荷変動が周期的におきるような場合でも、ベルト長さが均一なので、安定した運転ができます。・ベルトが横転したりプーリーからはずれることがありません。・タイバンドでつながっているので、長い軸間距離が必要な場合でも振動が少なく安定した運転ができます。・垂直運転にも最適。
形状8V RoHS指令(10物質対応)対応
1個
119,800 税込131,780
30日以内出荷
バリエーション一覧へ (6種類の商品があります)

仕様●入数:1リール(2500個入り)●動作電流:8A●定格電圧:6V●保持電流:3.8A●電流 Max:50 A●コード番号:225-8257 アズワン品番65-8073-83
1セット(2500個)
179,800 税込197,780
7日以内出荷

仕様●入数:1リール(2500個入り)●動作電流:8A●定格電圧:6V●保持電流:4A●電流 Max:50 A●コード番号:225-8259 アズワン品番65-8074-36
1セット(2500個)
179,800 税込197,780
7日以内出荷

多種類の原材料を、長年の蓄積した情報と品質工学などを使い、適切な割合で配合し、車種・用途・市場状況などの要求に合わせ、効き・寿命・鳴き・振動・相手材の攻撃性等の性能を追求した摩擦材の開発を行っています。また、摩擦材に使用する原材料は、ELV、REACHなどの環境規制に対応した、環境負荷の少ないものを選定しています。
1セット(4枚)ほか
特価
2,490 税込2,739
当日出荷から61日以内出荷
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Murata の最新 Advanced 技術を使用して、小型で大容量の価値を評価積層構造で、大容量かつ小型 外部電極にスズ( Sn )めっきが施されています 優れたはんだ付け性 高信頼性、極性なし 用途 定格電圧: 100 V (最大 高誘電率タイプ・・・・デカップリング・平滑化回路用 温度補償タイプ・・・チューニング回路、発振回路、高周波フィルタ回路用 定格電圧
仕様●入数:1リール(2500個入り)●静電容量:8pF●電圧:25V dc●パッケージ/ケース:0201 (0603M)●実装タイプ:表面実装●温度特性:C0G●許容差:±0.25pF●寸法:0.6 x 0.3 x 0.3mm●長さ:0.6mm●奥行き:0.3mm●高さ:0.3mm●シリーズ:GRM●動作温度 Min:-55℃ アズワン品番65-7139-08
1セット(2500個)
1,998 税込2,198
欠品中

仕様●入数:1リール(2500個入り)●静電容量:8pF●電圧:25V dc●パッケージ/ケース:0201 (0603M)●実装タイプ:表面実装●温度特性:C0G●許容差:±0.5pF●寸法:0.6 x 0.3 x 0.3mm●長さ:0.6mm●奥行き:0.3mm●高さ:0.3mm●シリーズ:GRM●末端仕様:はんだ アズワン品番65-7137-79
1セット(2500個)
1,298 税込1,428
欠品中


仕様●入数:1リール(2500個入り)●出力電流:1.5A●入力電圧:8 → 80 V●AC/DC入力電圧:dc●減光操作:1-10 V、PWM●パッケージタイプ:PG-DSO-8●ピン数:8 アズワン品番65-7243-78
1セット(2500個)
429,800 税込472,780
7日以内出荷

ジェイテクトエレクトロニクス(旧:光洋電子工業)ロータリエンコーダTRD-N
外径Φ50mm/奥行き35mmの薄形設計。 使用環境に応じて選べる保護構造。 耐塵・防噴流形(IP65)はアルミダイカストケース。 幅広い分解能(1~2500P/R)。 堅牢なΦ8mmステンレスシャフトを採用。 DC4.75~30Vと広い電源電圧範囲。 原点調整に便利なサーボマウント取付が可能。
仕様ケーブル後出し 質量(g)約150 種類ロータリエンコーダ 最高回転数(min-1[r.p.m])許容:5000 奥行(mm)49 シャフト径(Φmm)8 保護構造IP50(防塵形) 耐電圧コンデンサアースのため(信号線とケース間) コード長さ(m)0.5(標準) 外径(Φmm)50 出力電圧(V)H:((電源電圧)-2.5)以上、L:0.4以下 出力形態トーテムポール出力 分類シリーズ:シャフト形 信号形式二相原点付出力形(原点正動作) 電源電圧(V)DC4.75~30 負荷電圧(V)DC35以下(電源) 消費電流(mA)60以下(無負荷時) 出力電流(mA)ソースH:最大10、シンクL:最大30 絶縁抵抗(MΩ)50以上(信号線とケース間) 使用周囲温度(℃)-10~70 デューティー比50±25% 慣性モーメント(kg・m2)軸:2×10-6 ケーブルシールド耐油塩ビ 許容リップル3%rms以下 原点信号機(幅)100±50% シャフト長さ(mm)15 保存温度範囲(℃)-25~85 公称断面積(mm2)芯線:0.3(5芯) ケーブル外径(Φmm)6 耐衝撃(m/s2)~500P/R(メタルスリット)981 11ms 3軸方向各3、回600P/R~(ガラススリット)490 11ms 3軸方向各3回 起動トルク(N・m)0.003以下(+20℃) 許容スラスト荷重(N)軸:30 許容ラジアル荷重(N)軸:50 エンコーダ種類インクリメンタル形 認定取得CE 使用周囲湿度(%RH)35~85(結露なきこと) 耐振動(耐久)(Hz)変位片振幅0.75mm、10~55 3軸方向各1h
1個
21,980 税込24,178
当日出荷から16日以内出荷
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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 13.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

ジェイテクトエレクトロニクス(旧:光洋電子工業)ロータリーエンコーダ
外径Φ50mm/奥行き35mmの薄形設計。 使用環境に応じて選べる保護構造。耐塵・防噴流形(IP65)はアルミダイカストケース。 幅広い分解能(1~2500P/R)。 堅牢なΦ8mmステンレスシャフトを採用。 DC4.75~30Vと広い電源電圧範囲。 原点調整に便利なサーボマウント取付が可能。
奥行(mm)49 外径(Φmm)50 信号形式一相出力形 保護等級IP50
1個
15,980 税込17,578
当日出荷から4日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

ジェイテクトエレクトロニクス(旧:光洋電子工業)ロータリーエンコーダ TRD-NHシリーズ
外径Φ50mm/奥行き49.5mmの薄形設計。 。使用環境に応じて選べる保護構造。耐塵・防噴流形(IP65)はアルミダイカストケース。 。幅広い分解能(1~2500P/R)。 。堅牢なΦ8mmステンレスシャフトを採用。 。DC4.75~30Vと広い電源電圧範囲。 。原点調整に便利なサーボマウント取付が可能。
種別インクリメンタル型 タイプ中空軸 シャフト径(Φmm)相手軸径 8 外径(Φmm)50 許容回転数(min-1[r.p.m])最高:5000 接続形式ケーブル横出し(0.5m) 使用周囲温度(℃)-10~+70 許容軸荷重(N)ラジアル方向:50/スラスト方向:30
1個
14,980 税込16,478
3日以内出荷から15日以内出荷
バリエーション一覧へ (182種類の商品があります)

1個
88 税込97
当日出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
979 税込1,077
5日以内出荷

最大流量 = 2500ml/min。供給電圧 = 6 → 28 V。入力接続 = 1/8 BSP。最大使用圧力 = 6バール。ボディ材質 = アルミニウム。カップリングタイプ = 直接駆動、 シールレス。入力パワー = 30 → 100W。最高液体温度 = 80℃。入力接続サイズ = 8mm。出力接続サイズ = 8mm。ポンプタイプ = マイクロ外部ギアポンプ。。RS PRO V13
1個
79,980 税込87,978
7日以内出荷

エコモード搭載で長時間運転時も安心。デジタル制御の新世代真空ポンプ!!。セット内容…本体+ケース(TA150GS)。ローター方式…ツーステージ。ドライブ方式…ダイレクト式排気量227L/min(8.0CFM)。到達真空度…2.0Pa(15ミクロン)。モーター回転数…2500r.p.m(エコ運転時1500r.p.m)。電源、モーター…100V(50Hz/60Hz)、550W。オイル封入量…約500mL。吸入ポート…1/4″、5/16″、3/8″(3ポート)。サイズ/質量…305(H)×350(D)×135(W)mm/11.5kg。付属品…専用オイル500mL
1個
119,800 税込131,780
翌々日出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 5 Vmm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
789 税込868
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +30 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
939 税込1,033
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 34 nC @ 10 Vmm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
929 税込1,022
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
679 税込747
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
749 税込824
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
839 税込923
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
619 税込681
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
849 税込934
5日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
749 税込824
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,898 税込3,188
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
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1,998 税込2,198
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