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メートル並目ねじ用

雄ねじ加工に便利です。 調整ねじによるサイズ調整が可能です。

高品質なおねじ加工が簡単に! ダイスの振れ精度を向上させたソリッドダイス誕生。 高速度工具鋼(HSS)を採用し、安定した加工を実現しました。

調整ねじ付なので寸法調整ができます。ねじ山を修正する時にも使用できます。丸ダイス25径用です。

ボルトやねじをさらえる(きれいにする)時に使用します。モンキーレンチにて作業ができます。ねじ山を修正する際の丸ダイスにかわる商品です。

ダイスハンドルに取り付け、おねじ立てができます。JIS規格に基づく高精度なねじ山形成が可能。(M3×6、M4×0.75、M5×0.9はISO(JISはISOに準じている)にはありません。)

塑性加工によるねじ加工により、切りくずが発生せず、仕上がり肌のきれいな高精度のおねじが加工できる転造ダイスです。

ダイスの振れ精度を向上させたソリッドダイスです。高速度工具鋼(HSS)を採用し、安定した加工を実現しました。

一般被削材用ダイスです。

塑性加工によるねじ加工により、切りくずが発生せず、仕上がり肌のきれいな高精度のおねじが加工できる転造ダイスです。

自動盤用オートHSSダイス(ステンレス用)です。

ねじ山を修正する時に使用します。 モンキーレンチにて作業ができます。 ねじ山を修正する際の丸ダイスにかわる商品です。

丸ダイス用一文字タイプハンドルです。

タップ&ダイスシリーズはプロの技術者向けに開発された高品質製品長寿命で素早いネジ切り作業を実現しています。

ねじ切り加工、ネジ山修正に最適な、使用頻度の高いサイズのタップ・ダイスセットです。 タップハンドル、ダイスハンドルも付属していので、このセットだけでねじ切り加工、ネジ山修正が可能です。

なめて潰れてしまった、ねじ山を修正するダイスです。六角形状になるので、ダイスホルダーがなくても、レンチなどで回すことができます。

M型ダイスと丸形ダイスの2種類のダイスを搭載。芯線バレルと被覆線バレルを個別に圧着するため、170種以上の端子を高精度に圧着できます。圧着時の視認性が高く、圧着不良を防止します。手のひらサイズのコンパクト設計。ボルトカッターを搭載し、小ネジの長さを調節できます。グリップは耐油性に優れ、環境に優しいエラストマー。手によくフィットするデザイングリップ。

ダイスの振れ精度を向上させた左ねじ加工用のソリッドダイスです。

31.5インチのIPSパネルを搭載、WQHD(2560x1440)解像度に対応した液晶モニターです。フルHD(1920x1080)より+78%も高精細でデスクワーク使用時には画面を広く、また写真や動画視聴の際はさらに美しく表示します。あらゆる角度から見ても色やコントラストの変化がおきにくいIPSパネルを搭載し、広視野角上下左右178°を実現します。最大輝度350cd/m2の液晶パネルはsRGB100%の広色域に対応し、動画や写真の編集に最適です。HDR(ハイダイナミックレンジ)に対応。インターフェイスはHDMI 2.0端子(75Hz)を2つとDisplayPort 1.4端子(75Hz)を2つ装備し様々なタイプの機器との接続が可能です。なお、スピーカーは内蔵しておりません。長時間使用時に眼に優しいフリッカーフリー(ちらつき軽減)、ブルーライト軽減モードを搭載します。高さ調整が可能な、昇降式スタンドを採用。110mmの範囲でお好みの高さにモニターの高さを調整出来ます。さらにピボット機能を搭載で90度回転させて縦での使用も可能です。100x100mmのVESAマウントに対応しますので、別売りのモニターアームなどに使用が可能です。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 2.6 A、3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ， 530 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。