「PFP」の検索結果

HPフィラメントは汎用のFDM方式3Dプリンターで使用できる、メーカー独自配合により作成された軟質フィラメントです。軟質でありながらフィラメント化の時点では、硬質フィラメントに近く剛性が高く芯があり、縦方向には伸びないため、FDM方式の3Dプリンターのフィラメントとしては、最適です。これによりHPフィラメントを用いれば、柔軟性と精度の高い成型物の安定した造形が、機種に依存することなく、現在市場にあるFDM機構を用いた一般的な3Dプリンターで可能となります。造形の際は、特殊フィラメントスタンド(RSJP3D-01 フィラメントスタンド)を推奨致します。

綴具が両開きなので古い書類の差し替えに便利です通常は左から開いて使用します。古い書類を扱うときは右から開くことができます。綴具は分別廃棄できます。平らな机の上で表紙が動かないように固定し、とじ具側面を金づちでたたき、とじ具をずらしてください。古い書類の差し替えに便利な両開き式金具を採用。本体から金具を取り外して分別廃棄することができるエコロジー設計です。

耐熱性、耐薬品性、難燃性、コスト性に優れたPPS樹脂を、MEX(熱溶解積層)方式3Dプリンター用に製作したフィラメントです。 耐熱性においては、200℃での連続使用に耐え、広い温度領域において高い剛性と強度を保持します。 耐薬品性においては、更に高スペックなPEEK樹脂やPEI樹脂よりも優れた特性を持ち、200℃以下でPPSを溶かす溶剤は強酸以外はほぼ無いに等しい特性を示します(ご使用環境にもよります)。 また、他スーパーエンプラに比べコスト性に優れ、200℃以下でのご使用においてはPPSの方が低コストでご使用する事が可能です。 また、耐熱性に優れた特殊ボビンを使用している為、フィラメントをボビンに巻いたまま高温で乾燥する事が可能です。

物理的、化学的性質に優れたPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂で製作されたMEX(熱溶解積層)方式3Dプリンターフィラメントです。また、耐熱に優れた特殊ボビンを使用している為、フィラメントをボビンに巻いたまま乾燥する事が出来ます。他グレードでは、DAISEL-EVONIK VESTAKEEP L4000G仕様のPEEKフィラメント、PFLUON 8100G仕様のPEEKフィラメントも御座います。

物理的、化学的性質に優れたPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂で製作されたMEX(熱溶解積層)方式3Dプリンターフィラメントです。また、耐熱に優れた特殊ボビンを使用している為、フィラメントをボビンに巻いたまま乾燥する事が出来ます。他グレードでは、PFLUON 8100G仕様のPEEKフィラメント、VICTREX 450G仕様のPEEKフィラメントも御座います。

物理的、化学的性質に優れたPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂で製作されたMEX(熱溶解積層)方式3Dプリンターフィラメントです。また、耐熱に優れた特殊ボビンを使用している為、フィラメントをボビンに巻いたまま乾燥する事が出来ます。他グレードでは、DAISEL-EVONIK VESTAKEEP L4000G仕様のPEEKフィラメント、VICTREX 450G仕様のPEEKフィラメントも御座います。

超高耐久軸受を搭載した、大風量・高静圧タイプのケース用120mm角ファンです。大風量・高静圧仕様で、より内部パーツに風を当て、冷やします。日本製のNSK 693Aベアリングを搭載しています。ドローン、医療機器などの精密機器に幅広く使われるベアリングです。純銅製のベアリングフレームとデュアルボールベアリングで、20万時間以上の耐久性を実現してます。(メーカーによる計測と計算値であり、保証期間ではありません。)。ファンブレードは液晶ポリマー (LCP) 製で、高い寸法精度と優れた難燃性を備えています。高回転・高温環境でも変形しにくく、安定した風量と風圧を維持します。回転数は600rpmから3000rpmと調整幅が広いので、静音から高速冷却まで対応します。BIOSやファンアプリの設定によって、完全停止ができます。リブなしフレームで、さまざまな固定方法に対応します。CPUクーラーの交換用ファンにおすすめです。一般的なテーパーネジのほかに長ネジとナットが付属します。ケースの外部に固定したり、ファンを傷付けずに固定できたりします。防振パッドがファンの振動音を低減します。付属のシリコーンシーリングガスケットを使うと、振動音の低減と冷却効率の向上が期待できます。ガスケットがファンと取付面の密着性を高め、振動を抑えます。さらに、すきまから空気が漏れるのを防ぎ、冷却効率が高まります。

・ニトリルゴム製、使い切りディスポ手袋です。 ・左右兼用タイプ ・食品衛生法370号適合 ・手荒れの原因の一つ、加硫促進剤を使用していません。 ・濡れた手でも装着しやすい、特殊表面加工済み。

PLA(ポリ乳酸)のフィラメントに特殊エラストマーを配合し、耐衝撃性を向上させたMEX方式の3Dプリンター用フィラメントです。一般的にPLAは硬質樹脂のため衝撃に弱く、ある程度の衝撃を加えると割れてしまうのが通例です。そのPLAに特殊エラストマーを独自配合し、以前の高強度タイプよりも更に強度をアップした高強度フィラメントを開発しました。強度に関しては前回は一般的なPLAに比べて約1.3倍程度の強度アップでしたが、リニューアルした新開発品は約2倍程度の強度アップに成功しました。造形条件は一般PLAの条件とほぼ同じで造形可能です。

-200～700℃までの温度範囲で使用され、試験用、実験用の温度測定が主ですが、最近では燃料電池業界などでも使用され、活躍の場を広げています。データロガー用温度センサーとしても広く使用されています。構造が単純なので保護管タイプと比べると安価でスペースも取りません。ただ、その分強度は劣ります。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 265 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 9.19mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = WLCSP。ピン数 = 6。寸法 = 1.5 x 1 x 0.33mm。長さ = 1.5mm。幅 = 1mm。高さ = 0.33mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。DISO ロードスイッチ 入力電源動作電圧範囲： 1.5 → 5.5 V RON 50 m Ω @ VIN = 3.3 V / チャンネル(標準) 真の逆流防止( TRCB ) 1< μ F の出力で 130 μ s に制御される固定スルーレート ISW ：チャネルあたり 1.5 A (最大) FPF1321 の急速放電機能 ESD 保護： 人体モデル>： 6 kV 充電済みデバイスモデル>： 1.5 kV IEC 61000-4-2 空中放電：> 15 kV IEC 61000-4-2 接触放電：> 8 kV 用途 スマートフォン / タブレット PC 携帯機器 近距離無線通信( NFC )に対応しています SIM カード電源

PIC18F6xJ60 / 6xJ65 / 8xJ60 / 8xJ65 / 9xJ60 / 9xJ65 8ビットフラッシュマイクロコントローラ

PIC24FJxxxGA106/108/110 16ビットフラッシュマイクロコントローラ

PIC24FJxxxGA006/008/010 16ビットフラッシュマイクロコントローラ

PIC32MX330 / 350 / 370 / 430 / 450 / 470 32ビットマイクロコントローラ

PIC24HJxxxGPx06A / x08A / x10A 16ビットマイクロコントローラ

PIC32MX5x4 / 5x5 / 6x4 / 6x5 / 7x4 / 7x5 32ビットマイクロコントローラ. Microchip PIC32MX5xx / 6xx / 7xxのマイクロコントローラファミリは、強力なMIPS M4Kコアに基づく高性能32ビットデバイスです。 このMCUは、USB / CAN / イーサネット接続などの充実した周辺装置をオンボードに搭載しているため、さまざまな用途に適しています。 外部グラフィックスインターフェイスでLCDを直接駆動することができます。 MPLABR Harmony統合ソフトウェアフレームワークは、PIC32 MCUに対応した、Microchipの開発プラットフォームです。 このIDEは、さまざまなドライバとライブラリをまとめた、開発を簡素化する単一の統合プラットフォームです。このIDEにより、完成品を迅速に市場に投入できるようになります。 詳細については、microchip.com/harmonyにアクセスしてください。. マイクロコントローラの機能. MIPS32R M4KR 32ビットコア 最大周波数80 MHz - 105 DMIPS コードのサイズを最大で40 %縮小するMIPS16eRモード 低消費電力管理モード フェールセーフクロックモニタ(FSCM) 独立したウォッチドッグタイマ 0.9 %内部発振器 プログラマブルPLL及びクロックソース用の発振器 高速ウェイクアップ / スタートアップ. 周辺装置の特長. 34ピンパラレルマスタポート(PMP)を使用する外部グラフィックスインターフェイス USB 2.0対応のフルスピードOTGコントローラ 10 / 100イーサネットMAC (MII / RMIIインターフェイス搭載) CAN 2.0Bモジュール UARTモジュール x 6 - 20 Mbps 4線式SPIモジュール - 3又は4 (モデルによって異なる) SMBus対応I2Cモジュール - 4又は5 (モデルによって異なる) パラレルマスタポート(PMP) ダイレクトメモリアクセス - 4、6、又は8 (モデルによって異なる) 10ビット1 MSPS ADC - 16チャンネル コンパレータ x 2 汎用タイマ x 5 出力比較(OC)モジュール x 5、入力比較(IC)モジュール x 5 リアルタイムクロック及びカレンダー(RTCC)モジュール

dsPIC33EPデジタル信号コントローラ. dsPIC33Eデジタル信号コントローラは、MSUの簡易性を備えたDSPを提供します。 70MIPS dsPIC33Eコアは、デジタルフィルタアルゴリズム、高速の精密デジタル制御ループ、そしてスピーチ処理の実行を目的として設計されています。 モータ制御周辺機器を持つdsPIC33E DSCは、高性能の、精密モータ制御システムの設計を可能にします。 dsPIC33E SMPS DSCは、高性能のデジタル電源用に特別に設計されたオンチップ周辺機器を提供します。 SMPS周辺機器には、高速高解像度PWM、高速ADC、アナログコンパレータが含まれます。

dsPIC30F デジタルシグナルコントローラ. dsPIC30F デジタルシグナルコントローラは、 MCU のシンプルさで DSP のパフォーマンスを実現します。dsPIC30F は、幅広い動作電圧( 2.5 → 5.5 V )、超低スタンバイ電流、統合 EEPROM を活用する用途や、システム考慮事項のために 5 V 動作を好む設計者に最適です。30 MIPS dsPIC30F タイプは、 SMPS ペリフェラル、モータ制御ペリフェラル、コーデックインターフェイスを統合し、効率 DIGITAL POWER コンバータ、 Advanced Motor Control アルゴリズム、音声及びオーディオ用途を実現します。高性能 ADC を備えた小型パッケージ DSC は、スマートセンシング用途に最適です。

dsPIC30F デジタルシグナルコントローラ. dsPIC30F デジタルシグナルコントローラは、 MCU のシンプルさで DSP のパフォーマンスを実現します。dsPIC30F は、幅広い動作電圧( 2.5 → 5.5 V )、超低スタンバイ電流、統合 EEPROM を活用する用途や、システム考慮事項のために 5 V 動作を好む設計者に最適です。30 MIPS dsPIC30F タイプは、 SMPS ペリフェラル、モータ制御ペリフェラル、コーデックインターフェイスを統合し、効率 DIGITAL POWER コンバータ、 Advanced Motor Control アルゴリズム、音声及びオーディオ用途を実現します。高性能 ADC を備えた小型パッケージ DSC は、スマートセンシング用途に最適です。

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 312 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

dsPIC33F デジタルシグナルコントローラ. dsPIC33Fデジタルシグナルコントローラは、MSUの簡易性を備えたDSPを提供します。 40MIPS dsPIC33Fコアは、デジタルフィルタアルゴリズム、高速の精密デジタル制御ループ、そして音声やオーディオ処理の実行を目的として設計されています。 モータ制御周辺機器を持つdsPIC33F DSCは、高性能の、精密モータ制御システムの設計を可能にします。dsPIC33F SMPS DSCは、高性能のデジタル電源用に特別に設計されたオンチップペリフェラルを搭載しています。 SMPS周辺機器には、高速高解像度PWM、高速ADC、アナログコンパレータが含まれます

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 69 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 307 W。トランジスタ構成 シングル。長さ 10.67mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 235 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明 無停電電源

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 28 A。最大ドレイン-ソース間電圧 300 V。シリーズ UniFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 129 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 250 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 11.33mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 6.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。シリーズ UniFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 570 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 56 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 6.22mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 100 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 55 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 2.5 kW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 20mm。高さ 20mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 440 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 15.87mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 66 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 37 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.9mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 120 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 750 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 15.87mm。順方向ダイオード電圧 1.2V。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 51 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 320000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 61 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 417000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。高さ 9.4mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。