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様々な用途に適した、丈夫な二重構造の防水・防塵ボックス

広範囲内で適切なエネルギーの吸収が可能 QPQ処理した本体、耐摩耗性向上。 耐食性向上、劣悪な環境での使用に適用。 コンパクトな構造、吸収能力向上

止めネジで取り付けるスタンダードセットカラー 止めネジによりシャフトに固定して使用できます。 30°面取側の端面では、ベアリングの内輪を押さえることができます。 RoHS対応品

SMBJシリーズ400 W TVSダイオード、双方向. 双方向過渡電圧抑制ダイオードは、ピークパルス容量が400 Wで、コンパクトなDO214AB (SMB)表面実装パッケージに収容されています。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.9A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.41mm。幅 = 6.22mm。Littelfuseは、半導体を過渡電圧による損傷から保護するための過渡電圧抑制(TVS)ダイオードに特化した企業です。低インクリメンタルサージ抵抗 単方向 / 双方向極性タイプを用意 逆スタンドオフ電圧範囲: 5 →495 V ピーク電力定格: 400 W → 30 kW 高電流保護: 1 kA、3 kA、6 kA、10 kA、15 kASMCJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ハロゲンフリー 基板スペースを最適化するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 組み込みのストレインリリーフ ガラス不動態化ジャンクション 低インダクタンス 優れたクランプ機能 繰り返し率(デューティサイクル): 0.05 % 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → V(BR)min標準 標準IR: 1 mA未満(10 Vを超える場合) 高温はんだ付け: 端子で250 ℃ / 10秒

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 10.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 49.9V。最小ブレークダウン電圧 = 34.2V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 = 30.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 30.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.3 Dia. x 9.5mm。テスト電流 = 1mA。1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

TVSダイオードアキシャル双方向5000 W、5KPシリーズ、Littelfuse. Littelfuseの5KPシリーズは、雷による電圧過渡やその他の過渡電圧イベントから壊れやすい電子機器を保護するように特別に設計されています。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 6.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 10.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 3000W。最大ピークパルス電流 = 51.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向3000 W、SMC3Kシリーズ、Vishay Semiconductor

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