「dc63」の検索結果

ケーブル被覆の傷つけ防止に、クリップのフチを切り起こしてあります。

欧州において普及しているドイツの規格(DIN2098)圧縮ばねを参考に、メーカー独自の管理項目(基準荷重)を追加し、配列した規格です。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 72 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 128 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

電源スイッチの種類 = 内蔵負荷。動作供給電圧 Max = 8 V。出力数 = 2A。パワーレーティング = 0.7W。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 6。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm。統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A、2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ， 270 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrenchR MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度な技術を利用することで、このデバイスのFOM(性能指数)は前世代の製品よりも大幅に低くなっています。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。

電源スイッチの種類 = 内蔵負荷。オン抵抗 = 0.125Ω。動作供給電圧 Max = 20 V。出力数 = 2A。パワーレーティング = 0.7W。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 6。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm。統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

静電容量 = 47μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 6.3 (Dia.) x 11mm。高さ = 11mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 6.3mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 7000h。許容差 = ±20%。YXJシリーズ

静電容量 = 47μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 12.5mm。高さ = 12.5mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +130℃。寿命 = 2000h。許容差 = ±20%。RX30シリーズ

静電容量 = 47μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 6.3 x 11mm。高さ = 11mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 6.3mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 1000h。許容差 = ±20%。Rubycon PXシリーズ

クランプ固定は付属していません。ケースはマイナスの端子電位になります。ALT22Aシリーズ - クランプ取り付け。長寿命を特長とするハイグレードコンデンサ/単位体積あたりで高いCV値/低ESR、低インピーダンス、高リプル電流/産業用途のスイッチモード電源とエネルギー蓄積回路に最適

ALP22シリーズ. 長寿命な低ESRアルミ電解コンデンサで、安全ベントと絶縁スリーブを採用 追加用の基板ピンは機械接続専用 これらの端子は絶縁パッド上の基板にはんだ付けすることをお勧めします。

AEC-Q200. ねじとワッシャは付属していません。. ALS30/31 シリーズ. KEMET ALS30 / 31シリーズのねじ端子コンデンサは、幅広いケースサイズや定格電圧に対応し、リップル電流耐性が高く、長寿命を実現しています。主な用途には、電源、プロセス制御、ACモータ制御、トラクション、溶接、測定を必要とする通信機器における平滑化処理、蓄電、パルス操作が含まれています。. 特長:. 小型 最大20000時間の長寿命 リップル電流耐性が高い 優れた耐サージ電圧性能 M5ねじ付きアルミインサート端子. 用途. これらのコンデンサは、高い信頼性と長寿命が求められる産業、業務用途に適しています。たとえば、周波数コンバータ、無停電電源装置、スイッチング電源などに使われています。

AEC-Q200。端子ねじ、固定用ナットは付属しておりません。KEMETのALS31シリーズは、長寿命でコンパクトなアルミ電解コンデンサです。様々な電圧オプションとケースサイズを提供するこのアルミ電解コンデンサは、長寿命と高い信頼性を必要とする産業・商業用アプリケーションに適しています。用途：このアルミ電解コンデンサは、通信用電源の平滑化、蓄電、パルス動作などに適しています。ACモータ制御、プロセス制御、溶接、トラクション、測定などにも最適です。寿命: 最長20，000 h @ +85 ℃ 高リップル電流 高い信頼性 優れたサージ電圧耐量 高 CV ボリュームと高リップル電流処理機能

AEC-Q200. ねじとワッシャは付属していません。ALS30/31 シリーズ. KEMET ALS30 / 31シリーズのねじ端子コンデンサは、幅広いケースサイズや定格電圧に対応し、リップル電流耐性が高く、長寿命を実現しています。主な用途には、電源、プロセス制御、ACモータ制御、トラクション、溶接、測定を必要とする通信機器における平滑化処理、蓄電、パルス操作が含まれています。特長: 小型 最大20000時間の長寿命 リップル電流耐性が高い 優れた耐サージ電圧性能 M5ねじ付きアルミインサート端子用途. これらのコンデンサは、高い信頼性と長寿命が求められる産業、業務用途に適しています。たとえば、周波数コンバータ、無停電電源装置、スイッチング電源などに使われています。

AEC-Q200。ねじとワッシャは付属していません。KEMET ALS30 / 31シリーズのねじ端子コンデンサは、幅広いケースサイズや定格電圧に対応し、リップル電流耐性が高く、長寿命を実現しています。主な用途には、電源、プロセス制御、ACモータ制御、トラクション、溶接、測定を必要とする通信機器における平滑化処理、蓄電、パルス操作が含まれています。これらのコンデンサは、高い信頼性と長寿命が求められる産業、業務用途に適しています。たとえば、周波数コンバータ、無停電電源装置、スイッチング電源などに使われています。小型 最大20000時間の長寿命 リップル電流耐性が高い 優れた耐サージ電圧性能 M5ねじ付きアルミインサート端子

AEC-Q200. ねじとワッシャは付属していません。ALS30/31 シリーズ. KEMET ALS30 / 31シリーズのねじ端子コンデンサは、幅広いケースサイズや定格電圧に対応し、リップル電流耐性が高く、長寿命を実現しています。主な用途には、電源、プロセス制御、ACモータ制御、トラクション、溶接、測定を必要とする通信機器における平滑化処理、蓄電、パルス操作が含まれています。特長: 小型 最大20000時間の長寿命 リップル電流耐性が高い 優れた耐サージ電圧性能 M5ねじ付きアルミインサート端子用途. これらのコンデンサは、高い信頼性と長寿命が求められる産業、業務用途に適しています。たとえば、周波数コンバータ、無停電電源装置、スイッチング電源などに使われています。

AEC-Q200. 端子ねじ、固定用ナットは付属しておりません。ALS31 シリーズ. KEMETのALS31シリーズは、長寿命でコンパクトなアルミ電解コンデンサです。様々な電圧オプションとケースサイズを提供するこのアルミ電解コンデンサは、長寿命と高い信頼性を必要とする産業・商業用アプリケーションに適しています。特長. 寿命: 最長20，000 h @ +85 ℃ 高リップル電流 高い信頼性 優れたサージ電圧耐量 高 CV ボリュームと高リップル電流処理機能用途. このアルミ電解コンデンサは、通信用電源の平滑化、蓄電、パルス動作などに適しています。ACモータ制御、プロセス制御、溶接、トラクション、測定などにも最適です。

静電容量 = 33μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 6.3 (Dia.) x 11mm。高さ = 11mm。長さ = 11mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 6.3mm。動作温度 Max = 105℃。リード間隔 = 2.5mm。リップル電流 = 105mA。誘電正接 = 10%。。汎用、ラジアル、 63 → 350 V