「mos fet」の検索結果
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥699
税込￥769
当日出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。
AC/DC両用、1A負荷開閉可能。
AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。
出力間開路時漏れ電流10μA以下。
入出力間耐電圧AC2500V。
入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。
AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。
RoHS適合。
質量(g)約20
負荷電圧(V)AC3～264、DC3～125
出力の適合負荷1.0A AC5～240V、DC5～100V
絶縁方式フォト・ボル・カプラ
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)
使用周囲温度(℃)-30～+85(ただし、氷結および結露しないこと)
端子構造プラグイン端子
使用周囲湿度45～85%RH
定格負荷電圧(V)DC5～100 AC5～240
保存温度範囲(℃)-30～+100(ただし、氷結および結露しないこと)
漏れ電流(mA)開路時/1×10-2以下(DC125Vにて)、0.1以下(AC200Vにて)
復帰電圧DC1V以上
耐衝撃(m/s2)1000
耐振動10～55～10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)
出力オン抵抗(Ω)2.4以下
負荷電流(A)100μA～1A
サージオン電流耐量(A)10(10ms)
RoHS指令(10物質対応)対応
耐電圧(V/min)(入出力間)AC2500 50/60Hz
商品タイプリレー同一形状
ゼロクロス機能無
形G6Dと同一形状でAC/DC両用、DC専用をシリーズ化。
出力間開路時漏れ電流10μA以下。
入出力間耐電圧AC2500V。
過電圧吸収回路内蔵。
AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。
RoHS適合。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥919
税込￥1,011
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥459
税込￥505
当日出荷
漏れ電流100μA以下、ブリーダ抵抗不要の微少負荷開閉用のSSR。
形MY(2極タイプ)と同寸法。
1～500mAの微少負荷開閉用のソリッドステート・リレー。
AC・DC共用開閉で、DC開閉は無極性。
AC19.2～264V、DC19.2～125Vと広範囲の開閉が可能。
AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。
動作表示ランプ付。SSRへの入力状態がひと目で確認可能。
形MYを直接開閉(ブリーダ抵抗不要)。
バリスタ内蔵により外来サージの吸収効果が優れています。
用途微少負荷制御用・バルブ・ソレノイド
質量(g)約50
負荷電圧(V)AC19.2～264、DC19.2～125
出力の適合負荷0.5A AC24～240V、DC24～110V
絶縁方式フォト・ボル・カプラ
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)
使用周囲温度(℃)-30～+80(ただし、氷結および結露しないこと)
端子構造プラグイン端子
定格負荷電圧(V)DC24～110 AC24～240
出力オン電圧降下3V(RMS)以下
漏れ電流(mA)0.1以下(AC200Vにて)
復帰電圧DC1V以上
耐衝撃(m/s2)1000
耐振動10～55～10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)
負荷電流(A)1～500mA (40℃にて)
サージオン電流耐量(A)6(10ms)
保管温度(℃)-30～+100(ただし、氷結および結露しないこと)
耐電圧(V/min)AC1500 50/60Hz
商品タイプリレー同一形状
使用周囲湿度(%RH)45～85
ゼロクロス機能無
負荷電圧(V)30
RoHS指令(10物質対応)対応
再生材使用使用
1個
￥279
税込￥307
欠品中
1個
￥9,098
税込￥10,008
30日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = PW成形実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 280 pF @ 25 VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥209
税込￥230
翌々日出荷
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,398
税込￥2,638
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 124 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = ダイレクトFET大型キャン実装タイプ = スルーホール
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥749
税込￥824
7日以内出荷
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