「ms4sf」の検索結果
種別取付金具
スリム化でワイドに使える
安全距離の算出時間を短縮
光同期により配線工数を大幅削減
光軸合わせが簡単
金具装着済みで設置が簡単
多彩な用途で使え、さらに装置をシンプルにできる [大型アプリ表示灯]
軽量 !
保護構造IP67
光軸数に関係なく全機種が高速応答
二次電池製造に最適な材質
仕様●適合規制および認証：CEマーキング(機械指令、EMC指令、RoHS指令)、UKCAマーキング(機械規則、EMC規則、RoHS規則)、TUV SUD認証●光軸ピッチ：20mm●汚損度：3●使用標高：2000m以下
付属品MS-SFC-1(標準取付金具)：1セット、SF4C-TR25(テストロッド)：1本
規格UL、CE、CSA、TUV
保護構造IP65、IP67(IEC)
適合規格IEC61496-1/2(タイプ2)、ISO13849-1：2015(カテゴリ2、PLc)、IEC61508-1～3(SIL1)、JIS B9704-1/2(タイプ2)、JIS B9705-1(カテゴリ2)、JIS C0508-1～3(SIL1)、EN61496-1(タイプ2)、EN ISO13849-1：2015(カテゴリ2、PLc)、EN 61508-1～3(SIL1)、EN55011、EN50178、EN61000-6-2、ANSI/UL61496-1/2(タイプ2)、ANSI/UL508、CAN/CSA61496-1/2(タイプ2)、CAN/CSA C22.2 No.14、ANSI/RIA15.06、
ケーブル長(m)0.16mmの2乗、5芯耐熱PVCケーブル3付、延長：0.3mmの2乗以上のケーブルにて投・受光器各全長50まで延長可能
材質(ケース)ポリカーボネートアロイ
電源電圧(V)24DC±20%、リップルP-P10%以下
機能干渉防止機能、テスト入力機能、大型アプリ表示灯機能
絶縁抵抗(MΩ)DC500Vメガにて20以上、充電部一括・ケース間
使用周囲温度(℃)-10～+55(但し、結露および氷結しないこと)、保存時：-25～+60
材質(カバー)検出面カバー：ポリカーボネートアロイ
有効開口(mm)検出距離が3mのとき±5°以下(IEC61496-2、ANSI/UL61496-2による)
最小検出物体Φ25mmの不透明体
検出距離(m)0.1～3
使用周囲照度(Lx)白熱ランプ：受光面照度5000以下
投光素子赤外LED(発光ピーク波長：850nm)
出力動作制御出力：全光軸入光時ON、1光軸以上遮光時OFF(セーフティライトカーテン内部異常時および同期信号異常もOFFとなります。)、ロックアウト出力：正常動作時ON、ロックアウト時OFF
材質(取付金具)MS-SFC-1：SUS
耐電圧(V/min)AC1000充電部一括・ケース間
耐衝撃耐久300m/sの2乗(約30G)、XYZ各方向3回
使用周囲湿度(%RH)30～85、保存時：30～85
耐振動(Hz)耐久10～55、複振幅0.75mm、XYZ各方向2時間
応答時間(ms)OFF時：20ms以下、ON時：80～100ms
![超薄型セーフティライトカーテン[Type2 PLcSIL1] SF2C パナソニック インダストリー(パナソニック デバイスSUNX)](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono74091002-180209-02.jpg)
エコ商品
付属品投光器1本、受光器1本、MS-SFC-1(標準取付金具):1セット、SF4C-TR25(テストロッド):1本
材質本体ケース:ポリカーボネートアロイ、検出面カバー:ポリカーボネートアロイ、MS-SFC-1(標準取付金具):SUS
保護構造IP65、IP67(IEC)
電源電圧(V)24 DC±20% リップルP-P10%以下
制御出力最大流入電流:200mA、印加電圧:電源電圧と同一(制御出力-0V間)、残留電圧:2.5V以下(流入電流200mA、ケーブル長10m時)、漏れ電流:200μA以下(電源OFF時を含む)、最大負荷容量:2.2μF(無負荷～最大出力電流まで)、負荷配線抵抗:3Ω以下
絶縁抵抗(MΩ)DC500Vメガにて20以上 充電部一括・ケース間
使用周囲温度(℃)-10～+55(但し、結露および氷結しないこと)、保存時:-25～+60
保護回路装備
最小検出物体Φ25mmの不透明体
検出距離(m)0.1～3
出力動作全光軸入光時ON、1光軸以上遮光時OFF(センサ内部異常時および同期信号異常もOFFとなります。)
ケーブル延長(m)0.3mm2以上のケーブルにて投・受光器各全長50mまで延長可能
RoHS指令(10物質対応)対応
付属品MS-SFC-1(標準取付金具)：1セット、SF4C-TR25(テストロッド)：1本
適合国際規格：IEC 61496-1/2(タイプ2)、ISO 13849-1(カテゴリ2、PLc)、IEC 61508-1～7(SIL1)・日本：JIS B 9704-1/2(タイプ2)、JIS B 9705-1(カテゴリ2)、JIS C 0508(SIL1)・欧州：EN 61496-1(タイプ2)、EN ISO 13849-1(カテゴリ2、PLc)、EN 61508-1～7(SIL1)、EN 55011、EN 50178、EN 61000-6-2・北米：ANSI/UL 61496-1/2(タイプ2)、ANSI/UL 508、CAN/CSA 61496-1/2(タイプ2)、CAN/CSA C22.2 No.14、ANSI/RIA 15.06
材質本体ケース：ポリカーボネートアロイ、検出面カバー：ポリカーボネートアロイ、MS-SFC-1(標準取付金具)：SUS
種類PNP出力タイプ
ピッチ(mm)光軸：20
保護構造IP65、IP67(IEC)
出力ロックアウト：・最大流出電流：60mA・印加電圧：電源電圧と同一(ロックアウト出力-+V間)・残留電圧：2.5V以下(流出電流60mA、ケーブル長10m時)・漏れ電流：200μA以下(電源OFF時を含む)・最大負荷容量：2.2μF(無負荷～最大出力電流まで)・負荷配線抵抗：3Ω以下
電源電圧(V)24 DC±20% リップルP-P10%以下
機能テスト入力機能：装備、大型アプリ表示灯機能：装備
制御出力・最大流出電流：200mA・印加電圧：電源電圧と同一(制御出力-+V間)・残留電圧：2.5V以下(流出電流200mA、ケーブル長10m時)・漏れ電流：200μA以下(電源OFF時を含む)・最大負荷容量：2.2μF(無負荷～最大出力電流まで)・負荷配線抵抗：3Ω以下
ピーク波長(nm)850
絶縁抵抗(MΩ)DC500Vメガにて20以上 充電部一括・ケース間
使用周囲温度(℃)-10～55(但し、結露および氷結しないこと)
締付トルク(N・m)適合規制および認証：CEマーキング(機械指令、EMC指令、RoHS指令)、UKCAマーキング(機械規則、EMC規則、RoHS規則)、TUV SUD認証、TUV SUD NRTL認証
ケーブル0.16mm2 5芯耐熱PVCケーブル3m付
耐振動(耐久)10～55Hz 複振幅0.75mm XYZ各方向2時間
保存温度範囲(℃)-25～60
最小検出物体Φ25mmの不透明体
検出距離(m)0.1～3
短絡保護装備
使用周囲照度(Lx)白熱ランプ：受光面照度5000以下
投光素子赤外LED
出力動作ロックアウト出力：正常動作時ON、ロックアウト時OFF・制御出力：全光軸入光時ON、1光軸以上遮光時OFF(セーフティライトカーテン内部異常時および同期信号異常もOFFとなります。)
標高(m)(使用)2000以下
ケーブル延長(m)0.3mm2以上のケーブルにて投・受光器各全長50まで延長可能
干渉防止機能装備
汚染度(使用環境)3
RoHS指令(10物質対応)対応
耐電圧(V)AC1000 1分間 充電部一括・ケース間
保存湿度範囲(%RH)30～85
使用周囲湿度(%RH)30～85
耐衝撃(耐久)(m/s2)300(約30G) XYZ各方向3回
仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,298
税込￥2,528
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥2,998
税込￥3,298
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(11個)
￥5,998
税込￥6,598
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥9,898
税込￥10,888
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仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥889
税込￥978
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仕様メモリサイズ：4Mbit、インターフェースタイプ：パラレル、パッケージタイプ：PLCC、ピン数：32、構成：512 K x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：4.5 V、動作供給電圧 Max：5.5 V、長さ：11.43mm、高さ：2.79mm、幅：13.97mm、寸法：11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数：512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100，000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,398
税込￥2,638
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