「n60-08」の検索結果

ボッシュのバッテリーは、性能、環境への配慮、安全性、そして充実したサポート体制を兼ね備えており、さまざまなニーズに応える、高い信頼性と長寿命で過酷な環境下でも安定した性能を発揮し、長期間の使用に耐える信頼の高い製品設計がされています。AGM(Absorbent Glass Mat)技術を採用したバッテリーは、深放電への耐性が高く、長寿命を実現しています。Hightec Premium(ハイテックプレミアム)：アイドリングストップ車や充電制御車に対応した、長寿命・完全メンテナンスフリーのバッテリーです。PS Battery(PSバッテリー)：液栓タイプのメンテナンスフリーで、商用車にも適した仕様となっています。ボッシュは、充実したサポートとサービスバッテリーの診断、充電、テストを行う専用機器を提供しており、整備工場や販売店へのサポート体制が整っています。*ボッシュバッテリーの車両適合検索は下記の2か所のURLよりご確認いただけます。https://www.bosch.co.jp/aa/fit-search/step-1.asphttps://ap-ecat.boschaftermarket.com/jp/search/cars#reloaded

NOLANヘルメット用オプション品。表面の細かな摩擦傷などを防ぐ傷つき防止加工済み。別売のPINLOCKシート(品番98324)に対応。

2コーナー使いで、コーナーあたりのコストを削減します。独創的なねじれ刃構造が、チップの長さ以上の加工を実現します。4mm幅以上のチップは前切り刃と後ろ切り刃がねじれているため、ホルダーにチップをセットした時、後ろ切れ刃は見かけ上狭くなり被削面に接触しません。

セット内容：差替式スイスグリップドライバーハンドル(38215.A)、マイナスブレード(215.C2・3・4・5)、リーマーブレード(215.E2)、プラスブレード(215.PH2)、ポジドライブブレード(215.PZ2)、ヘクスローブブレード(215.T10・15・20・25)， 六角ブレード(215.D4・5・6)、差替ドライバーハンドル(53.TELESKOP)、差替ブレード(53CPH.00・53CPH.0・53CPH.1)、差替ポジドライブブレード(53PZ.0-1)、差替ドライバーブレード六角(53D.1.5-2・ 53CPH.2.5-3)、差替ドライバーブレード(53T.6-7・53T.8-9)、検電用ドライバー(175.0-60N)。差替式スイスグリップEVOドライバーと差替式精密ドライバーのセット。31のツールセットでコンパクトなロールケース付き。

セット内容：差替式スイスグリップドライバーハンドル(38215.A)、マイナスブレード(215.C2・3・4・5)、リーマーブレード(215.E2)、プラスブレード(215.PH2)、ポジドライブブレード(215.PZ2)、ヘクスローブブレード(215.T10・15・20・25)， 六角ブレード(215.D4・5・6)、差替ドライバーハンドル(53.TELESKOP)、差替ブレード(53CPH.00・53CPH.0・53CPH.1)、差替ポジドライブブレード(53PZ.0-1)、差替ドライバーブレード六角(53D.1.5-2・ 53CPH.2.5-3)、差替ドライバーブレード(53T.6-7・53T.8-9)、検電用ドライバー(175.0-60N)。差替式スイスグリップEVOドライバーと差替式精密ドライバーのセット。31のツールセットでコンパクトなロールケース付き。外箱付きです。

セット内容：差替式ドライバーハンドル(38215.A)、差替式マイナスドライバーブレード(215.C2・3・4・5)、差替式プラスドライバーブレード(215.PH1・2)、検電用ドライバー(175.0-60N)、差替式リーマードライバーブレード(215.E)、差替式ヘクスローブドライバーブレード(215.T8・9・10・15・20・25)。ロールアップケース付き。 差替式スイスグリップEVOドライバーセット。耐久性のあるハンドルで楽に作業できます。

ベストセラーモデルの3.7kw水タンク付コンパクトモデルです。錆や衝撃に強い71L大型ステンレス製水タンクを搭載です。ブレーキ付の大型車輪付です。移動・運搬に便利な1点吊りフック付です。外部からの吸水にも対応可能です。衝撃防止バンパーにもなる便利な大型ホースフックを装備しています。別置きの水タンクからの吸水も可能です。建設現場などあらゆる用途に対応し、高所揚水にも最適!

コンパクトヘッドです。ボルトサイズに合わせた3段階パワーコントロール搭載(1：～M6、2：M6～M8、3：M8～M12)。ハイトルク60N・m。耐久性抜群のギアボックス。LEDライト。

大型液晶TVの外光の反射や照明の映り込みで見にくい画面を解消。

転造可能な全被削材に使用可能です。高い切削速度が可能です。

飛散が少ない、テールが出ない塗料の霧化状態を確認しながら徐々に圧を上げます。テールが消えた時点で圧力設定完了。塗料の跳ね返りが減り、カブリ良く安定した作業が可能に!低圧塗装で塗料飛散が減少吐出量が多く作業性抜群低圧で脈動少なくホース長持ち

飛散が少ない、テールが出ない塗料の霧化状態を確認しながら徐々に圧を上げます。テールが消えた時点で圧力設定完了。塗料の跳ね返りが減り、カブリ良く安定した作業が可能に!低圧塗装で塗料飛散が減少吐出量が多く作業性抜群低圧で脈動少なくホース長持ち

取付間隔が異なる複数のアタッチメントの固定に最適なテーブルです。T ナットが左右に移動するため、バイスやアタッチメントなどの取り付けの際、センター合わせが簡単に行えます。テーブル左右からアタッチメントを取り付けたTナットを差し込むことが可能です。複数のアタッチメントを交換して使用される場合に便利です。

N系コーティングは超耐熱合金加工に優れた耐摩耗性・耐ピッチング性を発揮します。R刃のすくい角やボールカーブを最適化し切れ刃強度を向上しました。Si)N系コーティングは超耐熱合金加工に優れた耐摩耗性・耐チッピング性を発揮します。被削材：耐熱合金

N系コーティングは超耐熱合金加工に優れた耐摩耗性・耐ピッチング性を発揮します。R刃のすくい角やボールカーブを最適化し切れ刃強度を向上しました。Si)N系コーティングは超耐熱合金加工に優れた耐摩耗性・耐チッピング性を発揮します。R刃のすくい角やボールカーブを最適化し切れ刃強度を向上しました、被削材：耐熱合金

NOLANヘルメット用オプション品表面の細かな摩擦傷などを防ぐ傷つき防止加工済み。別売のPINLOCKシート(品番98324)に対応。【適合モデル】 N80-8 / N60-6

内部クーラント仕様です。

2コーナー使いで経済的です。ねじれ刃構造(チップ長さ以上の加工が可能です)。4mm幅以上のチップは前切り刃と後ろ切り刃がねじれているため、ホルダーにチップをセットした時、後ろ切れ刃は見かけ上狭くなり被削面に接触しません。

半自動電動エアトルクDAC3シリーズは、インパクトレンチ用の防振ソケットが使用可能。回転時の振れが減少するので作業効率が向上します。、1台で着座までの仮締めを電動で行い、最終締付けをトルクレンチで正確に行います。、従来のインパクトレンチ+トルクレンチの締付け作業が一工程で行えるので、作業効率が大幅に改善されて管理も簡単になります。、DAC3シリーズはアダプターコードが横出しのDACLと上出しのDACSの2種あり、作業に合わせて選択できます。、CO2排出量を削減。エアツールのAC3シリーズと比較し、CO2排出量は約1/25と低減。※ねじ山数10山のねじを締付けた場合。、DAC3本体の調整ボリュームで仮締めトルク値が調整できます。、仮締め完了後、トルクレンチで本締めを行わないと電動モータが回転しない(次の締付けが行えない)設定が出来るため、締め忘れ防止(ポカヨケ)に適しています。、付属品の「位置合わせハンドル」により、ワークへの位置合わせが容易に行えます。、LEDの点灯によりDAC3の動作状況が分かります。、校正は、今お使いのトルクレンチテスタで行えるので、DAC3導入に伴う新たなテスタや測定器が不要です。、【用途】、セル生産、サブラインの組み立て作業。、【注意事項】、DACL25N3と50N3 及びDACS25N3と50N3は仮締めトルク値を約4 ～ 5N・m に設定した場合、仮締めの回転数は850r.p.m となり、6N・m 以上に設定すると1100r.p.m になります。、仮締めトルク範囲のトルク値精度は保証範囲外です。、仮締めトルクはジョイント係数により変化します。仕様表中の仮締めトルクの可変範囲条件は、普通ジョイント(ジョイント係数e =10)の場合になります。特に、ハードジョイントへの締付けを行う場合、トルクレンチの最小目盛よりも仮締めトルクが高くなる場合があります。そのような場合はご使用になれない可能性があります。詳しくはお問い合わせください。、電源コードはコード部分がストレートコードとカールコードの2種類があります。作業に合ったものをお選び下さい。、ソケットは必ず動力式を使用して下さい。、リミットスイッチの定格は AC/DC30V、1A以下です。

ネオジム・鉄・ボロンを主成分とした成形焼結品です。、非常に優れた磁気エネルギーは現有磁石最高です。、割れ欠けが少なく機械的強度に優れています。、機械加工による用途に合せた形状の製作や少量での試作にも向いています。、磁気特性が高いので小さいサイズでも磁力の強い磁石が作れます。、温度特性が低く、通常材(N-40)では80℃未満が使用条件となりますが、220℃未満が使用条件の耐熱ネオジムも普及しています。、大変錆びやすいのでニッケルメッキ等の表面処理が施されています。、表面処理はニッケルメッキ、エポキシコート、ナイロンコート、フッ素樹脂コート、亜鉛メッキ、金メッキが対応できます。

スチールステージTSDシリーズと構造・性能が同等で、クリーンルーム・真空用途に適した直線移動ステージです。

焼入れされたステンレス製のステージ本体と移動テーブルに直接ガイド加工を施した高精度なゴニオステージです。

焼入れされたステンレス製のステージ本体と移動テーブルに直接ガイド加工を施した高精度なゴニオステージです。

マイクロメーターヘッドを移動するステージ側に、マイクロあてをステージ下面側に取り付けた垂直面取付に特化したZ軸ステージです。

球面凸レンズ(SLB-P)より表面品質を1ランク下げた製品です。照明もしくは観察用途など、高い表面品質が要求されない光学系に使用できます。表面品質以外の仕様は球面凸レンズ(SLB-P)とほとんど変わりません。レーザを使った高精度な実験に使用する場合以外はこちらのレンズをお勧めいたします。球面収差の少ない平凸レンズです。ノーコート品以外に可視域・近赤外域・赤外域の3種類の反射防止膜付きレンズのご用意しています。※球面平凸レンズには色収差があり、波長によって焦点距離が変わってきます。※平凸レンズには光を入れる向きがあります。※必ず凸面側から平行光を入射させてください。※逆にすると球面収差が大きくなり、集光スポットが大きくなったり、像がボケて見えることがあります。※ノーコート品はレンズの表面と裏面の反射による損失で、透過率が90%程度になります。

Infineon OptiMOS 3 パワー MOSFET 、60 80V. OptiMOS 製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。SMPS 用の高速スイッチング MOSFET DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル・ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上

海水、熱温水、蒸気等に長期にわたり耐え、腐食の少ない安定した材質です。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 34 nC @ 10 Vmm高さ = 1.5mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6mm動作温度 Min = -55 ℃mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、4.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ， 105 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 58.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 4.9mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 4.9mm順方向ダイオード電圧 = 1.2V強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、1.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ， 425 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.6mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.