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各自動車メーカーへのOEM供給をはじめとして言わずと知れたトップブランドの曙ブレーキから、ハーフタイプのブレーキシューが登場。

3ヶ所の穴の位置で、ロープ用・バリケード用・単管用など・・・ 使い方はさまざ! ※注意喚起の為の吊り下げ標識です。虫よけの効果はありません。

細かな縫い目がほどける便利なリッパーのコンパクトサイズです。裁縫の際の、縫い間違いや縫い目が曲がったときに活躍する優れものです。

2コーナー使いで経済的です。ねじれ刃構造(チップ長さ以上の加工が可能です)。4mm幅以上のチップは前切り刃と後ろ切り刃がねじれているため、ホルダーにチップをセットした時、後ろ切れ刃は見かけ上狭くなり被削面に接触しません。

多彩なチップブレーカにより様々な加工で抜群の切りくず処理性能を発揮。

多彩なチップブレーカにより様々な加工で抜群の切りくず処理性能を発揮。

端子舌部(接触部)の硬度だけを高めることに成功。 従来端子に比べ曲がりにくい。

高性能なグラファイトコートにより、ビビりに強く拭き取りも滑らかで効果も長持ちします。また板バネ部分もステンレスを採用しより錆びにくくなりました。クリアな視界を確保する設計で撥水加工ガラスにも対応しています。 輸送時にゴムを保護するラバープロテクターカバー付。

自動車メーカーへのOEM製品を開発する技術力とノウハウをフィードパックし、より高次元な安全性を高めたのがADVICSブレーキパッド。高品質でかつ効き・フェード・磨耗・鳴き・振動・異音という相反する要素をもつブレーキ性能を最大限に向上させ、バランスに優れた製品に仕上げています。

産業機械用エアーエレメントです。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

Infineon OptiMOS 5パワーMOSFET

Infineon OptiMOS 3 パワー MOSFET 、60 80V. OptiMOS 製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。SMPS 用の高速スイッチング MOSFET DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル・ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 34 nC @ 10 Vmm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 58.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 4.9mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A