「photomosリレー」の検索結果
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仕様実装タイプ = 表面実装最大順方向電圧 = 1.5Vピン数 = 6パッケージタイプ = SOP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 1.5 kVrmsUL. フォトモスリレーGU (各種バリエーション)、SOPタイプ. ソリッドステートと機械式リレーの長所を組み合わせたフォトモスリレー 超小型SOP、マイクロアナログ信号制御が可能
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥799
税込￥879
6日以内出荷
スリムで省スペース4点ユニットリレー(長寿命のPhotoMOSリレー パワータイプを搭載)
種類その他アクセサリ
接点構成1a×4
仕様入力逆接続防止ダイオード：1.5A 逆耐圧40V
使用周囲湿度35～85%RH(結露なきこと)
保存温度(℃)-30～80(氷結および結露なきこと)
使用周囲温度(℃)-20～55
質量(g)約100
推奨ねじ締付トルク(N・m[kgf・cm])0.3～0.5[3～5]
絶縁抵抗(MΩ)100以上 (DC500Vメガーにて、耐電圧の項と同じ箇所を測定)
耐衝撃(耐久)196m/s2以上{20G以上}
耐振動(耐久)10～55Hz(複振幅1mm)
耐電圧(V/min)(入出力間)AC2000・(異極間〈リレー相互間〉)AC1500
入力電圧変動許容範囲(V)(-20℃～+55℃)定格入力電圧の90%～110%
連続負荷電流：4Aの高容量(AQZ102)
SIL4pinのスリム形状
負荷電圧：60V、100V、200V、400Vを品揃え
4点ユニットリレー PhotoMOSリレー パワータイプに搭載可能
用途計測機器、電力装置、信号、産業用機械、設備
接点構成1a
リレーボード上のMOSFETリレーから出力を得るためのケーブルセットです。本体には2本のみ付属のため、全MOSFETリレー(10個)利用時にご購入ください。
用途半導体用リレー出力ケーブル
種類その他
適合RBIO-4S専用
1袋(8本)
￥1,198
税込￥1,318
3日以内出荷
使いやすさと省スペースを追求した4点出力用ターミナルリレー。幅31×高さ35×奥行68mm。 PYFソケットと同等のサイズ。独立接点、独立コイル。ショートバー(別売)で、簡単にコモン接続。しかも、隣りあうターミナルもコモン接続可能。端子カバーで、感電防止。リレー搭載タイプとパワーMOS FETリレー搭載タイプを品揃え。動作表示LEDつき。コイルサージ吸収用ダイオード内蔵。DINレール取りつけ、ねじ取りつけ共用。標準品でUL、CSA、VDE規格認定品(VDE規格は形G6D-F4Bのみ)。
質量(g)約65
使用温度範囲(℃)-25～55(結露、氷結しないこと)
保存温度(℃)-25～65(結露、氷結しないこと)
接触抵抗(mΩ)100以下(DC5V 1A)
保管温度(℃)-25～+55(ただし、氷結しないこと)
使用周囲湿度(%RH)45～85
永久磁石を利用した高能率磁気回路で小型、高感度、高容量実現!!
用途通信・計測機器、オフィスオートメーション機器、情報関連機器をはじめ、広い範囲の業務機器、オーディオ機器、産業用機器などの分野
種類シグナルリレー
10A・15A負荷開閉のフラット形パワーリレー。
家電機器のヒータ開閉、産業機器の出力用。
高さ11mm・幅22mm・長さ16mmと小形化を実現。
消費電力150mWの高感度形もシリーズ化。
UL、CSA規格認定済み。
プラスチック・シールタイプもシリーズ化。
タブ端子形(負荷接続端子#187)もシリーズ化。
RoHS適合。
用途小物家電
小型・高感度・高耐圧で5Aパワー開閉の形G6Bミニリレーを4個搭載
リレー本体はプラスチックシール構造
端子はIN/OUT分離構造のため配線が容易
動作表示LEDつき
コイルサージ吸収用ダイオード内蔵
専用ソケットのため、リレーの取り替えが簡単(高信頼性を除く)
標準形でUL、CSA規格認定品(高信頼性は除く)。形G6B-4BND/47BND/48BNDのDC12/24VはVDE規格認定品
DINレール取りつけ、ねじ取りつけ共用タイプも用意
小型、高感度1極信号用リレー。小型サイズ 12.5(L)×7.5(W)×10(H)mm。高感度コイル 150mW。プラスチックシール・タイプのため、耐環境性が高い。コイル-接点間FCC part68準拠。(1500V、10×160μs)
用途電話機、モデム、ファクシミリ、ポータブル機器、オーディオ機器など
スリムで省スペース
定格電圧(V)DC12、24
タイプPAリレー・PhotoMOSリレー パワー電圧駆動タイプ
仕様コイルサージ吸収素子：ダイオード(1A、400V)入力逆接続防止ダイオード：1.5A 逆耐圧40V
最小適合負荷(参考値)100mV、100μA
最大許容入力電圧0.2A
使用周囲湿度35～85%RH(結露なきこと)
保存温度(℃)-30～80(氷結および結露なきこと)
使用周囲温度(℃)-20～55
質量(g)約100
電気的寿命3A 250V AC、3A 30V DC 3万回、2A 250V AC、2A 30V DC 10万回
機械的寿命2000万回以上(180/分)
推奨ねじ締付トルク(N・m[kgf・cm])0.3～0.5[3～5]
接点最大許容電圧(V)AC250、DC30
接点最大許容電流(A)3
接点最大許容電力(VA)AC750、DC90W
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガーにて)
耐衝撃(誤動作)98m/s2以上{10G以上}
耐衝撃(耐久)196m/s2以上{20G以上}
耐振動(誤動作)10～55Hz(複振幅1mm)
耐振動(耐久)10～55Hz(複振幅1mm)
定格制御容量3A 250V AC、3A 30V DC
入力電圧変動許容範囲(V)DC12±10%、DC24±10%
負荷電圧(V)DC600、600(ACピーク値)
負荷電流(A)3
1個
￥8,998
税込￥9,898
欠品中
仕様●APA831ソケットはAQZ262， AQZ264には適合いたしません。. Photo MOS リレーパワー タイプ. ソリッドステートリレーとメカニカルリレーの長所を兼ね備えたPhotoMOSリレー パワー制御を可能にした出力インターフェース用 入出力間耐電圧：2，500Vの高絶縁 AC/DC負荷制御が可能●コード番号：444-835
アズワン品番65-7257-10
1個
￥349
税込￥384
7日以内出荷
仕様PhotoMOSリレーGU (各種バリエーション) DIPタイプ. 微小アナログ信号制御可能、汎用向け
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥429
税込￥472
5日以内出荷
タイプ入力電流：DC
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PhotoMOSリレーGU (各種バリエーション) DIPタイプ. 微小アナログ信号制御可能、汎用向け
パッケージDIP
実装タイプスルーホール実装
出力デバイスMOSFET
最大入力電流(mA)50
絶縁電圧(V)1500
1個
￥879
税込￥967
欠品中
タイプ入力電流：DC
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PhotoMOSリレーGU (各種バリエーション) DIPタイプ. 微小アナログ信号制御可能、汎用向け
パッケージDIP
実装タイプスルーホール実装
出力デバイスMOSFET
最大入力電流(mA)50
絶縁電圧(V)1500
1個
￥899
税込￥989
5日以内出荷
仕様APA831ソケットはAQZ262， AQZ264には適合いたしません。. Photo MOS リレーパワー タイプ. ソリッドステートリレーとメカニカルリレーの長所を兼ね備えたPhotoMOSリレー パワー制御を可能にした出力インターフェース用 入出力間耐電圧：2，500Vの高絶縁 AC/DC負荷制御が可能
取付方式スルーホール
RoHS指令(10物質対応)対応
出力装置MOSFET
1個
￥1,798
税込￥1,978
5日以内出荷
仕様UL、CSA. AQV210E / AQV210EHソリッドステートリレー. MOSFET出力段を備えた光電子PhotoMOSリレー 用途: 電話機、通信機器、高速通信システム
寸法(mm)8.8×6.4×3.9
取付方式基板実装
最大負荷電流(mA)130
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDIP6
ターミナルタイプスルーホール
最大ターンオン時間2ms
出力装置PhotoMOS
最大電圧制御(V)1.5
最小動作温度(℃)-40
最大負荷電圧(V)350
電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
￥499
税込￥549
5日以内出荷
仕様UL、CSA. AQV210E / AQV210EHソリッドステートリレー. MOSFET出力段を備えた光電子PhotoMOSリレー 用途: 電話機、通信機器、高速通信システム
寸法(mm)8.8×6.4×3.9
取付方式基板実装
接点構成SPST
最大負荷電流(mA)130
漏れ電流(μA)1
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDIP6
最大ターンオン時間2ms
出力装置PhotoMOS
最小電圧制御(V)1.14
最大負荷電圧(V)350
電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1セット(50個)
￥19,980
税込￥21,978
7日以内出荷
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