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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：125 nC @ 20 V
シリーズMegaFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)131
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1個
￥379
税込￥417
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 131 Wトランジスタ素材 = SiMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥379
税込￥417
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