「si ウェハ 1インチ」の検索結果
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1~100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
使用済みシリコンウェハを再生加工して、再度プロセスに使用できるレベルにまで再生したシリコンウェハです。実験用、教育用など様々な用途に、少量からご提供します。
用途製造プロセス用、研究開発用、実験用、教育用
抵抗値1-100Ω・cm
仕様パーティクル:不問
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ8インチ
直径(Φmm)200±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)725±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、Vノッチ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
¥8,998
税込¥9,898
欠品中
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ6インチ
直径(Φmm)150±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)625±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
¥7,998
税込¥8,798
当日出荷
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ4インチ
直径(Φmm)100±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)525±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
¥6,998
税込¥7,698
当日出荷
ベアシリコンウェハから半導体素子ができるまでの過程を体感できるセット内容です。教育現場での半導体についての説明などにご利用ください。
用途教育用
セット内容ベアウェハ(12インチ)、膜付きウェハ(12インチ) 、パターン付きウェハ(20mm角)、半導体素子(ダイオード/トランジスタ)
種類セット品
1セット
¥15,980
税込¥17,578
5日以内出荷
長さ(mm)(OF)47.5±2.5
抵抗値0.1~100Ω・cm
製造方法CZ法
位置(OF)110
方位(面)100
ウェハー厚(μm)625±25
汎用的な成膜用基板として使用されています。
ウェハーの出荷・保管用の容器です。ウェハーの表を下にして収納します。
ポケットの底は円錘状でウェハーエッジのみ接触します。スプリングでウェハーを固定します。
トレー同士またはトレーとカバーの積み重ねが可能で、トレーは互いに固定して積み重ねることもできます。
オールポリプロピレン製。
材質ナチュラルPP(ポリプロピレン)
装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
用途装置テスト用 仕様0.2μm≦30 サイズ12インチ 直径(Φmm)300±0.2 タイプ製造:CZ、導電型:P型 グレードダミー(モニター)
直径(Φmm)300±0.2
タイプ製造:CZ、導電型:P型
グレードダミー(モニター)
仕上Vノッチ、両面ミラー
方位100(面)
装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
仕様(パーティクル)0.3μm≦50、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ4インチ
直径(Φmm)100±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)525±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1箱(25枚)
¥89,980
税込¥98,978
当日出荷
アウトガスを極力抑え、低有機汚染性を実現します。
独自のクッション構造により、落下・輸送・振動に強い構造となっております。
気密性に優れています。
収納数25枚
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供
仕様(面方位)100、(OF位置)110、パーティクル不問、多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)
抵抗値0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm
製造方法CZ法
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ2インチ
直径(Φmm)50±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)280±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
¥7,798
税込¥8,578
当日出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
仕様(パーティクル)0.2μm≦30、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ8インチ
直径(Φmm)200±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)725±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、Vノッチ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1箱(25枚)
¥139,400
税込¥153,340
7日以内出荷