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用途SRAMカードの停電保持用 電圧(V)(初期)3.0 ユニット種別SRAMカード用バッテリ バッテリー寿命(年)(保存時)実力5(常温)
1台ほか
1,498 税込1,648
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INFINEONSRAM 64Mbit, 4 M x 16
エコ商品
仕様メモリサイズ = 64Mbit構成 = 4 M x 16ワード数 = 4000k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55ns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(210個)
2,798,000 税込3,077,800
5日以内出荷


仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512K x 8ワード数 = 512k1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,498 税込1,648
5日以内出荷

仕様メモリサイズ:256kbit 、 構成:32 K x 8ビット 、 ワード数:32K 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:25ns 、 アドレスバス幅:16bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 タイミングタイプ:シンクロナス 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:8 、 寸法:3 x 4.4 x 1mm 、 高さ:1mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
22,980 税込25,278
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:1Mbit 、 構成:128 K x 8ビット 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:5ns 、 アドレスバス幅:24bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:8 、 寸法:3.1 x 4.5 x 1.05mm 、 高さ:1.05mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:512kbit 、 構成:64 K x 8ビット 、 ワード数:64K 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:5ns 、 アドレスバス幅:8bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 タイミングタイプ:シンクロナス 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 高さ:1.5mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
29,980 税込32,978
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128K x 8●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(234個)
69,980 税込76,978
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 K x 16●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
639 税込703
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256K x 16ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
819 税込901
5日以内出荷


仕様●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 256K x 16●ワード数: 256k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
819 税込901
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 K x 16ワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
679 税込747
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256K x 16ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(135個)
109,800 税込120,780
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128K x 8ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(234個)
69,980 税込76,978
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 Kワード x 8ビットワード数 = 8K1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 13bitローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 28寸法 = 18.49 x 8.64 x 2.49mm高さ = 2.49mm動作温度 Min = -40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(25個)
11,470 税込12,617
7日以内出荷


仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128K x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
719 税込791
7日以内出荷

1袋(2個)
2,598 税込2,858
5日以内出荷

Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
5日以内出荷

仕様メモリサイズ:512kbit●構成:64 k x 8ビット●ワード数:64K●1ワード当たりのビット数:8bit●最大ランダムアクセス時間:25ns●アドレスバス幅:16bit●クロック周波数:20MHz●タイミングタイプ:シンクロナス●実装タイプ:スルーホール●パッケージタイプ:TSSOP●ピン数:8●寸法:0.4 x 0.28 x 0.195インチ●高さ:4.95mm●動作供給電圧 Min:2.5 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 1Mbit●構成 : 128 K x 16 ビット●ワード数 : 128k●1ワード当たりのビット数 : 16bit●最大ランダムアクセス時間 : 45ns●アドレスバス幅 : 8bit●クロック周波数 : 1MHz●ローパワー : あり●タイミングタイプ : 非シンクロナス●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 32●寸法 : 20.751 x 11.43 x 2.895mm●高さ : 2.895mm●幅 : 11.43mm●非同期SRAMメモリ●Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
869 税込956
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 K x 16●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
969 税込1,066
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 K x 16ワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
969 税込1,066
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 512K x 8●ワード数: 512k●1ワード当たりのビット数: 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
989 税込1,088
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(23個)
14,980 税込16,478
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128K x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
719 税込791
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512K x 8ワード数 = 512k1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
989 税込1,088
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512 Kワード x 8ビットワード数 = 512K1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 19bitローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 32寸法 = 8 x 18.4 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(156個)
89,980 税込98,978
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 15ns●クロック周波数: 104MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 16●寸法: 10.49×7.59×2.36mm●高さ: 2.36mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128 K x 16 ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: VFBGA●ピン数: 48●寸法: 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max: 3.6 Vmm●幅: 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 512kbit●構成: 32k x 16●ワード数: 32k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 10ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-44●ピン数: 44●寸法: 18.51 x 10.26 x 1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 10.26mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,198 税込2,418
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 55ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,198 税込3,518
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Min: -40 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,898 税込3,188
5日以内出荷

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,898 税込3,188
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 655361ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 10.26mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
499,800 税込549,780
5日以内出荷

CY7C109B / CY7C1009B とピン及び機能の互換性があります。高速 tAA = 10 ns 低アクティブ電力 ICC = 80 mA @ 10 ns 低 CMOS スタンバイ電力 ISB2 = 3 mA 2.0 V Data 選択解除時に自動的に電源がオフになります。TTL互換の入出力 CE1 、CE2 、OE オプションを使用してメモリを簡単に拡張できます。CY7C109D は、鉛フリー 32 ピン 400-Mil ワイド成形 SOJ 及び 32 ピン TSOP I パッケージで提供されています。CY7C1009D は、鉛フリーの 32 ピン 300-Mil ワイド成形 SOJ パッケージで提供されています。
仕様メモリサイズ = 1Mbit、構成 = 128 k x 8ビット、ワード数 = 128k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 10ns、クロック周波数 = 100MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOJ、ピン数 = 32、寸法 = 0.83 x 0.305 x 0.11mm、高さ = 0.11mm、動作温度 Min = -40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(750個)
379,800 税込417,780
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
5日以内出荷