材質ステンレス製
錆に強いステンレス製
用途VE管用コーティングステンレスサドルとして
材質ステンレス製
こんなお得な商品も!

工具セット プロ用
モノタロウ
¥22,980
税込¥25,278
入組点数は充実の133点、厳選したこだわりのツールをセットしました。
収納力+剛性のあるツールチェストを採用しました。
用途各種メンテナンス作業。
クリーンルーム用ワイパーです。
滅菌済みのドライタイプです。
滅菌バリデーションに対応しています(無菌性保証水準(SAL)10-6 を達成しており、全ての滅菌工程が基準に達していることを証明する無菌証明書を提供可能です)。
トレーサビリティのために、パックと外箱にはそれぞれロット番号を印字しています。
パーティクルや繊維、イオン、抽出物が低レベルです。
材質ポリエステル長繊維
滅菌済みのドライタイプのワイパーです。トレーサビリティのために、パックと外箱にはそれぞれロット番号を印字しています。滅菌バリデーションに対応しています。※無菌性保証水準(SAL)10^-6を達成しており、全ての滅菌工程が基準に達していることを証明する無菌証明書を提供可能です。
寸法(mm)300×300
素材のサイズを1mm単位で指定可能。さらに、穴の種類(通し穴、タップ穴など)、サイズ、位置も自由に設定可能です。
鉄、アルミ、ステンレスから材質を選んで加工できます。
材質一覧(A1100, SUS304, SUS310S, SUS316, SUS316L, ZAM鋼板, ボンデ鋼板)から選べます。
形状Z型
穴数3
サービス分類オーダー・加工
素材のサイズを1mm単位で指定可能。さらに、穴の種類(通し穴、タップ穴など)、サイズ、位置も自由に設定可能です。
鉄、アルミ、ステンレスから材質を選んで加工できます。
材質一覧(A1100, SUS304, SUS310S, SUS316, SUS316L, ZAM鋼板, ボンデ鋼板)から選べます。
形状L型
穴数6
サービス分類オーダー・加工
装置組み込み・プラント設備に小型・軽量・省スペースのたて形ポンプ。駆動部グリス潤滑による直動ダイヤフラム方式ですので、油圧式と比べてメンテナンスは大変容易です。小型・軽量ではありますが、圧力変動の影響を受けにくいキャンバス入のフラットダイヤフラムの採用で定量性は抜群です。
用途化学プラントにおけるpH調整等の薬品の注入に 。上下水道での水処理薬品の定量注入に 。食品工場の原料・食品添加剤の添加に 。排水処理設備の各種薬品の定量注入に
SILVER STONE(シルバーストーン)SilverStone 10Gbps SuperSpeed USB-C 3.2 Gen2~NVMe / SATA M.2 SSDツールフリー外付けドッキングステーション SST-TS16
エコ商品
・ USB 3.2 Gen2 Type-Cインタフェースで最大10Gbps超高速転送速度を実現。・ 各種長さのM.2 SSDに対応 (22x42mm, 22x60mm, 22x80mm)。・ USBブリッジにより、USB~PCIeモードまたはUSB~SATAモードに自動切り替え。・TRIM command set に対応。・ PCI Express Base Specification Rev. 3.0 に準拠。・ NVM Express Base Specification Rev. 1.3 に準拠。・ Gen3速度でSATAホストをサポートし、SATA Gen2 / Gen1の完全な下位互換性を備えています。・ Bulk Only Transfer (BOT)とUSB Attached SCSI Protocol (UASP) に対応
材質アルミニウム合金, プラスチック
色黒
質量(g)実質量:67.7
規格USB 3.2 Gen2 Type-C NVMe / SATA M.2 SSD外部ドッキングステーション
型番SST-TS16B
寸法(幅W×高さH×奥行D)(mm)107.9×17.48×42
インターフェース対応ドライブ:NVMeまたはSATA M.2、転送:10Gbps SuperSpeed USB 3.2 Gen2 Type-C
ケーブルUSB-C to USB-C ケーブル
RoHS指令(10物質対応)対応
インジケータ【LED】オン:白で点灯、オフ:赤で点灯、データアクセス:白で点滅
コントローラRealtek RTL9210B-CG
1台
¥6,998
税込¥7,698
7日以内出荷
1個
¥1,198
税込¥1,318
31日以内出荷
・PCI Express 4.0 x16拡張カードと互換。・RVZ02、ML08におあつらえ向き
備考付属のライザーカードはPCIe 5.0未対応です。それでもマザーボードのBIOS/UEFIから動作をPCIe 4.0に設定することで、任意のPCIe 5.0対応カードおよびマザーボードと併用できます。 ライザーカードの限界により、AMD CPU + AMD GPUの組合わせではPCIe 3.0のみの対応となります。
型番SST-RC07
インターフェースPCI Express 4.0×16
RoHS指令(10物質対応)対応
1台
¥8,298
税込¥9,128
7日以内出荷
・ 高品質リボンケーブルにより、各種方向でのグラフィックスカードのインストールが可能。・最大PCI Express 4.0 x16までのグラフィックスカードと互換性あり。・柔軟なリボンで高性能EMIシールド設計
長さ(mm)220
備考付属のライザーカードはPCIe 5.0未対応です。それでもマザーボードのBIOS/UEFIから動作をPCIe 4.0に設定することで、任意のPCIe 5.0対応カードおよびマザーボードと併用できます。
型番SST-RC05B-220
寸法(幅W×高さH×奥行D)(mm)117×9×263
インターフェースPCI Express 4.0×16
RoHS指令(10物質対応)対応
1台
¥11,980
税込¥13,178
7日以内出荷
PCIe x16インタフェース経由で4 x NVMe M.2 SSD (Mキー)に対応。2230、2242、2260、2280フォームファクターのM.2 SSDに対応。40mm x 40mmデュアルボールベアリング冷却ファン。冷却ファンOn/Off電源スイッチ。データセンタークラスの信頼性。USAPおよびTRIM対応
仕様●LEDインジケーター:インジケータランプは2つのモードに対応: 、点灯および点滅、これはマザーボードおよびSSDからの信号に依存。●M.2 SSD対応長さ:22x30mm, 22x42mm, 22x60mm, 22x80mm●PCBレベル:UL 94-V0●SSDインタフェース:M.2 (NGFF) M Key●コントローラIC:TPS56221DQPT●サーマルパッド仕様:厚さ、1mm、、動作温度、3W/m.k、、導電性、-25℃ ~ 70℃、、数量、4、、寸法、22mm (W) x 1mm (H) x 70mm (D)●ヒートシンク仕様:材質、アルミニウム、、寸法、109.3mm (W) x 14.2mm (H) x 168mm (D)●モジュールキー:PCIe x 4 NVMeベース Mキー●製品型番:SST-ECM40
その他[1] まず、マザーボードがPCI-Eバイフケーションに対応しているかどうか確認してください。[2] システムは、もう1つのSSDを追加するためにPCI-Eバイフケーションが必要です。3台または4台のドライブには16レーン(x4/x4/x4/x4)、2台のドライブにはx8/x8(またはx4/x4)が必要です。CPUが必要なPCI-E帯域幅をサポートしていることを確認してください。マザーボードが「PCI-Eバイフケーション」をサポートしているかを確認するために、メーカーに連絡することをお勧めします。これにより、システムが1つのM.2 SSDしか認識しない問題を防ぐことができます。[3] ECM40はハードウェアRAIDをサポートしていません。Windows 10以降では、RAID機能を使用するためにサードパーティ製ソフトウェアが必要な場合があります。同じモデルのSSDを4台使用してRAIDアレイを作成することをお勧めします。
寸法(mm)147.74 (W) x 21.59 (H) x 181 (D)
色黒
質量(g)501
備考※マザーボードまたはアドオンカードはPCIe Bifurcationをサポートし、PCIe x16/x8スロットを4×4/4×2に切り替えられる必要があります
インターフェースPCI-Express x 16
環境動作温度 5℃~55℃動作湿度 20%RH~80%RH保管温度 -20℃~50℃保管湿度 20%RH~80%RH
ファン回転数7000 RPM ±10%寸法40mm(W) x 10mm(H) x 40mm(D)ベアリング形式デュアルボールベアリング
RoHS指令(10物質対応)対応
ドライブ数4
1台
¥16,980
税込¥18,678
7日以内出荷
SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI)インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。Microchip製のSQIインターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ - ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 - アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
仕様メモリサイズ = 32Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIJピン数 = 8構成 = 4 M x 8ビット実装タイプ = 表面実装セルタイプ = スプリットゲート動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 3.6 Vブロック構成 = 対称長さ = 5.26mm高さ = 1.98mm幅 = 5.25mm寸法 = 5.26 x 5.25 x 1.98mm最大ランダムアクセス時間 = 3ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
¥31,980
税込¥35,178
7日以内出荷
対象物に被覆するだけで耐熱性・絶縁性・非粘着性、すべり性を与えるとともに耐薬品性、防湿性、非汚染性等による補強などの特性から幅広い分野での活用が可能。SMTより収縮率が大きく、0.45mmの対象物に適用できます。
用途半導体:センサー ・自動車:サーミネーター ・食品・化学工業:搬送、熱交換機 ・医療、理化学機器:カテーテル、検査機器 ・電力、通信工業:電力、光ケーブル
材質ふっ素樹脂FEP
色透明
連続使用温度(℃)-170~+200
収縮温度140℃
収縮率(%)40
仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:5.4mm 、 高さ:1.91mm 、 幅:5.4mm 、 寸法:5.4 x 5.4 x 1.91mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 SST25VF016BシリアルSPI SuperFlashRメモリ
RoHS指令(10物質対応)対応
外周に刃があり、側面は交互に刃を付け溝削り等に用います。材質はMCOコバルトハイス(SKH55相当)を使用しています。
材質MCO3(コバルト高速度鋼)
穴径(Φmm)25.4
刃径(Φmm)175
外径(Φ)175
外周に刃があり、側面は交互に刃を付け溝削り等に用います。材質はMCOコバルトハイス(SKH55相当)を使用しています。
外径(Φ)150
穴径(Φmm)25.4
材質MCO3(コバルト高速度鋼)
刃径(Φmm)150
外周に刃があり、側面は交互に刃を付け溝削り等に用います。材質はMCOコバルトハイス(SKH55相当)を使用しています。
材質MCO3(コバルト高速度鋼)
穴径(Φmm)25.4
刃径(Φmm)125
外径(Φ)125
外周に刃があり、側面は交互に刃を付け溝削り等に用います。
材質はMCOコバルトハイス(SKH55相当)を使用しています。
外径(Φmm)100
穴径(Φmm)25.4
材質MCO3(コバルト高速度鋼)
仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:4.9mm 、 高さ:1.5mm 、 幅:3.9mm 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥24,980
税込¥27,478
7日以内出荷
外周に刃があり、側面は交互に刃を付け溝削り等に用います。
材質はMCOコバルトハイス(SKH55相当)を使用しています。
外径(Φmm)75
材質MCO3(コバルト高速度鋼)
穴径(Φmm)25.4
仕様メモリサイズ:16Mbit、インターフェースタイプ:SPI、パッケージタイプ:SOIC、ピン数:8、構成:2 M x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:2.7 V、動作供給電圧 Max:3.6 V、長さ:4.9mm、高さ:1.25mm、幅:3.9mm、寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm、ワード数:2M、SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,498
税込¥1,648
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:5mm 、 寸法:6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,598
税込¥1,758
7日以内出荷
ハウジング用ナットです
仕様ネジサイズ:M16 材質:304SST
アズワン品番65-3370-20
1本
¥1,598
税込¥1,758
66日以内出荷
仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ SOIJ●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 5.26mm●高さ 1.98mm●幅 5.25mm●寸法 5.26 5.25 1.98mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
¥29,980
税込¥32,978
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:WDFN●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:6mm●高さ:0.75mm●幅:5mm●寸法:6 5 0.75mm●最大ランダムアクセス時間:3ns●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,198
税込¥1,318
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:16 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 ブロック構成:対称 、 長さ:10.3mm 、 高さ:2.05mm 、 幅:7.5mm 、 寸法:10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,198
税込¥1,318
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:8mm 、 寸法:6 x 8 x 0.8mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI )インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
¥299,800
税込¥329,780
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:64Mbit インターフェースタイプ:SPI パッケージタイプ:WDFN ピン数:8 構成:8 x 8ビット 実装タイプ:表面実装 セルタイプ:スプリットゲート 動作供給電圧 Min:2.7 、 動作供給電圧 Max:3.6 、 長さ:6mm 高さ:0.8mm 幅:8mm 寸法:6 8 0.8mm 動作温度 Max: +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,298
税込¥1,428
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:SOIJ●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:5.26mm●高さ:1.98mm●幅:5.25mm●寸法:5.26 5.25 1.98mm●ワード数:8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
¥47,980
税込¥52,778
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,998
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