「v1.25-6」の検索結果

圧着時の絶縁物の「延び」を吸収、均一な肉厚を維持します。 絶縁被覆はストレート形(均一の太さ)になっております。

圧着時の絶縁物の「延び」を吸収、均一な肉厚を維持します。 ビニル絶縁部電線挿入付近が膨らみを持った仕上げになっております。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。最大連続 順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 80V。ダイオード構成 = 絶縁型。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 6。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 3。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。高速スイッチングダイオードアレイ、MMBD4448Hシリーズ、Diodes Inc

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大連続 順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。直径 = 9.1mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大連続 順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。直径 = 9.1mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大連続 順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。直径 = 9.1mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大連続 順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。直径 = 9.1mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 870 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-723。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 550 mW。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。長さ = 1.25mm。高さ = 0.55mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor

出力電流 = 1.25A。入力電圧 = 6 → 60 V。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = DC 電圧， PWM。最大出力パワー = 1W。用途 = 自動車用照明、非常灯、産業用照明、住居照明、SELV照明、標識照明。パッケージタイプ = TSOT-25。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 60V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm。デュアルNPN/PNPトランジスタ、ON Semiconductor. デュアルトランジスタパッケージで、それぞれ1つのNPNデバイスとPNPデバイスを含みます。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

RS Pro 50 Ω SMA コネクタ - エッジ取り付けRS Pro は、 SMA 同軸コネクタのシリーズを拡大しました。このメスサブミニチュア無線周波数( RF )コネクタは、金めっきのボディ / コンタクトを備え、同軸ケーブルアセンブリ SMA プラグと接続するように設計されていて、小径で高定格電力で高周波数性能を発揮します。 使用箇所SMA エッジ取り付けコネクタは、トランスミッタなどの機器で使用される多くの RF コネクタタイプの 1 つで、同軸ケーブルと組み合わせて低損失で高周波の電気信号を伝送するのに使用されます。一般的な用途は、基板でエッジ取り付けしてはんだでしっかりと接続します。 オスとメスの SMA を識別する方法オスジェンダー SMA コネクタは、外向きピンとねじ込み式接続が内側にあり、メスジェンダー SMA は、内側向きピンと外側のねじ式接続を備えています。特長と利点メス SMA 同軸コネクタ 金めっき PTFE絶縁体 サブミニチュアサイズ エッジマウント 特性インピーダンス： 50 Ω 通常の極性 動作周波数： 6 GHz 動作温度範囲： -45 → +165 ° C 中圧 1000 V ( rms ) VSWR ：. 1.25 動作寿命： 500 回 終端: はんだ付け考慮事項新しい取り付けまたは交換用同軸を実行するための適切なツールを用意することをお勧めします。はんだ付け / はんだ除去の用途には、 RS Pro 製品をご検討ください。RS Pro SAC305 鉛フリーはんだ。 RS 品番 (： 756-8884) ： 756-8884 RS Pro 200 ml はんだフラックスエアゾール缶 - RS 品番 (494-764) 494-764用途電話システム マイクロ波システム Wi-Fi アンテナシステム