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広範囲な軸径に適合する汎用タイプ

オルタネータ(12V-55A

広範囲な軸径に適合する汎用タイプ

【この商品は大型・特殊形状商品となり、個人宅への配送は不可となりますので予めご了承下さい】

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Vベルト(トク A55

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 55 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 35 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 57 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.39mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 55 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3750 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。長さ = 10.67mm。高さ = 4.83mm。QFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

ホンダ純正部品です。

Vベルト(ダンツキ A-55

電磁接触器の小型化により、多くの定格で電磁開閉器の小型化を実現。 端子カバーを標準装備することにより、お客様の別形名の指定、オプションを手配する手間が削減され、在庫削減、カバー分のコストダウン効果を得られます。もちろん充電部の保護として安全性も向上致します。 旧シリーズでは、14種類あった操作コイル定格を8種類まで半減。適用電圧範囲を拡大させました。お客様の在庫削減はもちろんのこと、コイル製作種類集約により、短納期化を実現いたします。 モータの過負荷、拘束保護に適しています。

定番の T/C ソフトライトツイルを使用 制電性素材で静電気の発生を抑える