1軸アクチュエータ SE4505A(G0) カバー付・ピン用穴有

1軸アクチュエータ SE4505A(G0) カバー付・ピン用穴有 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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01082946 SE4505A-640W-G0CE-LN-PSR 防錆黒色被膜処理 - 640 - E(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
324,000
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01082964 SE4505A-640W-G0CE-LS-PS 防錆黒色被膜処理 - 640 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
320,000
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01082980 SE4505A-640W-G0CE-LS-PR 防錆黒色被膜処理 - 640 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01082989 SE4505A-640W-G0CE-LS-PSR 防錆黒色被膜処理 - 640 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095485 SE4505A-740W-G0CK-NN-PS 標準仕様(黒染め) - 740 - K(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095528 SE4505A-740W-G0CK-NS-PS 標準仕様(黒染め) - 740 - K(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095564 SE4505A-740W-G0CK-LN-PS 防錆黒色被膜処理 - 740 - K(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095589 SE4505A-740W-G0CK-LN-PSR 防錆黒色被膜処理 - 740 - K(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095607 SE4505A-740W-G0CK-LS-PS 防錆黒色被膜処理 - 740 - K(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095650 SE4505A-740W-G0CE-NN-PS 標準仕様(黒染め) - 740 - E(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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249,800
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01095686 SE4505A-740W-G0CE-NS-PS 標準仕様(黒染め) - 740 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095704 SE4505A-740W-G0CE-NS-PSR 標準仕様(黒染め) - 740 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095729 SE4505A-740W-G0CE-LN-PS 防錆黒色被膜処理 - 740 - E(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
338,000
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01095738 SE4505A-740W-G0CE-LN-PR 防錆黒色被膜処理 - 740 - E(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095747 SE4505A-740W-G0CE-LN-PSR 防錆黒色被膜処理 - 740 - E(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
343,000
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01095765 SE4505A-740W-G0CE-LS-PS 防錆黒色被膜処理 - 740 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
339,000
269,800
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01095774 SE4505A-740W-G0CE-LS-PR 防錆黒色被膜処理 - 740 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01095790 SE4505A-740W-G0CE-LS-PSR 防錆黒色被膜処理 - 740 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01108390 SE4505A-840W-G0CK-NN-PS 標準仕様(黒染め) - 840 - K(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
361,000
289,800
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01108399 SE4505A-840W-G0CK-NN-PR 標準仕様(黒染め) - 840 - K(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
361,000
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01108408 SE4505A-840W-G0CK-NN-PSR 標準仕様(黒染め) - 840 - K(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
366,000
289,800
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01108426 SE4505A-840W-G0CK-NS-PS 標準仕様(黒染め) - 840 - K(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
362,000
289,800
318,780 (税込)
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01108435 SE4505A-840W-G0CK-NS-PR 標準仕様(黒染め) - 840 - K(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
362,000
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01108444 SE4505A-840W-G0CK-NS-PSR 標準仕様(黒染め) - 840 - K(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
367,000
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01108469 SE4505A-840W-G0CK-LN-PS 防錆黒色被膜処理 - 840 - K(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
392,000
309,800
340,780 (税込)
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01108478 SE4505A-840W-G0CK-LN-PR 防錆黒色被膜処理 - 840 - K(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
392,000
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01108487 SE4505A-840W-G0CK-LN-PSR 防錆黒色被膜処理 - 840 - K(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
397,000
309,800
340,780 (税込)
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01108505 SE4505A-840W-G0CK-LS-PS 防錆黒色被膜処理 - 840 - K(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01108514 SE4505A-840W-G0CK-LS-PR 防錆黒色被膜処理 - 840 - K(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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01108530 SE4505A-840W-G0CK-LS-PSR 防錆黒色被膜処理 - 840 - K(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
398,000
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01108548 SE4505A-840W-G0CE-NN-PS 標準仕様(黒染め) - 840 - E(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
361,000
289,800
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01108566 SE4505A-840W-G0CE-NN-PSR 標準仕様(黒染め) - 840 - E(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
366,000
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01108584 SE4505A-840W-G0CE-NS-PS 標準仕様(黒染め) - 840 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
362,000
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01108600 SE4505A-840W-G0CE-NS-PR 標準仕様(黒染め) - 840 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
362,000
289,800
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01108609 SE4505A-840W-G0CE-NS-PSR 標準仕様(黒染め) - 840 - E(近接センサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
367,000
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01108627 SE4505A-840W-G0CE-LN-PS 防錆黒色被膜処理 - 840 - E(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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392,000
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01108645 SE4505A-840W-G0CE-LN-PSR 防錆黒色被膜処理 - 840 - E(近接センサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
397,000
309,800
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