1軸アクチュエータ SE4505B(A4)

1軸アクチュエータ SE4505B(A4) 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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内容量1台
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14779153 SE4505B-640W-A4NN-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779178 SE4505B-640W-A4NN-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 A4 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779196 SE4505B-640W-A4NN-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779214 SE4505B-640W-A4NN-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779232 SE4505B-640W-A4NM-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 A4 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779257 SE4505B-640W-A4NM-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 A4 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779275 SE4505B-640W-A4NM-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779293 SE4505B-640W-A4NM-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779318 SE4505B-640W-A4NY-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779336 SE4505B-640W-A4NY-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779354 SE4505B-640W-A4NY-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779372 SE4505B-640W-A4NY-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779397 SE4505B-640W-A4NC-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 A4 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779433 SE4505B-640W-A4NC-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779458 SE4505B-640W-A4NC-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779476 SE4505B-640W-A4NP-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 A4 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779494 SE4505B-640W-A4NP-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 A4 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779512 SE4505B-640W-A4NP-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14779537 SE4505B-640W-A4NP-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 A4 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14795156 SE4505B-740W-A4NN-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
265,000
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14795174 SE4505B-740W-A4NN-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
266,500
209,800
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14795192 SE4505B-740W-A4NN-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
294,000
229,800
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14795217 SE4505B-740W-A4NN-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14795235 SE4505B-740W-A4NM-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
278,000
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14795253 SE4505B-740W-A4NM-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
279,500
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14795278 SE4505B-740W-A4NM-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
307,000
239,800
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14795296 SE4505B-740W-A4NM-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
308,500
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14795314 SE4505B-740W-A4NY-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14795332 SE4505B-740W-A4NY-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14795357 SE4505B-740W-A4NY-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
307,000
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14795375 SE4505B-740W-A4NY-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
308,500
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14795393 SE4505B-740W-A4NC-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
278,000
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14795418 SE4505B-740W-A4NC-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
279,500
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14795436 SE4505B-740W-A4NC-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
307,000
239,800
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14795454 SE4505B-740W-A4NC-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
308,500
239,800
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14795472 SE4505B-740W-A4NP-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
278,000
219,800
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14795497 SE4505B-740W-A4NP-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 A4 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
279,500
219,800
241,780 (税込)
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14795515 SE4505B-740W-A4NP-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
307,000
239,800
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14795533 SE4505B-740W-A4NP-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 A4 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
308,500
239,800
263,780 (税込)
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14811152 SE4505B-840W-A4NN-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
317,000
249,800
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14811177 SE4505B-840W-A4NN-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A4 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
318,500
249,800
274,780 (税込)
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14811195 SE4505B-840W-A4NN-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
348,000
279,800
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14811213 SE4505B-840W-A4NN-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A4 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
349,500
279,800
307,780 (税込)
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14811238 SE4505B-840W-A4NM-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A4 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
330,000
259,800
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14811256 SE4505B-840W-A4NM-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A4 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
331,500
259,800
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14811274 SE4505B-840W-A4NM-LN B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A4 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
361,000
289,800
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14811292 SE4505B-840W-A4NM-LS B(ロングブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A4 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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14811317 SE4505B-840W-A4NY-NN B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
330,000
259,800
285,780 (税込)
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14811335 SE4505B-840W-A4NY-NS B(ロングブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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