1軸アクチュエータ SE4510C(A4)

1軸アクチュエータ SE4510C(A4) 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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15291352 SE4510C-340W-A4NY-LN C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15291377 SE4510C-340W-A4NY-LS C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15291395 SE4510C-340W-A4NC-NN C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A4 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15291413 SE4510C-340W-A4NC-NS C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A4 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15291438 SE4510C-340W-A4NC-LN C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A4 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15291456 SE4510C-340W-A4NC-LS C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A4 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15291474 SE4510C-340W-A4NP-NN C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A4 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15291492 SE4510C-340W-A4NP-NS C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A4 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15291517 SE4510C-340W-A4NP-LN C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A4 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15291535 SE4510C-340W-A4NP-LS C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A4 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15307154 SE4510C-440W-A4NN-NN C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 440 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15307197 SE4510C-440W-A4NN-LN C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15307215 SE4510C-440W-A4NN-LS C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A4 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15307373 SE4510C-440W-A4NY-LS C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15307416 SE4510C-440W-A4NC-NS C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 440 A4 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15307434 SE4510C-440W-A4NC-LN C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A4 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15307477 SE4510C-440W-A4NP-NN C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 440 A4 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15307513 SE4510C-440W-A4NP-LN C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A4 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15307538 SE4510C-440W-A4NP-LS C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A4 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15323157 SE4510C-540W-A4NN-NN C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15323175 SE4510C-540W-A4NN-NS C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A4 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15323193 SE4510C-540W-A4NN-LN C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A4 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
231,000
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15323218 SE4510C-540W-A4NN-LS C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A4 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
232,500
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15323236 SE4510C-540W-A4NM-NN C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A4 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15323254 SE4510C-540W-A4NM-NS C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A4 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15323272 SE4510C-540W-A4NM-LN C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A4 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15323297 SE4510C-540W-A4NM-LS C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A4 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
244,500
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15323315 SE4510C-540W-A4NY-NN C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A4 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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243,000
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244,500
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15323394 SE4510C-540W-A4NC-NN C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A4 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
219,000
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220,500
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15323437 SE4510C-540W-A4NC-LN C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A4 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
243,000
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244,500
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15323473 SE4510C-540W-A4NP-NN C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A4 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
219,000
169,800
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15323498 SE4510C-540W-A4NP-NS C(ショートブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A4 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
220,500
169,800
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189,800
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15323534 SE4510C-540W-A4NP-LS C(ショートブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A4 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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