1軸アクチュエータ SE4520D(A1)

1軸アクチュエータ SE4520D(A1) 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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15848997 SE4520D-340W-A1NY-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15849015 SE4520D-340W-A1NY-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15849033 SE4520D-340W-A1NC-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A1 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15849058 SE4520D-340W-A1NC-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A1 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15849137 SE4520D-340W-A1NP-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15849155 SE4520D-340W-A1NP-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A1 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15849173 SE4520D-340W-A1NP-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15864792 SE4520D-440W-A1NN-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 440 A1 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15864853 SE4520D-440W-A1NN-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A1 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15864993 SE4520D-440W-A1NY-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15865018 SE4520D-440W-A1NY-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15865054 SE4520D-440W-A1NC-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 440 A1 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15865115 SE4520D-440W-A1NP-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 440 A1 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15865133 SE4520D-440W-A1NP-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 440 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15865158 SE4520D-440W-A1NP-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A1 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15865176 SE4520D-440W-A1NP-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 440 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
242,200
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15880795 SE4520D-540W-A1NN-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A1 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15880813 SE4520D-540W-A1NN-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A1 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15880838 SE4520D-540W-A1NN-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A1 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15880856 SE4520D-540W-A1NN-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A1 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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15880874 SE4520D-540W-A1NM-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A1 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
233,000
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15880892 SE4520D-540W-A1NM-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A1 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
234,500
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15880935 SE4520D-540W-A1NM-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A1 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
258,500
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15880953 SE4520D-540W-A1NY-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
233,000
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199,800
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258,500
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15881032 SE4520D-540W-A1NC-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A1 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
233,000
179,800
197,780 (税込)
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15881057 SE4520D-540W-A1NC-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A1 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
234,500
189,800
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15881075 SE4520D-540W-A1NC-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A1 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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199,800
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15881093 SE4520D-540W-A1NC-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A1 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
258,500
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15881118 SE4520D-540W-A1NP-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A1 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
233,000
179,800
197,780 (税込)
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15881136 SE4520D-540W-A1NP-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 540 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
234,500
189,800
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15881154 SE4520D-540W-A1NP-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A1 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
257,000
199,800
219,780 (税込)
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15881172 SE4520D-540W-A1NP-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 540 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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