Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 11.1 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 11.1 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
最大パワー消費 = 100 W
1チップ当たりのエレメント数 = 1
MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
最大連続ドレイン電流 = 11.1 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
最大パワー消費 = 100 W
1チップ当たりのエレメント数 = 1
MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
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商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
- 質問:
- 製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答:
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
1417:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-30