STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 4 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 600 V
シリーズ MDmesh， SuperMESH
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4.5V
最低ゲートしきい値電圧 3V
最大パワー消費 70 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V
幅 9.35mm
動作温度 Min -55 ℃mm
NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics