Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 3.2 A 表面実装 パッケージSOT-89 4 ピン
Infineon OptiMOS 3 パワー MOSFET 、 60 ～ 80V. OptiMOS 製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。. SMPS 用の高速スイッチング MOSFET DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル・ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 3.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOT-89
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 4
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V
最大パワー消費 = 1 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 2.5mm
順方向ダイオード電圧 = 1.1V
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(50個)
最大連続ドレイン電流 = 3.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOT-89
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 4
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V
最大パワー消費 = 1 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 2.5mm
順方向ダイオード電圧 = 1.1V
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