Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 240 A 表面実装 パッケージD2PAK-7 7 ピン
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 240 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = StrongIRFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 7
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V
最大パワー消費 = 375 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
最大連続ドレイン電流 = 240 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = StrongIRFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 7
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V
最大パワー消費 = 375 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(2個)
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