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SKF 深溝ボールベアリングは、特に汎用性が高い製品です。高速及び超高速に適しており、両方向のラジアル荷重とアキシャル荷重に対応し、メンテナンスはほとんど必要ありません。深溝ボールベアリングは、最も広く使用されているベアリングタイプなので、SFKではさまざまなデザイン、タイプ、及びサイズを用意しています。内径 25 mm、外径 67.7 mm です。ベアリングはスチール製です 円筒穴タイプ

転がり軸受の中でも最も多く使用される軸受です。 軌道溝は、転動する玉の半径より、わずかに大きい半径の円弧になっており、玉と軌道は点で接触します。 深溝玉軸受は、ラジアル荷重、アキシアル荷重およびこれらの合成荷重を受けることができます。 構造が簡単なため、容易に精度の高いものが得られ、高速回転にも適しています。

・単列深溝玉軸受は、転がり軸受の中でも最も代表的な形式です。・ラジアル荷重のほかに、両方向のアキシアル荷重を負荷することができます。・摩擦トルクが小さく、高速回転する箇所や低騒音、低振動が要求される用途に最も適しています。

転がり軸受の中でも最も多く使用される軸受です。 軌道溝は、転動する玉の半径より、わずかに大きい半径の円弧になっており、玉と軌道は点で接触します。 深溝玉軸受は、ラジアル荷重、アキシアル荷重およびこれらの合成荷重を受けることができます。 構造が簡単なため、容易に精度の高いものが得られ、高速回転にも適しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 128 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

自動車用ローエッジベルト。ベルト下面にバイヤス布を数枚積層した構造になっており、発音性が抑えられています。

グラススパンの外貼りによる、シンプルなフォルム。極細のガラス繊維を固め、紙状にした不織布素材がグラススパンです。和紙のように光を柔らかく拡散します。

ホンダ純正部品です。

グリース油等は不要で水中や海水、不定期に水分がかかる場所でサビや劣化なく使用できる。 薬品に耐性があるため、薬品の中や薬品のかかる場所で抜群の性能を発揮。 食品・化学薬品・医薬品等、低温から高温まで幅広く使用できる。 非磁性体で、磁気読み取り等計測器の誤作動を防ぎ、絶縁性が高く、ハウジングと軸の間で絶縁できる。 軽量化に役立ち、設計に応じて形状を任意に設定できる。

グリース油等は不要で水中や海水、不定期に水分がかかる場所でサビや劣化なく使用できる。 薬品に耐性があるため、薬品の中や薬品のかかる場所で抜群の性能を発揮。 食品・化学薬品・医薬品等、低温から高温まで幅広く使用できる。 非磁性体で、磁気読み取り等計測器の誤作動を防ぎ、絶縁性が高く、ハウジングと軸の間で絶縁できる。 軽量化に役立ち、設計に応じて形状を任意に設定できる。