仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 115 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 7.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V
RoHS指令(10物質対応)対応
