ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピン パッケージSOT-23

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 130 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 360 mW
長さ = 2.92mm
強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。