仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 11.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2500 mW
寸法 = 5 x 4 x 1.5mm
PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応