仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 6.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V
最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = 絶縁型
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2000 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 15 ns
PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
