ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピン パッケージTO-92

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 200 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = TO-92
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = 小信号
最大パワー消費 = 400 mW
標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。